工学单片机原理及应用课件.pptx
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1、学习目标n掌握掌握5151单片机扩展总线的结构及组成单片机扩展总线的结构及组成n掌握并行总线的逻辑与时序掌握并行总线的逻辑与时序n掌握并行总线扩展的地址译码方法掌握并行总线扩展的地址译码方法n掌握掌握5151单片机扩展存储器的方法单片机扩展存储器的方法n掌握掌握5151单片机扩展单片机扩展I/OI/O接口的方法接口的方法第1页/共100页7.1 51单片机扩展总线基础 单片机集成了CPUCPU、I/OI/O接口、存储器、定时器和中断系统等计算机的基本部件,外加电源、复位和时钟等辅助电路即构成一个能够正常工作的最小系统。第2页/共100页 然而,5151单片机的片上资源终归有限,针对某些应用可能
2、需要扩展,如增加存储器容量和输入输出端口数量,增加ADCADC和DACDAC等。第3页/共100页MCS51 P2,P0 RD WR外部程序外部程序存存 贮贮 器器扩展RAM并行I/O接口串行I/O接口A/D转换D/A转换定时器计数器并行I/O设 备串行I/O设 备模拟量输 入模拟量输 出数据总线和地址总线数据总线和地址总线PSENPSEN、RD 和WR等信号构成了控制总线。第4页/共100页 为减少引脚数量,扩展总线中的数据总线和地址总线低8 8位采用了分时复用技术,即P0P0口分时传送地址总线信号的低8 8位(A0-A7A0-A7)和数据总线信号(D0-D0-D7D7).单片机扩展总线的结
3、构和组成单片机扩展总线的结构和组成第5页/共100页从P0P0口中分离出地址总线低8 8位地址信号:外接一个锁存器。第6页/共100页单片机的扩展总线信号包括:地址总线信号 A0-A15A0-A15;数据总线信号 D0-D7D0-D7;控制总线信号 ALEALE、EAEA、PSEN、RD 和WR.第7页/共100页 扩展总线信扩展总线信号名号名信号的含义信号的含义与单片机引脚号信与单片机引脚号信号定义的对应关系号定义的对应关系A0-A7A0-A7数据总线低数据总线低8 8位位P0P0口锁存输出口锁存输出A8-A15A8-A15数据总线高数据总线高8 8位位P2P2口口D0-D7D0-D7数据总
4、线,数据总线,8 8位宽度位宽度P0P0口口ALEALE控制信号,地址锁存使能控制信号,地址锁存使能ALEALE控制信号,程序存储器使能,低电平有效控制信号,程序存储器使能,低电平有效控制信号,外部访问使能信号,低电平有效控制信号,外部访问使能信号,低电平有效 /V /VPPPP控制信号,读信号,低电平有效控制信号,读信号,低电平有效 /P3.7 /P3.7控制信号,写信号,低电平有效控制信号,写信号,低电平有效 /P3.7 /P3.7第8页/共100页1.1.访问外部程序存储器2.2.访问外部数据存储器或数据端口(读 XRAM)XRAM)3.3.访问外部数据存储器或数据端口(写 XRAM)X
5、RAM)扩展总线的逻辑关系和时序分析第9页/共100页state 1P1 P2state 2P1 P2state 3P1 P2state 4P1 P2state 5P1 P2state 6P1 P2state 1P1 P2state 2P1 P2CLKALEPSENP0P2访问外部程序存储器MOVCMOVC A,A+DPTR A,A+DPTRPCLDPLPCLDPHPCHPCH数据数据指令指令取指令阶段执行指令阶段第10页/共100页state 1P1 P2state 2P1 P2state 3P1 P2state 4P1 P2state 5P1 P2state 6P1 P2state 1P1
6、 P2state 2P1 P2CLKALEPSENP0P2PCLDPLPCLDPHPCHPCH数据指令指令读外部数据存储器或端口MOVXMOVX A,DPTR A,DPTR取指令阶段第11页/共100页state 4P1 P2state 5P1 P2state 6P1 P2state 1P1 P2state 2P1 P2state 3P1 P2state 4P1 P2state 5P1 P2CLKALERDP0P2DPLDPH数据数据读外部数据存储器或端口 MOVX A,DPTR MOVX A,DPTR 执行阶段第12页/共100页state 1P1 P2state 2P1 P2state 3
7、P1 P2state 4P1 P2state 5P1 P2state 6P1 P2state 1P1 P2state 2P1 P2CLKALEPSENP0P2PCLDPLPCLDPHPCHPCH数据指令取指令阶段写外部数据存储器或端口MOVXMOVX DPTR,A DPTR,A第13页/共100页state 4P1 P2state 5P1 P2state 6P1 P2state 1P1 P2state 2P1 P2state 3P1 P2state 4P1 P2state 5P1 P2CLKALEWRP0P2DPH数据数据写外部数据存储器或端口 MOVX DPTR,A MOVX DPTR,A
8、执行阶段DPL第14页/共100页扩展存储器时,通常使用多个存储器芯片。总线扩展的地址译码方法总线扩展的地址译码方法 存储器芯片 316 KB存储器芯片 216 KB存储器芯片 116 KB64KB64KB存储器芯片 416 KB第15页/共100页每个存储器芯片中的存储单元的地址是不同的。FFFFHFFFFH存储器芯片 416 KB存储器芯片 316 KB存储器芯片 216 KB存储器芯片 116 KB0000H0000HFFFFH C000HBFFFH 8000H7FFFH 4000H3FFFH 0000H第16页/共100页 相应地,整个存储空间可分为4 4页,不同的存储芯片占用不同的页
9、面。FFFFHFFFFH第4页存储器芯片 4第3页存储器芯片 3第2页存储器芯片 2每1页存储器芯片 10000H0000HFFFFH C000HBFFFH 8000H7FFFH 4000H3FFFH 0000H第17页/共100页地址空间分配就是把64KB64KB的寻址空间通过地址译码的方法分成若干个页面,不同的存储器芯片占用不同的页面。第4页存储器芯片 4第3页存储器芯片 3第2页存储器芯片 2每1页存储器芯片 1FFFFH C000HBFFFH 8000H7FFFH 4000H3FFFH 0000H1111 1111 1111 1111 1100 0000 0000 00001011 1
10、111 1111 1111 1000 0000 0000 00000111 1111 1111 1111 0100 0000 0000 00000011 1111 1111 1111 0000 0000 0000 0000第18页/共100页高位地址线用于选择页面,称为选页(片)地址;低位地址线用来选择页内单元,称为页内地址。010100 000000 0000 0000 00000000 0000010100 011100 0111 1111 11111111 1111010111 1111 1111 111111 1111 1111 1111同一页内(16KB)(16KB).A15A14A
11、13A0第19页/共100页地址译码时,选页地址用于产生页面选择信号,页内地址用于产生页内单元选择信号。扩展存储器地址范围.doc第20页/共100页扩展I/OI/O端口与扩展存储器类似,只是用寄存器代替存储器芯片,而且通常直接产生端口选择信号。扩展端口地址.doc第21页/共100页地址译码的方法通常有三种:全地址译码部分地址译码线选译码。第22页/共100页1.1.全地址译码 所有的地址线都参与译码,每个存储单元或端口与一个确定的地址一一对应。所有的选页地址线参与选页地址译码;所有的页内地址线参与页内单元的译码(存储器芯片自身功能)。第23页/共100页例:若页面的大小为8KB8KB,64
12、KB64KB的存储空间分成8 8页,则页内地址应为1313位,即A0-A12A0-A12;其余地址为选页地址,即 A13-A15A13-A15,全地址译码要求所有选页地址都参与选页译码,产生8 8个页面选择信号。第24页/共100页2.部分地址译码 只有部分地址参与译码,一个存储单元或端口与多个地址对应。部分地址译码法可以简化译码电路的设计。第25页/共100页3.3.线选译码 线选译码是部分地址译码的特殊形式,即直接用地址线来选通存储器芯片或端口,一个存储单元或端口与多个地址对应。第26页/共100页 例如,不用译码电路,仅用高位地址线就可以把64KB64KB的存储空间划分为不同的区域。第2
13、7页/共100页地址空间分配 总线驱动能力 电平的匹配 控制时序和逻辑的匹配 速度的协调状态信号的处理 扩展时应该考虑的问题扩展时应该考虑的问题第28页/共100页5151系列单片机采用总线扩展方式可以实现:存储器扩展;输入/输出端口扩展;功能部件(如定时器、计数器、键盘、显示器等)的扩展;A/DA/D和的D/AD/A扩展;第29页/共100页7.2 517.2 51单片机存储器的扩展 存储器基础知识 程序存储器的扩展 数据存储器的扩展 存储器综合扩展举例第30页/共100页1.1.半导体存储器的分类 存储器基础知识存储器基础知识 半导体存储器随机存取存储器(RAMRAM)只 读 存储器(RO
14、MROM)静态RAMRAM(SRAMSRAM)动态RAMRAM(DRAMDRAM)非易失性RAMRAM(NVRAMNVRAM)掩膜式ROMROM可编程ROMROM(PROMPROM)可擦除可编程ROMROM(EPROMEPROM)电可擦除可编程ROMROM(E E2 2PROMPROM)闪速存储器(Flash MemoryFlash Memory)第31页/共100页2.2.常用EPROMEPROM介绍 EPROM的电路结构主要包括:地址译码器、存储矩阵和输出缓冲器。第32页/共100页常用的EPROM芯片 型型 号性号性 能能271627162732273227642764271282712
15、82725627256容量容量/bit/bit2KB82KB84KB84KB88KB88KB816KB816KB832KB832KB8读写时间读写时间/ns/ns350350250250250250250250250250封装封装DIP24DIP24DIP24DIP24DIP28DIP28DIP28DIP28DIP28DIP28第33页/共100页EPROMEPROM芯片引脚图(2764)(2764)第34页/共100页3.3.常用SRAMSRAM介绍 (6264)(6264)第35页/共100页常用的SRAM芯片型型 号号 性性 能能61166116626462646225662256容量容
16、量/bit/bit2KB82KB88KB88KB832KB832KB8读写时间读写时间/ns/ns200200200200200200工作电压工作电压/V/V5 55 55 5典型工作电流典型工作电流/mA/mA353540408 8典型维持电流典型维持电流/mA/mA5 52 20 05 5封装封装DIP24DIP24DIP28DIP28DIP28DIP28第36页/共100页SRAMSRAM芯片引脚图(6264)(6264)第37页/共100页3.EEPROM3.EEPROM简介 Electrically Erasable Programmable ROM 相同容量的EEPROMEEPRO
17、M和EPROMEPROM的引脚是兼容的。型型 号号2816A2816A281728172817A2817A2864A2864A存储容量存储容量2KB82KB82KB82KB82KB82KB88KB88KB8第38页/共100页程序存储器的扩展主要考虑以下几个问题:1.1.地址线的连接2.2.数据线的连接3.3.控制信号的连接4.4.译码电路的设计程序存储器的扩展程序存储器的扩展 第39页/共100页例7-1 7-1 若单片机为80318031,试采用27642764扩展8KB8KB的程序存储器。扩展存储器地址范围.doc第40页/共100页例7-2 7-2 若单片机为8031,8031,试采用
18、27642764扩展32KB32KB的程序存储器。扩展存储器地址范围.doc第41页/共100页 扩展外部数据存储器与扩展外部程序存储器的设计方法基本一样,但所用的控制信号不同,片外数据存储器的读/写由单片机的 RD RD(P3.7)(P3.7)和 WR WR(P3.6)(P3.6)信号控制,而读片外程序存储器的信号为 PSEN.PSEN.数据存储器的扩展数据存储器的扩展 第42页/共100页例7-4 7-4 若单片机为80318031,试采用SRAMSRAM芯片把外部数据存储器扩展为32KB32KB。分析:由于没有指定SRAMSRAM的具体型号,外部数据存储器扩展为32KB32KB有多种设计
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- 工学 单片机 原理 应用 课件
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