芳环上的亲电和亲核取代反应.pptx

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1、 溶剂效应溶剂效应 螯合效应螯合效应 原位取代原位取代(Ipso attack)3.取代效应的定量关系取代效应的定量关系a.分速度因数与选择性分速度因数与选择性 b.Hammett 方程方程 二二.芳环上亲核取代反应芳环上亲核取代反应 1.加成消除机理加成消除机理2.SN1机理机理 3.消除加成机理消除加成机理（苯炔机理）（苯炔机理）三三.芳环上的取代反应及其应用芳环上的取代反应及其应用1.Friedel-Crafts 反应反应2.Rosenmund-Braun 反应反应第1页/共30页 芳环上离域的电子的作用，易于发生亲电取代反应，只有当芳环上引入了强吸电子基团，才能发生亲核取代反应。第2页

2、/共30页一.亲电取代反应（一）加成消除机理络合物芳正离子芳正离子生成的一步是决定反应速率的一步第3页/共30页卤代反应：溴分子在FeBr3的作用下发生极化生成芳正离子脱去质子第4页/共30页实验已经证实芳正离子的存在：m.p:-15（二）亲电取代反应的特性与相对活性反应活性致活效应：取代基的影响使芳环的反应活性提高；致钝效应：取代基的影响使芳环的反应活性降低。第5页/共30页第一类定位基：卤素对芳环有致钝作用第一类取代基（除卤素外）具有+I，或是C效应，其作用是增大芳环的电子云密度。第二类定位基：具有I或C效应使芳环上的电子云密度降低。第6页/共30页定位效应(Orientation)：芳环

3、上取代基对于E+进入芳环位置的影响。第一类定位基邻对位定位基第二类定位基间位定位基共振式越多，正电荷分散程度越大，芳正离子越稳定。第7页/共30页动力学控制与热力学控制位取代动力学控制产物；位取代热力学控制产物。第8页/共30页邻位和对位定向比：1)亲电试剂的活性越高，选择性越低：2)空间效应越大，对位产物越多：第9页/共30页极化效应：X 具有I效应，使邻位的电子云密度降低。FClBr I电负性依次降低I效应依次减小电子云密度降低的位置是不利于E+进攻的。第10页/共30页溶剂效应：E+被硝基苯溶剂化，体积增大。较大的空间效应使它进入1位。第11页/共30页螯合效应：能够发生螯合效应的条件：

4、1杂原子能与试剂结合；2）所形成环为五员环或六员环。第12页/共30页原位取代(Ipso取代):在芳环上已有取代基的位置上，发生取代作用Ipso效应：取代基消除的难易程度取决于其容纳正电荷的能力。CH(CH3)2比较稳定，异丙基容易作为正离子消除。第13页/共30页3.取代基效应的定量关系取代基效应与化学活性之间存在一定的定量关系1)分速度因数与选择性从定量关系上考虑邻、对、间位取代难易程度分速度因数(f)=(6)(k取代)(z产物的百分比)y(k苯)y位置的数目 通过每一个位置取代苯的活性与苯比较，把总的速率乘以邻位、间位或对位产物的百分比，再除以苯的取代速率的结果。第14页/共30页当 f

5、 1 时，该位置的活泼性比苯大,否则比苯小。第15页/共30页例如：在硝酸与乙酸酐的体系中甲苯的硝化速度是苯进行硝化反应的23倍，取代产物的百分比为：邻 对 间63 34 3第16页/共30页氯苯和苯甲醚进行硝化反应时，分速度因数分别为：氯苯的三个分速度因数均小于1，卤素是致钝基团，且 fm fm-OCH3 对于邻、对位具有C,I效应，C I 对于间位，只有I，而无C效应。第17页/共30页2）Hammett 方程描述分子结构和化学活性的定量关系的表示。Hammett 方程：x取代基常数 直线斜率底物不同，不同；反应条件不同，不同。只与反应性质相关，称为反应常数。表示了取代基对反应速率的影响。第18页/共30页当 0时，吸电子基团加速反应；当 0,取代基为吸电子基团；0,取代基为供电子基团。第19页/共30页二.芳环上亲核取代反应1.加成消除机理第20页/共30页例：例：第21页/共30页第22页/共30页2.SN1 机理第23页/共30页3.消除加成反应机理(苯炔机理)第24页/共30页4.底物结构对活性的影响第25页/共30页第26页/共30页第27页/共30页例：第28页/共30页习题：P.102 1048.1（2）、（3）8.28.3（1）、（2）、（3）8.4第29页/共30页感谢您的观看！第30页/共30页