激光调制修改.pptx
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1、1.振幅调制使载波的振幅随着信号的变化规律而变化。激光的电场 调制信号 调幅波的频谱公式 =调幅系数:第1页/共65页2.频率调制和相位调制光载波的频率或相位随着调制信号的变化规律而改变。频率调制:激光的电场强度:相位调制:频率调制和相位调制都是调总相角,写成统一形式:频率调制和相位调制都是调总相角,写成统一形式:调频系数:第2页/共65页产生无数多个边频,当m很小时,边频数量减少。第3页/共65页3.强度调制光载波的强度(光强)随调制信号规律而变化。设调制信号是单频余弦波,则调制强度为:实际应用中,为了得到较强的抗干扰效果,往往利用二次调制方式,即先用低频信号对一高频副载波进行频率调制,然后
2、再利用这个已调频波进行强度调制(称为FM/IM调制),使光的强度按副载波信号的规律变化。信号在调频波中,抗干扰能力强。第4页/共65页4.脉冲调制用一种间歇的周期性脉冲序列作为载波,使载波的某一参量按调制信号规律变化的调制方法。第5页/共65页脉冲编码调制(采样、量化、编码)脉冲编码调制(采样、量化、编码)5.脉冲编码调制(数字调制)第6页/共65页1.1.光在晶体中的传播光在晶体中的传播(1 1)晶体的极化率与介电系数晶体的极化率与介电系数介质极化强度介质极化强度P与入射光与入射光E的关系的关系:极化率 成为二阶张量,具有九个分量:于是于是 各向异性晶体中P 每一个分量都与E的三个分量存在着
3、线性关系,P不再与E同向。各向同性晶体中P 每一个分量与E的相应分量存在着线性关系,P与E同向。7.5.2 电光调制第7页/共65页选择坐标系为晶体的主介电坐标系,则非线性晶体张量非对角元素为零:折射率:折射率:低低级级晶晶族族3 3个个分分量量不不相相等等,中中级级晶晶族族有有2 2个个相相等等,高高级级晶晶族族3 3个都相等。个都相等。第8页/共65页确定两个允许传输波的确定两个允许传输波的偏振方向及其相速度。偏振方向及其相速度。直角主介电坐标系中,两波面沿三主轴分量表示为通式:直角主介电坐标系中,两波面沿三主轴分量表示为通式:为沿三个轴的主折射率为沿三个轴的主折射率(2)折射率椭球 方程
4、代表一个椭球,称折射率椭球,晶体各向异性的几何表示。性质:l 其中任一矢径的方向,其长度表示沿该方向偏振的光波的折射率。l对于任意给定的波矢k,利用折射率椭球可求光波的偏振方向及相应折射率:通过原点作k的垂面,与折射率椭球相交得一椭圆截面,则这一椭圆截面的两个轴即为两个偏振方向,两个轴长度 为相应折射率。第9页/共65页单轴晶体折射率椭球:单轴晶体折射率椭球:取取光光轴轴为为z轴轴,沿沿x、y轴轴的的主主折折射射率率相相等等,说说明明xoy平平面面内内的的D、E方方向向一一致致,与与各各向向同同性性介介质质中中光光波波性性质质一一样样,称称寻寻常常光光,相相应应主主折折射射率率为为寻寻常常折折
5、射射率率,记记为为no;沿光轴的主折射率称非常折射率,记为;沿光轴的主折射率称非常折射率,记为ne zyxzyxOO(a)正单轴晶体 (b)负单轴晶体 单轴晶体折射率椭球第10页/共65页单轴晶体折射率椭球特性:单轴晶体折射率椭球特性:(a a)xoy平面与平面与椭球截面是一个圆,椭球截面是一个圆,其半径为其半径为no。表表明明当当光光波波沿沿着着z轴轴方方向向传传播播时时,即即ki平平行行于于光光轴轴时时,只只存存在在一一种种折折射射率率no,光光波波偏偏振振方方向向取取垂垂直直于于Z轴轴的的任任何何方方向,折射率相等,向,折射率相等,不产生双折射不产生双折射。z轴即单轴晶体光轴。轴即单轴晶
6、体光轴。(b)xoz、yoz平平面面,或或其其它它含含z轴轴的的椭椭球球截截面面为为一一椭椭圆圆,其两半轴长度分别为其两半轴长度分别为 、。表表明明当当光光垂垂直直于于z轴轴入入射射(ki垂垂直直于于光光轴轴,处处于于xoy平平面面内内)时时,可可允允许许两两个个彼彼此此正正交交的的线线偏偏振振光光传传播播,其其中中一一个个光光波波偏偏振振方方向向平平行行于于光光轴轴、折折射射率率为为 ,另另一一光光波波偏偏振振方方向垂直于光轴、折射率为向垂直于光轴、折射率为 。第11页/共65页(c c)当)当k ki i 与与z z轴夹角为轴夹角为 时,通过原点时,通过原点O O垂直于垂直于k ki i
7、的平面的平面与椭球的与椭球的截面为一椭圆截面为一椭圆,其长、短轴为允许的偏振方向,其长、短轴为允许的偏振方向,对应于两种本征光波:对应于两种本征光波:寻常光寻常光:偏振方向与:偏振方向与SOZSOZ平面垂直,折射率及相速与平面垂直,折射率及相速与 无无关,折射率关,折射率n no o称寻常折射率。称寻常折射率。非常光非常光:偏振方向在:偏振方向在SOZSOZ平面内,平面内,折射率折射率n ne e()满足方程:满足方程:折射率与相速和角度 有关。任意方向传播的双折射任意方向传播的双折射第12页/共65页2.电光效应电光效应电光效应:当介质的两端所加外电场较强时,介质内的电子 分布状态将发生变化
8、,以致介质的极化强度以及 折射率也各向异性地发生变化的现象。电光效应弛豫时间很短,仅有10-11量级外场的施加或撤消导致的折射变化或恢复瞬间即可完成。可用作高速调制器、高速开关等(a)外加电场相对光场为低频(b)外加电场沿着某一介电主轴作用于晶体,此时D与E的方向一致,因而D只随E的大小变化。为突出物理思路、简化推导,讨论基于以下条件:第13页/共65页(1 1)泡克尔斯)泡克尔斯(Pockels)(Pockels)效应效应 与克尔与克尔(Kerr)(Kerr)效应效应 当外加电场沿某一介电主轴作用于晶体时,电位移矢量为当外加电场沿某一介电主轴作用于晶体时,电位移矢量为 为不加电场时的介电常数
9、,称线性介电常数。定义D(E)的斜率为加电场后的介电常数:l 与外加电场的一次方成正比,称为泡克尔斯效应;ln与外加电场平方成正比,称为克尔效应。n第一项大大于后面各项,作泰勒级数展开第一项大大于后面各项,作泰勒级数展开第14页/共65页(2)KDP晶体的线性电光效晶体的线性电光效应应 KDP晶体是人工生长的晶体是人工生长的KH2PO4单轴晶体单轴晶体的简称。的简称。不加外场,折射率椭球为:不加外场,折射率椭球为:外加电场作用后,新的折射率椭球为:外加电场引起了折射率椭球中的后三项,即“交叉项”,这意味着加上电场后,椭球的主轴不再是x、y、z轴,而是有所偏转。新主轴、的方向和大小与E的关系就确
10、定了电场对光传播的影响。第15页/共65页外加电场平行于光轴(外加电场平行于光轴(Z Z轴):轴):设新主轴设新主轴 相对旧主轴相对旧主轴 旋转了角度旋转了角度,则,则在新主轴坐标系 中,折射率椭球方程变为:第16页/共65页 结论:结论:(a)施施加加外外场场E3后后,椭椭球球的的xoy截截面面由由圆圆变变为为椭椭圆圆,折折射射率率椭椭球球由由旋旋转转椭椭球球面面变变为为一一般般椭椭球球面面,KDP由单轴晶体变为双轴晶体。由单轴晶体变为双轴晶体。(b)沿 方向偏振的光传播相速度加大,而沿 方向偏振的光传播速度减小,因此 轴称为快轴,轴为慢轴。第17页/共65页(3 3)电光相位延迟)电光相位
11、延迟 以外加以外加电场平行于光轴(电场平行于光轴(Z轴)轴)的的KDP晶体为例,光波晶体为例,光波沿沿z方向传播距离方向传播距离l后,两偏振光之间的相位差为后,两偏振光之间的相位差为 的变化曲线及相应的光场矢量变化情形、第18页/共65页当当相相位位延延迟迟时时,光光场场为为x x方方向向偏偏振振的的线线偏偏振振光光,当当/2/2时时,光光场场为为圆圆偏偏振振光光,当当时时,光光场场又又变成沿变成沿y y方向偏振的线偏振光。方向偏振的线偏振光。与与对对应应的的偏偏振振光光相相对对入入射射光光旋旋转转了了9090,其其相相应应的电压称为的电压称为半波电压半波电压 晶体的电光系数越大,相应半波电压
12、越低晶体的电光系数越大,相应半波电压越低 .通过测量半波电压可以计算出相应的电光系数。通过测量半波电压可以计算出相应的电光系数。第19页/共65页部分晶体的部分晶体的 和和第20页/共65页3.电光强度调制(1)纵向电光强度调制第21页/共65页(1)电光强度调制装置由两块交叉偏振片及其间放置的一块单轴电光晶体组成。偏振片的通振动方向分别与x、y轴平行。(2)设某时刻加在电光晶体上的电压为V,入射到晶体的在x方向上的线偏振光电矢量振幅为E0 进入晶体时沿快轴 和慢轴 的电矢量振幅都变为 通过晶体后沿 和 方向的二线偏振光之间的位相差 通过振动方向与 y 轴平行的偏振片检偏后产生的光振幅分别为
13、,则有:第22页/共65页投影之和为:图图(4-22)I/I0-V曲线曲线第23页/共65页(4)如外加信号电压为正弦电压,则输出光强近似为正弦形,实现无失真调制。(3)画出 曲线的一部分以及光强调制的情形。为使工作点选在曲线中点处,通常在调制晶体上外加直流偏压 来完成,或者插入/4波片,使之产生90度的相位差。应用应用第24页/共65页使用电光调制器的光通信线路 激光器输出为偏激光器输出为偏振光振光第25页/共65页(2)横向电光强度调制第一项表示天然双折射造成的相位差;第二项由电光效应引起,为电光延迟。由第一项确定工作点位置后,根据第二项正比于l/d,恰当选择长宽比,以实现有效的电光调制。
14、消除天然双折射方法:两块晶体串接(消除天然双折射方法:两块晶体串接(Z轴垂直)轴垂直)电压加在电压加在X X方向,入射光沿方向,入射光沿Z Z方向,方向,X X方向偏振;方向偏振;X X、Y Y、Z Z与与晶体边平行。晶体边平行。第26页/共65页横向电光调制可降低半波电压,用两块晶体可消除自然双折横向电光调制可降低半波电压,用两块晶体可消除自然双折射,但结构较复杂。射,但结构较复杂。第27页/共65页4 电光相位调制(1)加电场后,振动方向与晶体的感应主轴相平行的光通过长度为 的晶体,其位相增加为(2)晶体上所加的是正弦调制电场 晶体输入面处的光场是 第28页/共65页式中,为相位调制度(3
15、)则在晶体输出面处的光场可写成 第29页/共65页5.5.波导电光调制器波导电光调制器波导调制器是将具有电光特性的材料做成光波导,调制波导调制器是将具有电光特性的材料做成光波导,调制电场加在通光波导区,可以在很低的外加电压下获得所电场加在通光波导区,可以在很低的外加电压下获得所需的调制场强。需的调制场强。可以通过波导特性,如模式转换、模式耦合、定向耦合可以通过波导特性,如模式转换、模式耦合、定向耦合等特性来实现光的直接强度调制与开关等。等特性来实现光的直接强度调制与开关等。波导调制器具有效率高、体积小、集成度高、易于与光波导调制器具有效率高、体积小、集成度高、易于与光纤耦合等优点。纤耦合等优点
16、。(1 1)M-ZM-Z干涉仪强度调制器干涉仪强度调制器晶 体 材 料 为 铌 酸 锂 晶 体(LiNbO3),其中的光波导是在晶体上用钛扩散(折射率提高)技术制作的。第30页/共65页电电信信号号加加到到如如图图所所示示的的电电极极上上,来来自自激激光光器器的的连连续续光光波波输输入入到到调调制制器器的的左左端端,然然后后被被均均匀匀地地分分配配到到光光波波导导的的两两个个臂臂中中,两两光光路路长长度度相相等等。由由于于电电光光效效应应,其其折折射射率率及及到到达达输输出出端端的的光光程程差差和和位位相相随随外外加加电电压压的的变变化化而而变变化化,在在时时间间上上发发生生延延迟迟。两两束束
17、光光到到达达输输出出端端后后,经经3 3 dBdB光光耦耦合器耦合在一起由一路光纤输出。合器耦合在一起由一路光纤输出。根据这一原理,即可完成光信号强度随电信号的变化而不断改变的调制过程,即实现强度调制。图中,沿方向切割LiNbO3晶体,光波沿z方向传输,调制电场施加于y方向。设入射光场为 调制电压为调制电压为第31页/共65页外加电场作用下光波产生的相位变化为外加电场作用下光波产生的相位变化为 式中式中L L为调制区间长度。为调制区间长度。从调制臂输出的光场为 式中,为调制深度。此时,经过调制臂的光波相位已经受到调制,在输出端可以得到强度调制的光波信号输出。调制器输出光强为输出光强随信号电压输
18、出光强随信号电压V V变化。变化。第32页/共65页(2)(2)定向耦合器型光波导调制器定向耦合器型光波导调制器M-ZM-Z干涉仪由干涉仪由2 2个个3dB3dB耦合器和耦合器和1 1个移相器组成。个移相器组成。当当电电调调制制信信号号为为空空号号时时,两两支支路路正正好好满满足足N N为为偶偶数数。当当电电调调制制信信号号为为传传号号时时,由由于于电电场场的的加加入入,改改变变了了波波导导的的有有效效折折射射率率,因因而而改改变变传传播播常常数数k k,使使其其正正好好满满足足180180的的附附加加相相移移,由由交交叉态变为直通态。叉态变为直通态。第33页/共65页7.5.3 7.5.3
19、声光调制声光调制 声波的应变场也能改变某些晶体的折射率,产生类似于光栅的光学结构,从而对入射的光波产生调制,这种调制称为声光调制。1 声光衍射(1)声光衍射的定性描述 在晶体中传播的超声波产生弹光效应使晶体的介电常数发生变化,晶体中形成了周期性的有不同折射率的间隔层,当光通过这种分层结构时,就发生衍射,引起光强度、频率和方向随超声场的变化。(a)超声行波 (b)超声驻波 声波在介质中传播分为行波与驻波两 种,所以折射率变化也有两种形式:第34页/共65页(2 2)声光布喇格衍射声光布喇格衍射若若声声波波频频率率较较高高,且且声声光光作作用用长长度度L L较较大大,声声扰扰动动介介质质形形成成“
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