核磁共振光谱精选文档.ppt
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1、核磁共振光谱1本讲稿第一页,共五十五页核自旋核自旋:所有原子的原子核都围绕某个轴作旋转运动,此所有原子的原子核都围绕某个轴作旋转运动,此现象称为核自旋运动。现象称为核自旋运动。核自旋可用自旋量子数(核自旋可用自旋量子数(I I)表示表示2本讲稿第二页,共五十五页 自旋量子数自旋量子数(I I)与原子质量数与原子质量数A和原子序数和原子序数Z有关:有关:A、Z均为偶数,均为偶数,I I=0A为偶数,为偶数,Z为奇数,为奇数,I I =1,2,3整数整数A为奇数,为奇数,Z为奇或偶数,为奇或偶数,I I =1/2,3/2,5/2 半整数半整数 当(当(I I 0)原子核的自旋运动有原子核的自旋运动
2、有NMR讯号。讯号。3本讲稿第三页,共五十五页 理论上讲,只要质量数或原子序数为奇数的原子核,理论上讲,只要质量数或原子序数为奇数的原子核,(如(如1H、13C、15N、17O、19F、31P等)都能发生核磁共振。等)都能发生核磁共振。目前用的较多的是:目前用的较多的是:1HNMR(表示氢原子表示氢原子核磁共振谱)核磁共振谱)13CNMR(表示同位素碳原子表示同位素碳原子核磁共振谱)核磁共振谱)4本讲稿第四页,共五十五页9.1 核磁共振产生的基本原理核磁共振产生的基本原理 氢核(质子)带有正电荷,自旋会产生磁场,磁场氢核(质子)带有正电荷,自旋会产生磁场,磁场具有方向性,可用磁矩表示。具有方向
3、性,可用磁矩表示。H05本讲稿第五页,共五十五页但在外磁场但在外磁场H0中它的取向分为二种:中它的取向分为二种:与与H0 方向相反,方向相反,称为称为态,态,高能态高能态与与H0 方向相同,方向相同,称为称为态,态,低能态低能态H0顺磁取向(顺磁取向()反磁取向(反磁取向()能级差能级差EHH6本讲稿第六页,共五十五页 式中:式中:H0外加磁场强度;外加磁场强度;h planck常数;常数;为为核磁比核磁比,对特定的原子为一常数;,对特定的原子为一常数;对于氢原子,对于氢原子,=26750。量子力学计算:对特定的氢核,两种取向的能级差与外磁场强度对特定的氢核,两种取向的能级差与外磁场强度有关。
4、有关。即:即:E与与H0成正比。成正比。H0 E7本讲稿第七页,共五十五页 外磁场越强,能差越大外磁场越强,能差越大8本讲稿第八页,共五十五页 如果用电磁波照射磁场中的质子,且光量子的能量等如果用电磁波照射磁场中的质子,且光量子的能量等于质子两种取向的能级差时,质子即吸收光量子的能量从于质子两种取向的能级差时,质子即吸收光量子的能量从低能级跃迁到高能级。这种现象称为低能级跃迁到高能级。这种现象称为核磁共振核磁共振。E射射=E 时即:即:h=hH0/2 E射射=h (光能与光的频率成正比)(光能与光的频率成正比)当:当:此时:此时:9本讲稿第九页,共五十五页 实现核磁共振的方法有两种:实现核磁共
5、振的方法有两种:(1)固定外磁场强度)固定外磁场强度,改变照射频率改变照射频率,固定磁场扫频固定磁场扫频;(2)固定照射频率,改变外磁场强度)固定照射频率,改变外磁场强度,固定频率扫场固定频率扫场。一般的核磁共振仪中一般的核磁共振仪中多用扫场多用扫场的方法。的方法。从理论上讲,无论改变外磁场强度从理论上讲,无论改变外磁场强度H0,或改变照射或改变照射频率频率,都可以满足下式,即发生核磁共振。都可以满足下式,即发生核磁共振。共振方程式共振方程式10本讲稿第十页,共五十五页9.2 核磁共振谱仪与核磁共振谱的表示方法核磁共振谱仪与核磁共振谱的表示方法11本讲稿第十一页,共五十五页组成:组成:磁铁、射
6、频发生器、检测器、放大器、磁铁、射频发生器、检测器、放大器、记录仪(放大器)、样品管记录仪(放大器)、样品管12本讲稿第十二页,共五十五页9.3 化学位移化学位移13本讲稿第十三页,共五十五页 由于由于H原子核周围的原子核周围的电子云密度不同电子云密度不同,所以使,所以使H原子所原子所处的处的化学环境不同化学环境不同,因而对外界磁场的,因而对外界磁场的“感觉感觉”不同,不同,所以共振所需所以共振所需外加磁场强度不同外加磁场强度不同,以致,以致吸收信号位置不同吸收信号位置不同。衡量这种不同位置的量叫衡量这种不同位置的量叫化学位移化学位移,用,用表示表示CH3CH2OH 不同化学环境的质子化学位移
7、不同。例如:不同化学环境的质子化学位移不同。例如:单峰单峰 三个峰三个峰14本讲稿第十四页,共五十五页15本讲稿第十五页,共五十五页 化学位移是由核外电子云的屏蔽效应引起的化学位移是由核外电子云的屏蔽效应引起的 1H核外电子在核外电子在H0作用下会产生循环的流动,从而作用下会产生循环的流动,从而产生一个感应磁场产生一个感应磁场B。9.3.1屏蔽效应屏蔽效应H0B感应磁场感应磁场屏蔽效应屏蔽效应16本讲稿第十六页,共五十五页 感应磁场感应磁场B与外加磁场与外加磁场 同向平行(同向平行(去去屏蔽效应屏蔽效应)H固固H外外H外外H固固BB 感应磁场感应磁场B与外加磁场与外加磁场 反向平行(反向平行(
8、屏蔽效应屏蔽效应)共振信号移向共振信号移向高场高场 值值减小减小共振信号移向共振信号移向低场低场 值值增大增大17本讲稿第十七页,共五十五页屏蔽作用的大小与原子核周围的屏蔽作用的大小与原子核周围的电子云密度有关,电电子云密度有关,电子云密度越大,屏蔽效应越大子云密度越大,屏蔽效应越大,共振时所需,共振时所需外磁场强度越外磁场强度越大大。注:18本讲稿第十八页,共五十五页常用的四甲基硅烷(常用的四甲基硅烷((CH3)4Si,TMS)做标准物质。)做标准物质。规定规定 TMS=09.3.2 化学位移(化学位移(chemical shift)原子核(如质子)由于化学环境不同所引起的原子核(如质子)由
9、于化学环境不同所引起的核磁共振信号位置的变化称为化学位移(核磁共振信号位置的变化称为化学位移()。)。只有一种质子,因此,有一个强的吸收峰;只有一种质子,因此,有一个强的吸收峰;出峰在高场(谱图的最右端)。与样品信号不干扰;出峰在高场(谱图的最右端)。与样品信号不干扰;易溶于有机溶剂,沸点低(易溶于有机溶剂,沸点低(C C););化学惰性,与样品不发生反应、缔合。化学惰性,与样品不发生反应、缔合。19本讲稿第十九页,共五十五页TMS高场低场标准物质:标准物质:Si(CHSi(CH3 3)4 4 ,TMSTMS,规定其,规定其=0=0 化学位移:表示信号离化学位移:表示信号离TMSTMS若干若干
10、ppmppm20本讲稿第二十页,共五十五页 试样TMS 由于共振磁场与仪器照射的频率成正比,所以仪器由于共振磁场与仪器照射的频率成正比,所以仪器的频率越高,的频率越高,越大。越大。有些谱线因环境差别很小,在高频仪器上才能分辨出来。有些谱线因环境差别很小,在高频仪器上才能分辨出来。H H试样 HTMS 21本讲稿第二十一页,共五十五页 9.3.3 影响化学位移的因素影响化学位移的因素1、诱导效应、诱导效应 (电负性的影响)(电负性的影响)(1)值随电负性的增加而增大值随电负性的增加而增大 CH3-C CH3-N CH3-O-=0.9 =2.3 =3.3(2)质子周围吸电子基越多,影响越大)质子周
11、围吸电子基越多,影响越大 Cl3C-H Cl2CH-H ClCH2-H =7.27 =5.30 =3.0522本讲稿第二十二页,共五十五页(3 3)诱导效应距离越远,影响越小)诱导效应距离越远,影响越小(4)烷烃中烷烃中H的的 值按伯、仲、叔次序依次增加值按伯、仲、叔次序依次增加。CH3H RCH2H R2CHH R3CH 0.23 0.9 1.3 1.5 23本讲稿第二十三页,共五十五页2、磁的各向异性磁的各向异性去去屏屏蔽蔽区区4.55.99.59.7醛基醛基质子在去屏蔽区,且受质子在去屏蔽区,且受O电负性影响,故移向更低场电负性影响,故移向更低场24本讲稿第二十四页,共五十五页屏蔽区屏蔽
12、区ppm 乙炔质子处于屏蔽区,又乙炔质子处于屏蔽区,又spsp杂化碳的电负性大,对叁键质子有杂化碳的电负性大,对叁键质子有一定的去屏蔽效应,总的结果一定的去屏蔽效应,总的结果。25本讲稿第二十五页,共五十五页 与与乙烯乙烯类似,苯环质子处于去屏蔽区,共振信号类似,苯环质子处于去屏蔽区,共振信号移向低场(移向低场(=7.27=7.27)。)。26本讲稿第二十六页,共五十五页9.4 自旋偶合与自旋裂分自旋偶合与自旋裂分9.4.1等价质子和不等价质子(等价质子和不等价质子(P217)等性质子等性质子:分子中具有相同的化学环境的质子,分子中具有相同的化学环境的质子,其化学位移值相同。其化学位移值相同。
13、不等性质子不等性质子:分子中处于不同化学环境的质子,:分子中处于不同化学环境的质子,其化学位移值不同。其化学位移值不同。判断方法:判断方法:将两质子分别用一试验基团取代,如两个质子被将两质子分别用一试验基团取代,如两个质子被取代后得到同一产物或对映异构体,则为等价的。取代后得到同一产物或对映异构体,则为等价的。27本讲稿第二十七页,共五十五页Ha、Hb是等性质子是等性质子Ha、Hb不是等性质子不是等性质子28本讲稿第二十八页,共五十五页 受邻近不等性质子自旋的影响而产生的受邻近不等性质子自旋的影响而产生的谱线增多的谱线增多的现象现象称为称为自旋偶合裂分自旋偶合裂分。(等性质子不偶合,不裂分)。
14、(等性质子不偶合,不裂分)9.4.2自旋偶合裂分自旋偶合裂分29本讲稿第二十九页,共五十五页 这种相邻碳上这种相邻碳上不等性质子不等性质子的相互影响称为自旋耦合,的相互影响称为自旋耦合,由偶合产生的裂分称为自旋裂分。由偶合产生的裂分称为自旋裂分。偶合是裂分的原因,裂分是偶合的结果。偶合是裂分的原因,裂分是偶合的结果。30本讲稿第三十页,共五十五页31本讲稿第三十一页,共五十五页1、被邻近一个质子分裂、被邻近一个质子分裂 Ha无无Hb偶合时,出一个单峰;受偶合时,出一个单峰;受Hb自旋产生的自旋产生的感应磁场的影响而裂峰。这种感应磁场有顺磁(感应磁场的影响而裂峰。这种感应磁场有顺磁()和)和抗磁
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