薄膜的蒸发沉积原理与技术.pptx
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1、1 关于薄膜的一些基本概念 不同的用途有不同的概念:(1)光学的人讲,能够产生干涉的薄层;(2)电子学认为,厚度不能超过1m;(3)物理学认为,是2维结构的材料;(4)生物学认为,细胞等组织的保护层;(5)农业生产中,甚至厚度到100 m以 上的塑料纸也称薄膜;-1.1 什么是薄膜什么是薄膜?SITP-CASDINGQUAN LIUDINGQUAN LIU第1页/共41页1 关于薄膜的一些基本概念 (1)空气态的薄膜,入牛顿环;(2)液体态的薄膜;(3)固体态的薄膜,是2维结构的材料;-我们经常使用和概念中的薄膜,就是固体态的薄膜,而且指由无机材料组成、厚度在微米量级以下的两维结构,薄膜应该具
2、有连续的形态。1.2 薄膜的一些基本形态薄膜的一些基本形态SITP-CASDINGQUAN LIUDINGQUAN LIU第2页/共41页1 关于薄膜的一些基本概念 (1)薄膜以非晶态结构居多;(2)有的薄膜以多晶态形式出现,含有 非晶成分;(3)单晶体的薄膜难以得到,通常需要 很高的沉积温度、好的真空度、严格 的材料选择;如果单从薄膜的使用强度考虑,非晶态薄膜可能更好。1.3 薄膜的晶体结构薄膜的晶体结构SITP-CASDINGQUAN LIUDINGQUAN LIU第3页/共41页1 关于薄膜的一些基本概念 (1)薄膜的聚集密度:指膜层中材料体积占有总体积的比值,常以小于1的两位小数表示。
3、越接近于1,膜层越致密,质量越好;有的膜层甚至低于0.50。(2)薄膜的MDT模型图:1.4 薄膜的聚集情况薄膜的聚集情况SITP-CASDINGQUAN LIUDINGQUAN LIU第4页/共41页1 关于薄膜的一些基本概念 (3)真空度的影响:残余气体分子与沉积粒子(原子、分子、团粒等)碰撞,影响沉积动能和方向,易形成松散结构。真空度对蒸发镀金属膜层微结构的影响:1.4 薄膜的聚集情况薄膜的聚集情况SITP-CASDINGQUAN LIUDINGQUAN LIU第5页/共41页1 关于薄膜的一些基本概念 (1)薄膜中的压应力:膜层中聚集密度较大时,膜 层中“柱状结构”相互排斥,它们 受到
4、挤压的作用。(2)薄膜中的张应力:膜层中聚集密度较小时,膜 层中“柱状结构”相互吸引,它们 受到拉伸的作用。1.5 薄膜的应力薄膜的应力SITP-CASDINGQUAN LIUDINGQUAN LIU第6页/共41页1 关于薄膜的一些基本概念 (1)牢固度用附着力来表述:基片与膜层之间存在相互作用的 附着能,附着能对两者之间的距离微 分,微分最大值就是附着力。(2)薄膜牢固度的增加:洁净的基片;膜层与基片良好的接触;较高的沉积温度增加扩散;高真空让沉积粒子直接到达;适当的应力控制,等等。1.6 薄膜的牢固度薄膜的牢固度SITP-CASDINGQUAN LIUDINGQUAN LIU第7页/共4
5、1页2 材料在真空中的热蒸发(1)材料在真空中出气;(2)某些镀膜材料在高真空中 有微量的质量损失。这些对镀膜工艺和薄膜质量有影响。2.1 材料在高真空中的表现材料在高真空中的表现DINGQUAN LIUDINGQUAN LIUSITP-CAS第8页/共41页2 材料在真空中的热蒸发(1)加热蒸发 固体液体气体(2)受热升华 固体-气体 因材料而异。2.2 材料在真空中的转变材料在真空中的转变DINGQUAN LIUDINGQUAN LIUSITP-CAS第9页/共41页2 材料在真空中的热蒸发(1)电阻加热方式 适合低熔点材料。能量相对较小。(2)电子枪加热方式 能量更大,更集中,适合高熔点
6、材料,非升华材料。2.3 材料在真空中的热蒸发材料在真空中的热蒸发DINGQUAN LIUDINGQUAN LIUSITP-CAS第10页/共41页2 材料在真空中的热蒸发(1)材料的熔点 材料开始转化为液体的温度。蒸汽压较小,还不能实现有效的薄膜沉积。(2)蒸发温度 能够实现有效蒸发的温度。通常认为是对应材料产生1.33Pa蒸汽压(材料表面)的温度。2.4 材料的熔点与蒸发温度材料的熔点与蒸发温度DINGQUAN LIUDINGQUAN LIUSITP-CAS第11页/共41页2 材料在真空中的热蒸发(1)点源 尺寸很小,向各个方向放射蒸发,仅考虑立体视场角。(2)面源 本身尺寸需要考虑,仅
7、向半球面视场内蒸发。(3)一般以自由面源形式出现 2.5 电阻热蒸发沉积的点源与面源电阻热蒸发沉积的点源与面源DINGQUAN LIUDINGQUAN LIUSITP-CAS第12页/共41页2 材料在真空中的热蒸发(1)克努增源 准分子流,沉积慢。(2)自由面源 无定向,沉积快。(3)定向坩埚 有定向,沉积更快。2.6 面源的三种形式面源的三种形式DINGQUAN LIUDINGQUAN LIUSITP-CAS第13页/共41页2 材料在真空中的热蒸发2.7 自由面源蒸发的膜厚分布自由面源蒸发的膜厚分布DINGQUAN LIUDINGQUAN LIUSITP-CAS膜厚分布的参考曲线膜厚分布
8、的参考曲线 平面夹具与球面夹具有差异,数学推导和实际状况有差异,但趋势是一致的。仅供参考。平面夹具与球面夹具有差异,数学推导和实际状况有差异,但趋势是一致的。仅供参考。第14页/共41页2 材料在真空中的热蒸发(1)选用高熔点低蒸汽压的蒸发源 避免来自蒸发源的污染。(2)蒸发时产生大量的热,难以带走(3)一般以自由面源形式出现(4)膜层比较疏松。2.8 电阻热蒸发沉积的一些特点电阻热蒸发沉积的一些特点DINGQUAN LIUDINGQUAN LIUSITP-CAS第15页/共41页3 薄膜在真空中的沉积生长(1)表面的凝结几率(系数)有的原子可能重新进入真空,失去凝结生长的可能。(2)凝结几率
9、与基片温度和材料种类有很大关系。(3)体积超出临界晶核的颗粒才能张大,否则会消失。3.1 蒸发粒子的凝聚与张大蒸发粒子的凝聚与张大DINGQUAN LIUDINGQUAN LIUSITP-CAS第16页/共41页3 薄膜在真空中的沉积生长(1)岛状生长;(2)层状生长;(3)岛状+层状生长。3.2 薄膜生长的三种类型薄膜生长的三种类型DINGQUAN LIUDINGQUAN LIUSITP-CAS生长类型主要与材料种类和沉积温度相关生长类型主要与材料种类和沉积温度相关第17页/共41页3 薄膜在真空中的沉积生长(1)基片表面的处理;(2)制备参数;(3)蒸汽的入射角度;还有老化处理等。3.3
10、薄膜沉积生长过程中的工艺因素薄膜沉积生长过程中的工艺因素DINGQUAN LIUDINGQUAN LIUSITP-CAS第18页/共41页3 薄膜在真空中的沉积生长 AFM等手段,可以观察到部分薄膜的生长过程。3.4 薄膜沉积生长过程的观察薄膜沉积生长过程的观察DINGQUAN LIUDINGQUAN LIUSITP-CAS 图为钛酸锶基底上的钛酸铅薄膜。原子台阶呈阶梯状生长。由于膜厚的差异(左图:100nm,右图:10nm),生长的状态有所不同。(财)地球环境产业技术研究机构 提供)第19页/共41页3 薄膜在真空中的沉积生长 SEM等手段,可以观察到Ag薄膜的生长过程。3.4 薄膜沉积生长
11、过程的观察薄膜沉积生长过程的观察DINGQUAN LIUDINGQUAN LIUSITP-CAS岛状网状准连续第20页/共41页3 薄膜在真空中的沉积生长3.5 沉积温度对膜层生长速率的影响沉积温度对膜层生长速率的影响DINGQUAN LIUDINGQUAN LIUSITP-CAS 对于特定的沉积粒子流,对于特定的沉积粒子流,存在临界沉积温度存在临界沉积温度TcTc,当,当基片温度基片温度TsTs TcTc时,发时,发生沉积;当基片温度生沉积;当基片温度Ts Ts TcTc时,不能发生沉积。时,不能发生沉积。如如ZnSZnS膜层的膜层的Tc在在2300C左右,而在左右,而在1501500C时,
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