物理逻辑门电路.pptx

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1、第二章 集成逻辑门电路集成度小规模(Small Scale Integrated Circuit,SSI)是由十几个门电路构成的。中规模(Medium Scale Integrated Circuit,MSI)是由上百个门电路构成的。大规模(Large Scale Integrated Circuit,LSI)是由几百个至几千个门电路构成的。超大规模(Very Large Scale Integrated Circuit,VLSI)是由一万个以上门电路构成的。第1页/共47页第二章 集成逻辑门电路应用目前，广泛使用的逻辑门有TTL(Transistor-Transistor Logic)和CM

2、OS两个系列。TTL门电路属双极型数字集成电路，其输入级和输出级都是三极管结构，故称TTL。CMOS门电路是由NMOS管和PMOS管组成的互补MOS集成电路，属单极性数字集成电路。第2页/共47页第二章 集成逻辑门电路我国TTL系列数字集成电路型号与国际型号对应列入表2-1中 系列国产型号国际型号分类名称TTL系列CT1000CT2000CT3000CT400054/7454/74H54/74S54/74LS标准(通用系列)高速系列肖特基系列低功耗肖特基系列 第3页/共47页第一节 基本逻辑门电路与门实现与逻辑功能的电路，称为与门。VA=VB=3V。由于R接到电源+12V上，故DA、DB均导通

3、，VF=VF=3+0.7V=3.7V3V第4页/共47页第一节 基本逻辑门电路VA=3V，VB=0V，由于DB导通，VF=0.7V，因 而 DA截 止，通 常 将 DB导 通，使VF=VF=0+0.7V=0.7V0V称为箝位。VA=0V，VB=3V，由于DA导通，VF=VF=0+0.7V=0.7V0V，DB截止。第5页/共47页第一节 基本逻辑门电路VA=VB=0V，VF=0.7V，此时DA、DB均导通。VF=0+0.7V=0.7V0V(1)VA=VB=0V VF0V(2)VA=0V,VB=3V:VF0V(3)VA=3V,VB=0V:VF0V(4)VA=VB=3V VF3V第6页/共47页第一

4、节 基本逻辑门电路电位关系输入 VF(V)VF(V)输出VF(V)0 0 0 3 3 0 3 30003&FABA B0 00 11 01 1F0001第7页/共47页第一节 基本逻辑门电路或门实现逻辑或功能的电路，称为或门。VA=VB=3V，由于R接到电源-VEE（-12V）上，故DA、DB均导通。VF因此为VA-VD=2.3V 3V。第8页/共47页第一节 基本逻辑门电路VA=0V，VB=3V，此时DB导通，将VF钳位在2.3V，DA加反向电压截止。因此VF=VB-VD=2.3V3V。VA=3V，VB=0V，此时DA导通，DB截止，VF=VA-VD=2.3V 3V。VA=VB=0V，DA、

5、DB均导通，VF=0-VD=-0.7V 0V。第9页/共47页第一节 基本逻辑门电路(1)VA=VB=0V:VF0V(2)VA=0V,VB=3V:VF3V(3)VA=3V,VB=0V:VF3V(4)VA=VB=3V:VF3V输入 VF(V)VF(V)输出VF(V)0 0 0 3 3 0 3 30303第10页/共47页第一节 基本逻辑门电路A B0 00 11 01 1F01111FAB第11页/共47页第一节 基本逻辑门电路非门（反相器）实现逻辑非门功能的电路，称作非门(反相器)。第12页/共47页第一节 基本逻辑门电路数字电路中，二极管，三极管均工作在开关状态。三极管工作在饱和态和截止态。

6、n饱和时，其集电极输出为低电平（VO=Vces）；n截止时，其集电极输出高电平（无箝位时，VO=VCC，有箝位电路时，VO高电平将使DQ导通，由于VQ=2.5V，故VO=2.5V+0.7V=3.2V）。第13页/共47页第一节 基本逻辑门电路VI=0.3V时，一般硅管死区电压为0.5V，故T可能截止，只考虑到VEE时只考虑到VI时 第14页/共47页第一节 基本逻辑门电路VI=0.3V时，总的VB=-0.646V，T截止，VO为高电平。由于此时钳位二极管DQ导通，故VO=VQ+VDQ=3.2V3V。第15页/共47页第一节 基本逻辑门电路或：第16页/共47页第一节 基本逻辑门电路当VI=3.

7、2V时，输入高电平，T应饱和，即 在本例中 第17页/共47页第一节 基本逻辑门电路实际上 IBIBS，三极管饱和。输 出 为 低 电 平VO=Vces=0.3V0V。采用正逻辑，可列出非门的真值表。第18页/共47页第一节 基本逻辑门电路电位关系输入输入VI(V)输出输出VF(V)0330输入输入A输出输出F0110第19页/共47页第二节 TTL集成逻辑门电路一、TTL与非门的工作原理 TTL与非门的典型电路TTL与非门的典型电路如图2-6所示，它分成输入级、中间级和输出级三个部分。第20页/共47页第21页/共47页 TTL与非门的典型电路输入级由多发射极晶体管T1和电阻R1组成，通过T

8、1的各个发射极实现与逻辑功能。第22页/共47页 TTL与非门的典型电路中间级由T2、R2、R3组成，其主要作用是从T2管的集电极c2和发射极e2同时输出两个相位相反的信号，分别驱动T3和T5管，来保证T4和T5管有一个导通时，另一个就截止。第23页/共47页 TTL与非门的典型电路输出级由R4、R5、T3、T4、T5组成，T5是反相器，T3、T4组成复合管构成一个射随器，作为T5管的有源负载，并与T5组成推拉式电路，使输出无论是高电平或是低电平，输出电阻都很小，提高了带负载能力。第24页/共47页工作原理当输入端A、B、C中有任一个输入信号为低电平(VIL=0.3V)时，相应的发射结导通，T

9、1工作在深度负饱和状态，使T1管的基极电位VB1被箝制在VB1=VIL+VBE1=0.3+0.7=1V，集电极电位VC1=VCES1+VIL=0.1+0.3=0.4V使T2管截止，IC2=0，VE2=VB5=0V，故T5管截止。第25页/共47页工作原理因R2和IB3都很小，故R2上的压降很小，VC2=VB35V，T3、T4管导通，VO=VOH=VB3-VBE3-VB43.6V。即输入端A、B中至少有一个为低电平时，输出F为高电平。第26页/共47页工作原理当输入端全为高电平VIH=3.6V时，T1管的基极电位升高，使T1管的集电结、T2和T5的发射结正向偏置而导通，T1管的基极电位VB1被箝

10、位在2.1Vn(VB1=VBC1+VBES2+VBES5 =0.73=2.1V)。第27页/共47页工作原理由于T1各发射极电位均为3.6V，而其基极电位2.1V，集电极电位1.4V，故T1管处于倒置工作状态（发射结和集电结反向运用状态，发射结反向偏置、集电结正向偏置）。第28页/共47页工作原理电源VCC通过R1向T2和T5提供很大的偏置电流，使T2和T5管处于饱和导通 状 态，饱 和 压 降 为0.3V。T2管的集电极电位VC1=VCE2+VBE5=0.3V+0.7V=1V，致 使T3管微导通，T4管截止。所以输出电压VO=VCES5=0.3V。即输入端全为高电平时，输出端为低电平。第29

11、页/共47页工作原理结论总之，该电路只要输入有一个为低电平时，输出就为高电平；只有输入全为高电平时，输出才为低电平。所以该门为与非门。第30页/共47页电位关系、真值表()当A、B至少有一个为低电平（0.3V）时，VO=3.6V。()当A、B全为高电平VIH=3.6V时，VO=VCES5=0.3V。即：有0为1；全1为0第31页/共47页电位关系、真值表真值表为：第32页/共47页二、2.2.2TTL与非门的电压传输特性及抗干扰能力电压传输特性电压传输特性是描述输出电压vO与输入电压vI之间对应关系的曲线，如图2-7所示。n（1）测试电路第33页/共47页二、2.2.2TTL与非门的电压传输特

12、性及抗干扰能力AB段（截止区）：vI0.6V，输出电压vO不随输入电压vI变化，保持在高电平VH。VC10.7V，T2和T5管截止，T3、T4管导通，输出为高电平，VOH=3.6V。由于这段T2和T5管截止，故称截止区。第34页/共47页二、2.2.2TTL与非门的电压传输特性及抗干扰能力BC段（线性区）：0.6VvI1.3V，0.7VVC11.4V。这时T2管开始导通并处于放大状态，T2管的集电极电压VC2和输出电压vO随输入电压vI的增大而线性降低，故该段称为线性区。由于T5管的基极电位还低于0.7V，故T5管仍截止。T3、T4管还是处于导通状态。第35页/共47页二、2.2.2TTL与非

13、门的电压传输特性及抗干扰能力CD段（过渡区）：1.3VvI1.4V，T5管开始导通，T2、T3、T4管也都处于导通状态，T4、T5管有一小段时间同时导通，故有很大电流流过R4电阻，T2管提供T5管很大的基极电流，T2、T5管趋于饱和导通，T4管趋于截止，输出电压vO急剧下降到低电平vO=0.3V。第36页/共47页二、2.2.2TTL与非门的电压传输特性及抗干扰能力CD段（过渡区）：由于vI的微小变化而引起输出电压vO的急剧下降，故此段称为过渡区或转折区。第37页/共47页二、2.2.2TTL与非门的电压传输特性及抗干扰能力CD段中点对应的输入电压，既是T5管截止和导通的分界线，又是输出高、低

14、电平的分界线，故此电压称阈值电压VT（门槛电压），VT=1.4V。VT是决定与非门状态的重要参数。当vIVT时，与非门截止，输出高电平。当vIVT时，与非门饱和导通，输出低电平。第38页/共47页二、2.2.2TTL与非门的电压传输特性及抗干扰能力DE段（饱和区）：vI1.4V以后，T1管处于倒置工作状态，VB1被箝位在2.1V，T2、T5管进入饱和导通状态，T3管微导通，T4管截止。由于T2、T5管饱和导通，故称该段为饱和区。第39页/共47页第三节 其他类型的TTL门电路 一、集电极开路门(OC门)线与:把几个逻辑门的输出端直接连在一起,实现逻辑与 1、TTL与非门直接线与出现的问题：F1

15、=1，F2=0就会在电源和地之间形成一个低阻通路，破坏了逻辑关系，而且还会把截止门中的导通管T4烧坏。第40页/共47页第三节 其他类型的TTL门电路 2、集电极开路门(OC门)电路结构：把TTL与非门电路的推拉输出级改为三极管集电极开路输出,称为集电极开路(Open Collector)门电路。逻辑图和逻辑符号（a）逻辑图；（b）国标逻辑符号（c）惯用逻辑符号第41页/共47页第三节 其他类型的TTL门电路 逻辑功能：第42页/共47页第三节 其他类型的TTL门电路 OC门的应用1、实现线与 第43页/共47页第三节 其他类型的TTL门电路 三态输出门（TLS门）1、工作原理VEN=0.3V（EN=0）,Vb1=1.0V,Vb3=1.0V,T4、T5截止。即EN=0输出为高阻态VEN=3.6V（EN=1）,D截止，就是与非门。第44页/共47页第三节 其他类型的TTL门电路 2、三态门的用途在总线传输中的应用第45页/共47页第三节 其他类型的TTL门电路 数据双向传输EN=0，G1高阻，N经G2向M送数据。EN=1，G2高阻，M经G1向N送数据。第46页/共47页感谢您的观看！第47页/共47页