常用电子器件PPT课件.ppt

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1、关于常用电子器件第一张，PPT共三十六页，创作于2022年6月1、电阻的单位：国际单位为欧姆（）。常用单位有：M,K,m,.2、电阻按材料分可分成以下几类：a、碳膜电阻b、金属膜电阻主要是小功率 1.1 电阻电阻1 1 常用电子半导体器件常用电子半导体器件第二张，PPT共三十六页，创作于2022年6月c、绕线电阻d、水泥电阻大功率第三张，PPT共三十六页，创作于2022年6月第四张，PPT共三十六页，创作于2022年6月B.标准功率：W,W,W,W,1W,2W,5W,50W,100W.C.精度：（1%，5%）绕线电阻有0.1%精度1.01.0，1.21.2，1.51.5，1.81.8，2.02

2、.0，2.22.2，2.42.4，2.72.7，3.03.0，3.33.3，3.63.6，3.93.9，4.34.3，4.74.7，5.05.0，5.15.1，5.65.6，6.26.2，6.86.8，7.57.5，8.28.2，9.1 9.1 0 0。A.标称阻值。如：1，10K.第五张，PPT共三十六页，创作于2022年6月1.2 1.2 电容器电容器1.电容器的符号第六张，PPT共三十六页，创作于2022年6月2.电容单位3.电容器分类：a、瓷片电容瓷片电容，有高压低压之分，高压瓷片可做成几万伏耐压。b、CBB电容电容（金属化薄膜电容，高低压均有）第七张，PPT共三十六页，创作于2022

3、年6月c、独石电容、独石电容d、钽电容、钽电容低压e、铝电解电容、铝电解电容第八张，PPT共三十六页，创作于2022年6月 贴片元器件贴片元器件贴片钽电容贴片钽电容贴片铝电解电容电容贴片铝电解电容电容第九张，PPT共三十六页，创作于2022年6月穿心电容穿心电容第十张，PPT共三十六页，创作于2022年6月4、电容元件的主要技术参数a、标称容量,如:电解电容100F/25V,1.0，1.2，1.5，1.8，2.2，2.7，3.3，3.6，3.9，4.2，4.7，5.6，6.2，6.8，7.5，8.2。例：例：CBBCBB电容电容 2700pF/63V 2700pF/63V、272J(K)272

4、J(K)b、耐压：6.3V,10V,16V,25V,35V,50V,63V,100V,160V,250V,400V,450V,6.3V,10V,16V,25V,35V,50V,63V,100V,160V,250V,400V,450V,630V,1000V,1250V,2KV,3KV,5KV,10KV 630V,1000V,1250V,2KV,3KV,5KV,10KV。c、精度：5%(J5%(J级级)10%(K)10%(K级级)，20%(M20%(M级级)电解电容允许误差。电解电容允许误差。d、损耗角：tg e、串联等效电阻：ESR高频电路或开关电源高频电路或开关电源中这两个参数很重要中这两个参

5、数很重要第十一张，PPT共三十六页，创作于2022年6月f、最大脉动电流：400V/10F/280mAg、寿命：普通电容（CD11系列）寿命1000小时/85下，工作温度每降低10C，电解电容寿命增加一倍。每增加10C，寿命减少一倍。h、漏电流：I=0.02CV+25A、如：400V/10F电容 I=105A 第十二张，PPT共三十六页，创作于2022年6月第十三张，PPT共三十六页，创作于2022年6月第十四张，PPT共三十六页，创作于2022年6月1.3 电感电感 1、符号 空芯电感 有铁芯电感 第十五张，PPT共三十六页，创作于2022年6月2、分类：a、色码电感：（空芯电感，容量小，只

6、有H级）b、高频（铁氧体芯）电感：可做H、mH级，非线性元件，电感量随工作频率而改变。c、低频（矽钢片）电感：可做mH级。第十六张，PPT共三十六页，创作于2022年6月3、单位（亨利）4、参数a、标称容量：（mH）b、额定电流：（载流能力）0.5A，1A。c、额定电压：高压应用场合，要考虑耐压问题。d、损耗：铁损：磁损耗，随频率的增加而大幅度增加铜损：漆包线电阻损耗 第十七张，PPT共三十六页，创作于2022年6月第十八张，PPT共三十六页，创作于2022年6月第十九张，PPT共三十六页，创作于2022年6月第二十张，PPT共三十六页，创作于2022年6月 1.41.4、三极管、三极管1、符

7、号2、分类按材料分：a、硅管（PN结压降：0.7V）b、锗管（PN结压降：0.3V）第二十一张，PPT共三十六页，创作于2022年6月3、主要技术指标：a、电流放大系数：注意标志：F标志 ：50-70 G标志 ：70-90H标志：100-120I标志：120-150*管管子子耐耐压压越越高高，额额定定工工作作电电流流（I ICMCM）越越大大，则则 越越小小。例:MJE13005，500V/5A，:15-35之间S8050，45V/1A，:70-200之间第二十二张，PPT共三十六页，创作于2022年6月b、反向击穿电压：Ucbo (发射极开路发射极开路)Uebo（集电极开路）（集电极开路）U

8、ceo（基极开路）（基极开路）c、集电极最大允许电流ICMd、集电极最大允许耗散功率PCMPc=IcUce耗耗散散功功率率与与环环境境温温度度和和散散热热条条件件有有关关（RoJ），手手册册上上一一般般给给出出环环境境温温度度为为20时时PCM值。值。e、截止频率：共射极截止频率fb,定义为降低到0.707倍时的频率称为fb三个参数中选最小一个为晶体管击穿电压，一般为Uebo 第二十三张，PPT共三十六页，创作于2022年6月4、封装形式：第二十四张，PPT共三十六页，创作于2022年6月第二十五张，PPT共三十六页，创作于2022年6月第二十六张，PPT共三十六页，创作于2022年6月第二十

9、七张，PPT共三十六页，创作于2022年6月第二十八张，PPT共三十六页，创作于2022年6月1.功率功率MOSFET的结构的结构1.5 1.5 功率场效应晶体管结构特点功率场效应晶体管结构特点图1-19 电力MOSFET的结构和电气图形符号第二十九张，PPT共三十六页，创作于2022年6月2、MOS管特点 a、电压控制元件，输入阻抗高。、电压控制元件，输入阻抗高。b、导通电阻、导通电阻Ron大大.c、工作频率高（对功率器件而言）、工作频率高（对功率器件而言）d、是一种元细胞集成器件、是一种元细胞集成器件,适合并联适合并联 e、DS极极之间内部寄生二极管之间内部寄生二极管3、主要技术指标：a、

10、额定电压、额定电压Uds,它主要由它主要由VMOS管的漏源击穿电压管的漏源击穿电压U(BR)DS决定决定 b、最大漏极电流、最大漏极电流Idmax(标称标称MOS管电流额定参数管电流额定参数)c、阀值电压、阀值电压Ugs(th)(又称门极开启电压又称门极开启电压)d、导通电阻、导通电阻：Ron第三十张，PPT共三十六页，创作于2022年6月e、最高工作频率fm:Uds作用下，电子从源区（作用下，电子从源区（S）通过沟道到漏区所需要的时间）通过沟道到漏区所需要的时间f、开通时间和关断时间：开通和关断时间越大开通和关断时间越大,则则MOS管开关损耗越大管开关损耗越大.g、极间电容输入电容：Ciss

11、=CGS+CGD输出电容：Coss=CDS+CGD第三十一张，PPT共三十六页，创作于2022年6月5、常用MOS器件：2N700060V/0.2AIRFD01460V/1.7AIRFD210200V/0.6AIRFD110100V/1.0AIRF530100V/15AIRF630200V/9AIRF730400V/5.5AIRF830500V/4.5AIRF840500V/8AIRFBF20900V/1.7AIRFBF30 900V/3.6A第三十二张，PPT共三十六页，创作于2022年6月第三十三张，PPT共三十六页，创作于2022年6月第三十四张，PPT共三十六页，创作于2022年6月第三十五张，PPT共三十六页，创作于2022年6月感谢大家观看第三十六张，PPT共三十六页，创作于2022年6月