第3章材料的磁学精选文档.ppt
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1、第3章材料的磁学本讲稿第一页,共五十二页u u 磁性与磁学磁性与磁学磁性与磁学磁性与磁学 磁性是原子及物质最基本的属性之一。广义上,一切原子磁性是原子及物质最基本的属性之一。广义上,一切原子及物质均具有及物质均具有“磁性磁性”。材料的磁学:材料的磁学:研究和阐明固体材料磁性起源、磁性结构及其联研究和阐明固体材料磁性起源、磁性结构及其联系的学科系的学科,促进对材料磁性的利用和开发。,促进对材料磁性的利用和开发。u u 磁性材料磁性材料磁性材料磁性材料 基于材料磁学原理,开发的一类基础性功能材料。基于材料磁学原理,开发的一类基础性功能材料。磁性材磁性材料已经形成了一个庞大的家族,料已经形成了一个庞
2、大的家族,按材料的磁特性来划分,有软磁、按材料的磁特性来划分,有软磁、永磁、旋磁、记忆磁、压磁等;永磁、旋磁、记忆磁、压磁等;按材料构成来划分,按材料构成来划分,有合金磁性材料,有合金磁性材料,铁氧体磁性材料铁氧体磁性材料。本讲稿第二页,共五十二页本讲稿第三页,共五十二页3.1 原子磁性及材料磁性原子磁性及材料磁性1.原子的磁性原子的磁性本讲稿第四页,共五十二页JJ耦合耦合:各电子的各电子的L、S相互作用强,先相互作用强,先耦合为该电子的总磁矩,再叠加为耦合为该电子的总磁矩,再叠加为原子总磁矩原子总磁矩;(Z88)JJ+LS (Z=3388)LS耦合耦合:各电子的各电子的L、S相互作用弱,先相
3、互作用弱,先各自耦合为总各自耦合为总L、总、总S,再叠加为原子总磁,再叠加为原子总磁矩矩;(Z0,交换能最小,要求相邻自旋角动量平行排列,即磁距自发磁交换能最小,要求相邻自旋角动量平行排列,即磁距自发磁化(铁磁性);当化(铁磁性);当J0,要求反向排列(反铁磁性)要求反向排列(反铁磁性)其它条件:其它条件:P304本讲稿第二十五页,共五十二页7.2.3 7.2.3 磁畴与自发磁化磁畴与自发磁化(1)磁畴磁畴 自发磁化(固有磁距平行)源于交换耦合(能)。自发磁化(固有磁距平行)源于交换耦合(能)。交换作用使整个晶体自发磁化到饱和,磁化强度方向沿交换作用使整个晶体自发磁化到饱和,磁化强度方向沿着晶
4、体内的易磁化轴,使着晶体内的易磁化轴,使磁晶体内交换能磁晶体内交换能和和磁晶各向异性能磁晶各向异性能都达到极小值。但必然在其端面处产生磁极,产生退磁场,从而都达到极小值。但必然在其端面处产生磁极,产生退磁场,从而增加了增加了退磁能退磁能。这个退磁能将要破坏已经形成的自发磁化。这个退磁能将要破坏已经形成的自发磁化。两个矛盾相互作用使大磁畴分割为小磁畴,以减少退磁能,两个矛盾相互作用使大磁畴分割为小磁畴,以减少退磁能,分畴减小了分畴减小了退磁能退磁能,但增加了,但增加了畴壁能畴壁能,故过程将终止于,故过程将终止于二者的二者的平衡平衡。自发磁化自发磁化分分 畴畴不分畴不分畴本讲稿第二十六页,共五十二
5、页 (a)图是整个晶体均匀磁化,退磁图是整个晶体均匀磁化,退磁场能最大场能最大。分为两个或四个平行反向的。分为两个或四个平行反向的自发磁化的区域自发磁化的区域(b),(C)可以大大减少可以大大减少退磁能。退磁能。如果分为如果分为n个磁畴,能量减少个磁畴,能量减少1/n,但是但是相邻磁畴壁的存在,又增加了一部分畴壁能。相邻磁畴壁的存在,又增加了一部分畴壁能。因此自发磁化区域因此自发磁化区域(磁畴磁畴)的形成不可能是无的形成不可能是无限的,而是畴壁能与退磁场能的和为极小值限的,而是畴壁能与退磁场能的和为极小值为条件。为条件。形成如图形成如图d,e的封闭畴将进一步降的封闭畴将进一步降低退磁能,但是封
6、闭畴中的磁化强度低退磁能,但是封闭畴中的磁化强度方向垂直单轴各向异性方向,因此将方向垂直单轴各向异性方向,因此将增加各向异性能。增加各向异性能。钴单晶磁畴的形成过程钴单晶磁畴的形成过程本讲稿第二十七页,共五十二页 相邻的两个磁畴内的磁化强度方向常常是反平行或相互垂直,称相邻的两个磁畴内的磁化强度方向常常是反平行或相互垂直,称为为1800畴壁畴壁和和900畴壁畴壁,在畴壁中磁化矢量是逐步转变的。举,在畴壁中磁化矢量是逐步转变的。举1800畴壁为例,畴壁为例,畴壁交换能畴壁交换能:交换能的面密度:交换能的面密度:a为晶格常数,为晶格常数,Na畴壁厚畴壁厚 磁晶各向异性能密度磁晶各向异性能密度:畴壁
7、总能密度:畴壁总能密度:(2)磁畴壁)磁畴壁 退退 磁磁 能密度能密度:突然反转:突然反转:逐渐转向:逐渐转向:本讲稿第二十八页,共五十二页求能量极小值求能量极小值最佳层数最佳层数对于铁的对于铁的1800畴壁畴壁,0=1800=,得到,得到对铁对铁尔格尔格/厘米厘米2得到得到本讲稿第二十九页,共五十二页 单畴颗粒单畴颗粒:当磁性材料小到某一尺寸,以至于形成单畴的退磁能小于当磁性材料小到某一尺寸,以至于形成单畴的退磁能小于形成多畴的畴壁能时,磁性材料就以单畴(整畴)存在形成多畴的畴壁能时,磁性材料就以单畴(整畴)存在 一个球形的铁磁颗粒的退磁能为一个球形的铁磁颗粒的退磁能为如分为四个畴,畴壁能为
8、如分为四个畴,畴壁能为能量平衡条件:能量平衡条件:单畴临界半径:单畴临界半径:严格解:严格解:S 颗粒表面积,颗粒表面积,a0为晶格常数。为晶格常数。Z对对于简单立方,体心立方,面心立方,分别于简单立方,体心立方,面心立方,分别为为1、2、4。(a)分畴 (b)不分畴分畴分畴不分畴不分畴本讲稿第三十页,共五十二页7.3 磁性材料的动态特征(磁性材料的动态特征(交流磁性能交流磁性能)必要性:必要性:磁性材料尤其是软磁材料在交变磁场条件下工作,磁化过磁性材料尤其是软磁材料在交变磁场条件下工作,磁化过程是动态的,从一个磁化状态过渡到另一磁化状态需要时间。该时间程是动态的,从一个磁化状态过渡到另一磁化
9、状态需要时间。该时间与磁场变化的周期或频率有很重要的关系。因此,需要研究磁化动态与磁场变化的周期或频率有很重要的关系。因此,需要研究磁化动态特征。特征。工程应用:工程应用:电机、变压器铁芯,中高频电子器件,如微波器电机、变压器铁芯,中高频电子器件,如微波器件等等。件等等。目目 的:的:获得动态磁化的一般规律,如损耗机理、磁滞效应及频获得动态磁化的一般规律,如损耗机理、磁滞效应及频率依赖性,设计和正确使用磁性材料尤其是软磁材料。率依赖性,设计和正确使用磁性材料尤其是软磁材料。本讲稿第三十一页,共五十二页DC1kHz10kHzB/TH/Am-1不同频率下不同频率下79Ni4MoFe材料的磁滞回线比
10、较材料的磁滞回线比较 Bm-Hm 1 1、形状大体相似;、形状大体相似;2 2、与频率有关、与频率有关 频率升高,涡流损耗上升,磁损增大,交流幅值磁场减小;回线区频率升高,涡流损耗上升,磁损增大,交流幅值磁场减小;回线区增大(椭圆形),磁化所需的磁场强度增大。增大(椭圆形),磁化所需的磁场强度增大。0.06mm本讲稿第三十二页,共五十二页7.3.1 高频磁导率高频磁导率 磁性材料在交变磁场下磁化,因为损耗的出现,磁感应强度磁性材料在交变磁场下磁化,因为损耗的出现,磁感应强度B B或磁或磁化强度化强度M M一般滞后一个相角一般滞后一个相角,表示为:,表示为:令令tantan 叫做损耗因子,叫做损
11、耗因子,Q Q1 1/tantan,称为软磁材料的品质因子。称为软磁材料的品质因子。弹性磁导率弹性磁导率粘滞磁导率粘滞磁导率本讲稿第三十三页,共五十二页一个周期内,单位铁磁体的平均能量损耗一个周期内,单位铁磁体的平均能量损耗或磁损规律密度或磁损规律密度P耗耗:一个周期内,单位铁磁体储存的平均磁能密度:一个周期内,单位铁磁体储存的平均磁能密度:本讲稿第三十四页,共五十二页 磁滞损耗磁滞损耗 Pn:磁化功,在低频区域最重要的损耗是磁滞损耗(磁滞回线所包围的面积)。磁化强度的幅值很小,对应于瑞利区,磁滞损耗依赖于磁场的幅值。在高频区,作为磁滞损耗的主要来源于,不可逆的畴壁位移(M的转动)被阻尼。涡流
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