石墨烯的特性制备及应用幻灯片.ppt
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1、石墨石墨烯的特性制的特性制备及及应用用第1页,共47页,编辑于2022年,星期二目录1、简介简介2、特性、特性3、制备方法制备方法4、应用前景应用前景第2页,共47页,编辑于2022年,星期二1、简介 2010年年10月月5日,瑞典皇家科学院在斯德哥尔摩宣布,将日,瑞典皇家科学院在斯德哥尔摩宣布,将2010年诺贝尔物理年诺贝尔物理学奖授予英国曼彻斯特大学学奖授予英国曼彻斯特大学的两位的两位科学家科学家安德烈安德烈海姆和康斯坦丁海姆和康斯坦丁诺沃肖洛夫,诺沃肖洛夫,以表彰他们在石墨烯材料方面的卓越研究以表彰他们在石墨烯材料方面的卓越研究。第3页,共47页,编辑于2022年,星期二1、简介 200
2、4年,两位科学家通过使用胶带反复剥离石墨的方法在绝缘基底上获得了单层或少层的年,两位科学家通过使用胶带反复剥离石墨的方法在绝缘基底上获得了单层或少层的石墨烯并研究其电学性能,发现其具有特殊的电子特性以及优异的电学、力学、热学和光学性石墨烯并研究其电学性能,发现其具有特殊的电子特性以及优异的电学、力学、热学和光学性能,从而掀起了石墨烯应用研究的热潮。能,从而掀起了石墨烯应用研究的热潮。第4页,共47页,编辑于2022年,星期二1、简介 石墨烯是一种由碳原子以石墨烯是一种由碳原子以sp2杂化连接形成的单原子层二维晶体,其厚度为杂化连接形成的单原子层二维晶体,其厚度为0.335nm,碳原子规整的排列
3、于蜂窝状点阵结构单元之中。电子显微镜下观测的,碳原子规整的排列于蜂窝状点阵结构单元之中。电子显微镜下观测的石墨烯片,其碳原子间距仅石墨烯片,其碳原子间距仅0.142纳米。纳米。“二维结构二维结构”从想象到现实从想象到现实第5页,共47页,编辑于2022年,星期二1、简介 石墨烯可看作是其他维数碳质材料的基本构建模块,它可以被包成零维的富勒烯,石墨烯可看作是其他维数碳质材料的基本构建模块,它可以被包成零维的富勒烯,卷成一维的碳纳米管或堆叠成三维的石墨。卷成一维的碳纳米管或堆叠成三维的石墨。第6页,共47页,编辑于2022年,星期二2、特性“最强性能最强性能”有许多有许多最薄最轻载流子迁移率最高电
4、阻率最低强度最大最坚硬导热率最高厚0.335nm,比表面积为2630m2/g室温下为20万cm2/Vs(硅的100倍)约为10-6cm(比铜和银更低)破坏强度:42N/m(结构钢的200倍)30005000W/mK(硅的50倍)第7页,共47页,编辑于2022年,星期二2、特性 单层石墨烯的价带与导带相交于布里渊区的六单层石墨烯的价带与导带相交于布里渊区的六个顶点,这些顶点就是狄拉克点。由此,我们发现个顶点,这些顶点就是狄拉克点。由此,我们发现石墨烯是一种特殊能带结构的零带隙半导体材料。石墨烯是一种特殊能带结构的零带隙半导体材料。低电阻率低电阻率高迁移率高迁移率高迁移速度高迁移速度半整数量子霍
5、尔效应半整数量子霍尔效应2.1 电学特性电学特性石墨烯三维能带结构图石墨烯三维能带结构图第8页,共47页,编辑于2022年,星期二2.2 力学特性力学特性 2008年,美国哥伦比亚大学两名华裔科学家韦年,美国哥伦比亚大学两名华裔科学家韦小丁和李昌钴研究发现,石墨烯是至今测量过的强度小丁和李昌钴研究发现,石墨烯是至今测量过的强度最大的材料,比结构刚的强度要高最大的材料,比结构刚的强度要高200倍。倍。2013年,该研究团队发现即使是存在缺陷的石年,该研究团队发现即使是存在缺陷的石墨烯仍然是目前已知的强度最高的材料。完全由缝墨烯仍然是目前已知的强度最高的材料。完全由缝合晶界组成的石墨烯薄膜能保持超
6、高强度,这是石合晶界组成的石墨烯薄膜能保持超高强度,这是石墨烯在柔性电子和加强件等领域大量应用的关键。墨烯在柔性电子和加强件等领域大量应用的关键。2、特性第9页,共47页,编辑于2022年,星期二2.3 热学特性热学特性(1)石墨烯的导热率高达石墨烯的导热率高达5300Wm-1K-1,是铜的,是铜的2倍和硅的倍和硅的50倍;倍;(2)单层石墨烯的导热率与片层宽带、缺陷密度和边缘粗糙度密切相关;单层石墨烯的导热率与片层宽带、缺陷密度和边缘粗糙度密切相关;(3)石墨稀片层沿平面方向导热具有各向异性的特点;石墨稀片层沿平面方向导热具有各向异性的特点;(4)在室温以上,导热率随着温度的增加而逐渐减小。
7、在室温以上,导热率随着温度的增加而逐渐减小。2、特性第10页,共47页,编辑于2022年,星期二2.4 光学特性光学特性 2008年,年,Nair等人发现石墨烯在等人发现石墨烯在近红外和可见光波段具有极佳的光透射近红外和可见光波段具有极佳的光透射性。他们将悬浮的石墨烯薄膜覆盖在几性。他们将悬浮的石墨烯薄膜覆盖在几十个十个m量级的孔洞上,发现单层石墨量级的孔洞上,发现单层石墨烯的透光率可达烯的透光率可达97.7%,而且透光,而且透光率随着层数的增加呈线性减少的率随着层数的增加呈线性减少的趋势。趋势。不同层数石墨烯的透射光谱不同层数石墨烯的透射光谱2、特性第11页,共47页,编辑于2022年,星期
8、二3、制备方法机械剥离法化学气相沉积法SiC热分解法氧化石墨烯还原法石墨烯制备方法第12页,共47页,编辑于2022年,星期二3、制备方法3.1 机械剥离法机械剥离法 机械剥离法,是一种反复在石墨上粘贴并揭下粘合胶带来制备石墨烯的方法,缺点是很机械剥离法,是一种反复在石墨上粘贴并揭下粘合胶带来制备石墨烯的方法,缺点是很难控制所获得的石墨烯片的大小及层数。而且只能勉强获得数难控制所获得的石墨烯片的大小及层数。而且只能勉强获得数mm见方的石墨烯片。其优点是,见方的石墨烯片。其优点是,可以获得采用其他方法时无法实现的极高品质石墨烯片。还有人指出,可以获得采用其他方法时无法实现的极高品质石墨烯片。还有
9、人指出,“正是因为机械剥离法的出现才正是因为机械剥离法的出现才使石墨烯的分离研究在短时间内取得了进展使石墨烯的分离研究在短时间内取得了进展”。第13页,共47页,编辑于2022年,星期二3、制备方法3.2 化学气相沉积法化学气相沉积法 另外,制造大面积石墨烯膜也已成为可能。采用的方法是化学气相沉积法。这是在真空另外,制造大面积石墨烯膜也已成为可能。采用的方法是化学气相沉积法。这是在真空容器中将甲烷等碳源加热至容器中将甲烷等碳源加热至1000左右使其分解,然后在左右使其分解,然后在Ni及及Cu等金属箔上形成石墨烯膜的技等金属箔上形成石墨烯膜的技术。术。2010 年年6 月韩国成均馆大学与三星电子
10、等宣布,开发出了可制备月韩国成均馆大学与三星电子等宣布,开发出了可制备30 英寸单层石墨烯膜的制造工艺英寸单层石墨烯膜的制造工艺以及采用这种石墨烯膜的触摸面板,这一消息让石墨烯研究人员及技术人员感到十分吃惊。不过,在以及采用这种石墨烯膜的触摸面板,这一消息让石墨烯研究人员及技术人员感到十分吃惊。不过,在1000高温下采用的工艺只能以分批处理的方式推进,这是该制造工艺的瓶颈。而且这高温下采用的工艺只能以分批处理的方式推进,这是该制造工艺的瓶颈。而且这种工艺还存在反复转印的过程中容易混入缺陷及杂质的问题。种工艺还存在反复转印的过程中容易混入缺陷及杂质的问题。第14页,共47页,编辑于2022年,星
11、期二3、制备方法3.3 SiC热分解法热分解法 SiC 基板的热分解法是,将基板的热分解法是,将SiC 基板加热至基板加热至1300左右后除去表面的左右后除去表面的Si,剩余的,剩余的C自发性自发性重新组合形成石墨烯片的工艺。重新组合形成石墨烯片的工艺。IBM 公司公司2010 年年1 月将原来的机械剥离法改为这种方法制作了石月将原来的机械剥离法改为这种方法制作了石墨烯墨烯FET。其优点是。其优点是“不会受原来不会受原来SiC基板上存在的若干凹凸的影响,可像从上面铺设地毯一基板上存在的若干凹凸的影响,可像从上面铺设地毯一样形成石墨烯片样形成石墨烯片”。而其存在的课题是,需要非常高的处理温度,石
12、墨烯片的尺寸不易达到。而其存在的课题是,需要非常高的处理温度,石墨烯片的尺寸不易达到数数m 见方以上,而且很难转印至其他基板,只能使用昂贵的见方以上,而且很难转印至其他基板,只能使用昂贵的SiC 基板。基板。第15页,共47页,编辑于2022年,星期二3、制备方法3.4 氧化石墨烯还原法氧化石墨烯还原法 第第4 种制作工艺是三菱气体化学种制作工艺是三菱气体化学2000 年开发的氧化石墨烯法。这种方法首先使石墨粉氧化,年开发的氧化石墨烯法。这种方法首先使石墨粉氧化,然后放入溶液内溶化,在基板上涂上薄薄的一层后再使其还原。目前,这种方法用于制作大面积然后放入溶液内溶化,在基板上涂上薄薄的一层后再使
13、其还原。目前,这种方法用于制作大面积透明导电膜以及采用涂布工艺制作的透明导电膜以及采用涂布工艺制作的TFT。尽管该工艺的温度较低而且方法简单,但由于采用折。尽管该工艺的温度较低而且方法简单,但由于采用折叠多个数十叠多个数十nm 见方断片的构造,而且不能完全还原,因此存在的课题是很难确保充分的导电性及见方断片的构造,而且不能完全还原,因此存在的课题是很难确保充分的导电性及透明性。透明性。第16页,共47页,编辑于2022年,星期二3、制备方法石墨烯产品最终能否抢占硅材料产品地位,取决于其能否实现工业化标准化生产量产化进一步改进CVD法或开发新的制备工艺制备所要求基板的大面积石墨烯大面积如何在所要
14、求的基板或位置 制作出不含缺陷及杂质的高品质的任意层数的石墨烯高品质 工艺课题第17页,共47页,编辑于2022年,星期二4、应用前景 许多研究机构及厂商已开始以具备多项穿透特性的单层石墨烯为研究对象,研发许多研究机构及厂商已开始以具备多项穿透特性的单层石墨烯为研究对象,研发新一代器件的实用化,其应用领域从原子尺寸扩大到宇宙。新一代器件的实用化,其应用领域从原子尺寸扩大到宇宙。第18页,共47页,编辑于2022年,星期二4.1 晶体管晶体管 (1)我们可以利用石墨烯的高载流子迁移率及高迁移速度制作)我们可以利用石墨烯的高载流子迁移率及高迁移速度制作THz频率的高频率的高速动作型速动作型RF电路
15、用晶体管,理论上估计其工作频率可达到电路用晶体管,理论上估计其工作频率可达到10THz。(2)我们正在寻找打开石墨烯带隙的方法,从而可以用石墨烯制作逻辑电路。)我们正在寻找打开石墨烯带隙的方法,从而可以用石墨烯制作逻辑电路。4、应用前景第19页,共47页,编辑于2022年,星期二4.1.1 高速晶体管高速晶体管 世界上许多公司及大学都致力于石墨烯高速晶体管的开发,其原因之一在于如果开发世界上许多公司及大学都致力于石墨烯高速晶体管的开发,其原因之一在于如果开发出以出以THz频率工作的晶体管,就能够使迄今在技术方面有很大不同的电子和光子,也就是电和光的控制频率工作的晶体管,就能够使迄今在技术方面有
16、很大不同的电子和光子,也就是电和光的控制技术实现无缝连接。技术实现无缝连接。时间单位栅长截止频率2008年12月IBM150nm26GHz2010年09月UCLA144nm300GHz2010年12月SAIT180nm202GHz2010年12月IBM240nm230GHz4.1 晶体管晶体管 4、应用前景第20页,共47页,编辑于2022年,星期二 2010年年12月,月,IBM在举行的国际会议在举行的国际会议IEDM 2010上首次透露了采用双层石墨烯在室温下上首次透露了采用双层石墨烯在室温下实现实现3.2104这一最大开关比的可能性。这一最大开关比的可能性。2012年年6月,三星先进技术
17、研究院(月,三星先进技术研究院(SAIT)声明开发出一种器件,通过调节栅极电压控制石墨烯)声明开发出一种器件,通过调节栅极电压控制石墨烯-硅肖特基势垒实现硅肖特基势垒实现105的开关速度。的开关速度。2012年年12月月11日,日本产业技术综合研究所和物质材料研究机构宣布开发出了日,日本产业技术综合研究所和物质材料研究机构宣布开发出了4端子石墨烯端子石墨烯晶体管,电流开关比达到晶体管,电流开关比达到2.54104。2013年年5月,麻省理工学院的研究人员们将六方氮化硼和单层石墨烯结合在一起,最终月,麻省理工学院的研究人员们将六方氮化硼和单层石墨烯结合在一起,最终得到的混合材料既有石墨烯的导电特
18、性,还终于具备了建造晶体管所必需的能隙。得到的混合材料既有石墨烯的导电特性,还终于具备了建造晶体管所必需的能隙。2013年年6月,英国曼彻斯特大学月,英国曼彻斯特大学Irina Grigorieva博士于发表的一份报告中显示,在石墨烯博士于发表的一份报告中显示,在石墨烯中创建基本磁矩,然后可以切换和关闭它们。中创建基本磁矩,然后可以切换和关闭它们。4.1.2 打开带隙的方法:打开带隙的方法:4.1 晶体管晶体管 4、应用前景第21页,共47页,编辑于2022年,星期二4.2 触摸面板触摸面板 现有手机触摸屏的工作层中不可缺少的材料为陶瓷材料氧化铟锡(现有手机触摸屏的工作层中不可缺少的材料为陶瓷
19、材料氧化铟锡(ITO)。由于其透。由于其透明性与导电性的优秀结合,明性与导电性的优秀结合,ITO被广泛地应用于电子器件。然而被广泛地应用于电子器件。然而ITO在使用过程中也存在一些在使用过程中也存在一些缺点,包括:缺点,包括:(1)铟的价格持续上涨,使得)铟的价格持续上涨,使得ITO成为日益昂贵的材料;成为日益昂贵的材料;(2)ITO易脆的性质使其不能满足一些新应用(例如可弯曲的易脆的性质使其不能满足一些新应用(例如可弯曲的LCD、有机太阳能电池)的、有机太阳能电池)的性能要求;性能要求;(3)ITO的制备方法(例如喷镀、蒸发、脉冲激光沉积、电镀)费用高昂。的制备方法(例如喷镀、蒸发、脉冲激光
20、沉积、电镀)费用高昂。虽然石墨烯透明导电薄膜的研究还在初期阶段,但是石墨烯在许多方面比虽然石墨烯透明导电薄膜的研究还在初期阶段,但是石墨烯在许多方面比ITO 具有更多潜在的具有更多潜在的优势,例如质量、坚固性、柔韧性、化学稳定性、红外透光性和价格等。因此采用石墨烯制备优势,例如质量、坚固性、柔韧性、化学稳定性、红外透光性和价格等。因此采用石墨烯制备透明导电薄膜是很有前景的一项工作。透明导电薄膜是很有前景的一项工作。4、应用前景第22页,共47页,编辑于2022年,星期二 一般来说,高透明性与高导电性是互为相反的性质。从这一点来看,一般来说,高透明性与高导电性是互为相反的性质。从这一点来看,IT
21、O 正好处在透明性与导电性微妙的正好处在透明性与导电性微妙的此消彼长关系的边缘线上。这也是超越此消彼长关系的边缘线上。这也是超越ITO 的替代材料迟迟没有出现的原因。的替代材料迟迟没有出现的原因。石墨烯的载流子迁移率非常高,但是载流子密度却较低。虽然这样会比较容易穿过更大波长范围的光,但石墨烯的载流子迁移率非常高,但是载流子密度却较低。虽然这样会比较容易穿过更大波长范围的光,但是也会导致导电性下降。是也会导致导电性下降。4.2 触摸面板触摸面板4、应用前景第23页,共47页,编辑于2022年,星期二 2013年年1月月30日,东芝在国际纳米技术展会日,东芝在国际纳米技术展会“nano tech
22、 2013”上展出了利用涂覆工艺将石墨烯和银上展出了利用涂覆工艺将石墨烯和银纳米线成膜制成的透明导电膜。纳米线成膜制成的透明导电膜。东芝利用银纳米线的高导电性和石墨烯的出色阻隔性能,制作出了此次的透明导电膜,同时东芝利用银纳米线的高导电性和石墨烯的出色阻隔性能,制作出了此次的透明导电膜,同时实现透明导电膜的高性能和高耐久性。实现透明导电膜的高性能和高耐久性。4.2 触摸面板触摸面板4、应用前景第24页,共47页,编辑于2022年,星期二 2012年,常州二维碳素科技有限公司成功研制全球首款手机用石墨烯电容触摸屏。年,常州二维碳素科技有限公司成功研制全球首款手机用石墨烯电容触摸屏。2013年,该
23、公司年产年,该公司年产3万平方米的石墨烯透明导电薄膜生产线正式投产,这是目前公开报道的全球万平方米的石墨烯透明导电薄膜生产线正式投产,这是目前公开报道的全球最大规模的生产线。最大规模的生产线。4.2 触摸面板触摸面板4、应用前景第25页,共47页,编辑于2022年,星期二 2013年年1月月24日,中科院重庆研究院正式公开宣布,该院已经在铜箔衬底上生长出日,中科院重庆研究院正式公开宣布,该院已经在铜箔衬底上生长出15英寸的均匀单层英寸的均匀单层石墨烯石墨烯,并成功将其完整地转移到柔性并成功将其完整地转移到柔性PET衬底上和其他基底表面衬底上和其他基底表面,并且通过进一步应用并且通过进一步应用,
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