物性型传感器.pptx
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1、第3章物性型传感器3.1压电式传感器3.2光电式传感器3.3霍尔式传感器3.4磁电式传感器3.5超声波传感器3.6核辐射传感器第1页/共92页3.1压电式传感器某些电介质在沿一定方向上受到外力的作用而发生变形时,内部会产生极化现象,同时在其表面上产生电荷,当外力去掉后,电介质表面又重新回到不带电的状态,这种现象称为压电效应。反之,这些电介质在极化方向上施加交变电场,它会产生机械变形,当去掉外加电场后,电介质变形随之消失,这种现象称为逆压电效应。在自然界中大多数晶体具有压电效应,但压电效应十分微弱。随着对材料的深入研究,发现石英晶体、钛酸钡和锆钛酸铅等材料是性能优良的压电材料。现以石英晶体为例,
2、简要说明压电效应的机理。第2页/共92页3.1压电式传感器图3-1石英晶体a)天然结构的石英晶体外形b)晶体切片c)晶片结构a晶体切片长度b晶体切片厚度c晶体切片高度x电轴y机械轴z光轴第3页/共92页3.1压电式传感器图3-2石英晶体压电模型a)不受力b)x轴方向受力c)y轴方向受力第4页/共92页3.1压电式传感器由压电元件的工作原理可知,压电式传感器可以看做一个电荷发生器。同时,它也是一个电容器,晶体上聚集正负电荷的两表面相当于电容的两个极板,极板间物质等效于一种介质,则其电容量Ca为图3-3压电传感器的等效电路a)电压源b)电荷源第5页/共92页3.1压电式传感器图3-4压电传感器的实
3、际等效电路a)电压源实际等效电路b)电荷源实际等效电路第6页/共92页3.1压电式传感器图3-5电荷放大器等效电路第7页/共92页3.1压电式传感器压电式传感器本身的内阻抗很高,而输出能量很小,因此它的测量电路通常需要接入一个高输入阻抗的前置放大器,其作用为:一是把压电式传感器的高输出阻抗变换为低输出阻抗;二是放大传感器输出的微弱信号。压电式传感器的输出可以是电压信号,也可以是电荷信号,因此前置放大器也有电压放大器和电荷放大器两种形式。由于电压前置放大器中的输出电压与屏蔽电缆的分布电容及放大器的输入电容有关,故目前多采用性能较稳定的电荷前置放大器。1.压电式单向测力传感器图3-6是压电式单向测
4、力传感器结构图,它主要由石英晶片、绝缘套、电极、上盖及基座等组成。第8页/共92页3.1压电式传感器图3-6压电式单向测力传感器结构图1绝缘套2石英晶片3上盖4基座5电极第9页/共92页3.1压电式传感器2.压电式加速度传感器图3-7是压电式加速度传感器结构图。F=ma(37)3.压电式金属加工切削力测量图3-8是利用压电陶瓷传感器测量刀具切削力的示意图。图3-7压电式加速度传感器结构图1螺栓2压电元件3预压弹簧4外壳5质量块6基座第10页/共92页3.1压电式传感器1.tif3Z8.TIF第11页/共92页3.1压电式传感器图3-8压电式刀具切削力测量示意图1压电式传感器2输出信号1.工作原
5、理“一拍亮”延时小夜灯的电路如图3-9所示,它实际上是一个“声控延时小夜灯”电路。第12页/共92页3.1压电式传感器图3-9“一拍亮”延时小夜灯的电路2.元器件选择第13页/共92页3.1压电式传感器1)IC选用静态功耗很小的CMOS时基集成电路,如5G7555或ICM7555等。2)VT1、VT2均选用9014或3DG8型硅NPN小功率晶体管。3)R1R5均用RTX1/8W型碳膜电阻。4)C用漏电很小的CD1110V型电解电容。5)B用27mm压电陶瓷片,如FT27型等,要求配上简易塑料或金属共振腔盒。6)H用手电筒常用的3.8V、0.3A指示灯(三节电池供电的手电筒专用)。7)GB用三节
6、5号电池串联(须配塑料电池架)而成,电压4.5V。第14页/共92页3.1压电式传感器图3-10“一拍亮”延时小夜灯的印制电路板焊接图3.制作与使用图3-10所示为“一拍亮”延时小夜灯的印制电路板第15页/共92页3.1压电式传感器焊接图,印制电路板实际尺寸约为50mm30mm。全部电路可装入一体积合适的市售塑料动物玩具或其他造型的工艺品硬壳体内,以起到装饰美化作用。第16页/共92页3.2光电式传感器光电器件工作的物理基础是光电效应。通常把光电效应分为外光电效应、内光电效应和光生伏特效应三类:1.外光电效应在光线作用下能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应,基于外光电效应的光电元件有光电管
7、、光电倍增管和光电摄像管等。2.内光电效应在光线作用下能使物体的电阻率改变的现象称为内光电效应,基于内光电效应的光电元件有光敏电阻、光敏晶体管等。3.光生伏特效应在光线作用下能使物体产生一定方向的电动势的现象称为光生伏特效应,基于光生伏特效应的光电元件有光电池等。第17页/共92页3.2光电式传感器1.光电管以外光电效应原理制作的光电管的结构由真空管、光电阴极K和光电阳极A组成,其符号及基本工作电路如图3-11所示。1.tif第18页/共92页3.2光电式传感器3Z11.TIF第19页/共92页3.2光电式传感器图3-11光电管符号及基本工作电路3Z12.TIF第20页/共92页3.2光电式传
8、感器图3-12光电管的光电特性2.光敏电阻光敏电阻又称光导管,是基于内光电效应工作的。图3-13光敏电阻的结构原理1电源2金属电极3半导体4玻璃底板5检流计第21页/共92页3.2光电式传感器(1)光敏电阻的主要参数1)暗电阻。2)亮电阻。3)光电流。(2)光敏电阻的基本特性1)伏安特性。2)光谱特性。图3-14硫化镉光敏电阻的伏安特性第22页/共92页3.2光电式传感器图3-15几种不同材料光敏电阻的光谱特性3)温度特性。第23页/共92页3.2光电式传感器图3-16硫化铅光敏电阻的光谱温度特性3.光敏半导体管第24页/共92页3.2光电式传感器(1)光敏半导体管的种类光敏二极管、光敏晶体管
9、、光敏晶闸管等统称为光敏半导体管,它们的工作原理都是基于内光电效应的。1)光敏二极管的结构与一般二极管相似,它的PN结设置在透明管壳顶部的正下方,可以直接受到光的照射。图3-17光敏二极管a)外形图b)结构简化图c)图形符号第25页/共92页3.2光电式传感器2)光敏晶体管有PNP型和NPN型两种,它的结构、等效电路、图形符号及应用电路如图3-19所示。图3-18光敏二极管的反向偏置接法第26页/共92页3.2光电式传感器图3-19光敏晶体管a)结构b)等效电路c)图形符号d)应用电路e)达林顿光敏晶体管3)光敏晶闸管也称为光控晶闸管,它是由PNPN四层半导体构成,其工作原理可用光敏二极管和普
10、通晶闸管的工作原理解释,它的导通电流比光敏晶体管大得多,工作电压有的可达数百伏,因此输出功率大,主要用于光控开关电路及光耦合电路器中。第27页/共92页3.2光电式传感器(2)光敏半导体管的基本特性1)光谱特性。2)伏安特性。3)光电特性。4)温度特性。图3-20光敏半导体管的伏安特性a)光敏二极管的伏安特性b)光敏晶体管的伏安特性第28页/共92页3.2光电式传感器5)响应时间。4.光电池光电池的工作原理是基于光生伏特效应的。图3-21光电池a)光电池结构示意图b)符号第29页/共92页3.2光电式传感器(1)结构及工作原理如图3-21所示,光电池实质上是一个大面积的PN结,当光照射到PN结
11、的一个面,例如P型面时,若光子能量大于半导体材料的禁带宽度,那么P型区每吸收一个光子就产生一对自由电子和空穴,电子-空穴对从表面向内迅速扩散,在结电场的作用下,最后建立一个与光照强度有关的电动势。(2)基本特性1)光谱特性。2)光照特性。图3-22硅光电池的开路电压和短路电流与当照的关系曲线第30页/共92页3.2光电式传感器3)温度特性。4)频率特性。1.火焰探测报警器图3-23是采用硫化铅光敏电阻为探测元件的火焰探测器电路。1.tif第31页/共92页3.2光电式传感器3Z23.TIF第32页/共92页3.2光电式传感器图3-23火焰探测报警器电路2.燃气热水器中的脉冲点火控制器由于煤气是
12、易燃、易爆气体,所以对燃气器具中的点火控制器的要求是安全、稳定和可靠。第33页/共92页3.2光电式传感器燃气热水器中的脉冲点火控制器原理如图324所示。在高压打火时,火花电压可达一万多伏,这个脉冲高电压对电路工作影响极大。为保证电路正常工作,采用光耦合器VB进行电平隔离,大大增强了电路抗干扰能力。当高压打火针对打火确认针放电时,光耦合器VB中的发光二极管发光,耦合器中的光敏晶体管导通,经VT1、VT2、VT3放大,驱动强吸电磁阀,将气路打开,燃气碰到火花即燃烧。若高压打火针与打火确认针之间不放电,则光耦合器VB不工作,VT1等不导通,燃气阀门关闭。1.tif第34页/共92页3.2光电式传感
13、器图3-24燃气热水器中的脉冲点火控制器原理3.光电转速传感器图3-25a是在待测转速的轴上固定一个带孔的转速调置盘,在调置盘一边由白炽灯产生恒定光,第35页/共92页3.2光电式传感器透过盘上小孔到达光敏二极管组成的光电转换器上,转换成相应的电脉冲信号,经过放大整形电路输出整齐的脉冲信号,转速由该脉冲频率决定。图3-25光电数字式转速表的工作原理a)透射式转速表b)反射式转速表第36页/共92页3.2光电式传感器1.工作原理天明提醒器原理如图3-26所示。2.元器件选择1)KD-154B集成电路。2)光敏电阻RG选用5mm系列的GL5649D。3)B采用KLJ-5020型贴片蜂鸣器。4)GB
14、用两节5号电池串联。5)R选用20k、RTX-1/8W型碳膜电阻。6)BL选用8、25W扬声器。7)开关可选用废弃设备上的小的按键开关。3.制作与安装(1)制作按照图3-27所示制作好电路板。第37页/共92页3.2光电式传感器图3-26天明提醒器原理第38页/共92页3.2光电式传感器1.tif3Z27.TIF第39页/共92页3.2光电式传感器图3-27天明提醒器印制电路板(2)安装将电路板装入一个小收音机壳体内,用烙铁将电源线焊到收音机的电源端,装入两节5号电池即可。(3)使用使用时,将装好的提醒器放置到重要的文件柜内,一旦有人打开柜子,就会发出蜂鸣报警。第40页/共92页3.3霍尔式传
15、感器图3-28霍尔效应原理图第41页/共92页3.3霍尔式传感器1.工作原理将半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场(磁场方向垂直于薄片)中,如图3-28所示,当有电流I流过薄片时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势UH,这种现象称为霍尔效应。假设薄片为N型半导体,在其左右两端通以电流I(称为控制电流),那么半导体中的载流子(电子)将沿着与电流I相反的方向运动。由于外磁场B的作用,使电子受到洛仑兹力FL作用而发生偏转,结果在半导体的后端面上电子有所积累。而前端面缺少电子,因此后端面带负电,前端面带正电,在前后端面间形成电场。该电场产生的电场力FE阻止电子继续偏转。当FE与FL相等时,电子积累达
16、到动态平衡。这时,在半导体前后两端面之间(即垂直于电流和磁场方向)建立电场,称为霍尔电场EH,相应的电动势就称为霍尔电动势UH。第42页/共92页3.3霍尔式传感器2.特性参数(1)输入电阻Ri霍尔元件两激励电流端的直流电阻称为输入电阻。(2)输出电阻Ro两个霍尔电动势输出端之间的电阻称为输出电阻,它的数值与输入电阻属同一数量级,它也随温度改变而改变。(3)额定激励电流Im由于霍尔电动势随激励电流增大而增大,故在应用中总希望选用较大的激励电流。(4)灵敏度kHkH=UH/(IB),它的数值约为10MV/(mAT)。(5)最大磁感应强度BM磁感应强度为BM时,霍尔电动势的非线性误差将明显增大,B
17、M一般为零点几特斯拉。第43页/共92页3.3霍尔式传感器(6)不等位电动势在额定激励电流下,当外加磁场为零时,霍尔元件输出端之间的开路电压称为不等位电动势,它是由于四个电极的几何尺寸不对称引起的,使用时多采用电桥法来补偿不等位电动势引起的误差。(7)霍尔电动势温度系数在一定磁场强度和激励电流的作用下,温度每变化1时霍尔电动势变化的百分数称为霍尔电动势温度系数,它与霍尔元件的材料有关,一般约为0.1%/。1.霍尔元件的材料及结构根据霍尔效应原理做成的器件称为霍尔元件。第44页/共92页3.3霍尔式传感器霍尔元件的外形、结构和符号如图329所示。霍尔元件的结构很简单,由霍尔片、四条引线和壳体组成
18、。霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片(一般为4mm2mm01mm)。在它的长度方向两端面上焊有两根引线(见图329b中1、1线),称为控制电流端引线,通常用红色导线。其焊接处称为控制电流极(或称激励电极),要求焊接处接触电阻很小,即欧姆接触(无PN结特性)。在薄片的另两侧端面的中间以点的形式对称地焊有两根霍尔输出端引线(见图329b中2、2线),通常用绿色导线。其焊接处称为霍尔电极,要求欧姆接触,且电极宽度与长度之比要小于01,否则影响输出。霍尔元件的壳体是用非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装。霍尔元件在电路中的图形符号如图329c所示。第45页/共92页3.3霍尔式传感器图3-29霍尔元件a)外形b
19、)结构c)符号2.基本电路霍尔元件的基本测量电路如图3-30所示。第46页/共92页3.3霍尔式传感器图3-30霍尔元件的基本测量电路第47页/共92页3.3霍尔式传感器3.集成霍尔元件随着微电子技术的发展,目前霍尔元件多已集成化。图3-31线性型集成霍尔元件a)外形尺寸b)内部电路框图c)输出特性第48页/共92页3.3霍尔式传感器图3-32开关型集成霍尔元件a)外形尺寸b)内部电路框图c)输出特性由于霍尔元件存在对磁场的敏感作用而被广泛应用,归纳起来主要有三个方面。第49页/共92页3.3霍尔式传感器1)当控制电流不变,使传感器处于非均匀磁场时,传感器的输出正比于磁感应强度,可反映位置、角
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