静电的产生与静电危害.pptx
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1、1静电是如何产生的物质都是由分子组成,分子是由原子组成,原子中有带负电的电子和带正电荷的质子组成。在正常状况下,一个原子的质子数与电子数量相同,正负平衡,所以对外表现出不带电的现象。但是电子环绕于原子核周围,一经外力即脱离轨道,离开原来的原子儿而侵入其他的原子B,A原子因缺少电子数而带有正电现象,称为阳离子阳离子;B原子因增加电子数而呈带负电现象,称为阴离子阴离子。造成不平衡电子分布的原因即是电子受外力而脱离轨道,这个外力包含各种能量(如动能、位能、热能、化学能等)在日常生活中,任何两个不同材质的物体接触后再分离,即可产生静电静电。第1页/共25页2产生静电的方式(一)当两个不同的物体相互接触
2、时就会使得一个物体失去一些电荷如电子转移到另一个物体使其带正电,而另一个体得到一些剩余电子的物体而带负电。若在分离的过程中电荷难以中和,电荷就会积累使物体带上静电。所以物体与其它物体接触后分离就会带上静电。通常在从一个物体上剥离一张塑料薄膜时就是一种典型的“接触分离接触分离”起电起电,在日常生活中脱衣服产生的静电也是“接触分离”起电。第2页/共25页3产生静电的方式(二)固体、液体甚至气体固体、液体甚至气体都会因接触分离而带上静电。为什么气体也会产生静电呢?因为气体也是由分子、原子组成,当空气流动时分子、原子也会发生“接触分离”而起电。所以在我们的周围环境甚至我们的身上都会带有不同程度的静电,
3、当静电积累到一定程度时就会发生放电。第3页/共25页4产生静电的方式(三)我们都知道摩擦起电而很少听说接触起电。实质上摩擦起电是一种接触又分离的造成正负电荷不平衡的过程。摩擦是一个不断接触与分离的过程。因此摩擦起电实质上是接触分离起电。在日常生活,各类物体都可能由于移动或摩擦而产生静电:工作桌面、地板、椅子、衣服、纸张、卷宗、包装材料、流动空气工作桌面、地板、椅子、衣服、纸张、卷宗、包装材料、流动空气。第4页/共25页5产生静电的方式(四)另一种常见的起电是感应起电感应起电。除物体除接触后分离能起电外,当带电物体接近不带电物体时会在不带电的导体的两端分别感应出负电和正电,如下图1所示。当物体与
4、发生放电时会造成与之间放电,如下图2所示。若与之间不发生放电,则会带上剩余的电荷,如下图3所示。其它起电方式有:热电和压电起电、亥姆霍兹层、喷射起电等。图1图2图3第5页/共25页6人体与静电(一)环境湿度人体活动RH10-20%RH65-90%在地毯上走动35,000V15,000V在已烯树脂地板上行走12,000V250V在工作台上操作6,000V100V包说明书的已烯树脂封皮7,000V600V从工作台上拿普通塑料袋20,000V1,200V从垫有聚氨基甲酸泡沫的工作椅上站起18,000V1,500V静电电位第6页/共25页7人体与静电(二)尽管携带了令人吃惊的静电电位,但由于并未瞬间释
5、放,因此人体并无感觉。第7页/共25页8人体与静电(三)电击感觉是由于人体静电瞬间释放静电瞬间释放造成的虽然人体感觉不到1,000伏以下的静电,可仍会成为生产线上各种事故的原因人体带电量电击程度1,000V 完全没有感觉3,000V 感到刺痛5,000V 手掌甚至手腕感到发麻7,000V 手掌感到强烈疼痛、麻痹10,000V 整个手都觉得痛,并且感到触电12,000V 感到整个手受到强烈冲击第8页/共25页9电子器件的静电破坏电压大部分器件的静电破坏电压都在几百至几千伏几百至几千伏,而在干燥的环境中人活动所产生的静电可达几千伏到几万伏几千伏到几万伏。器件类型静电破坏电压 器件类型静电破坏电压V
6、MoS301800OP-AMP1902500M0SFET100200JEFT1401000GaAsFET100300SCL6801000PROM100STTL3002500CMoS2502000DTL3807000HMOS50500肖特基二极管3003000EDMOS2001000双极型晶体管3807000ECL3002500石英压电晶体10000第9页/共25页10静电对电子产品损害形式静电的基本物理特性为:吸引吸引或排斥排斥,与大地有电位差而产生放电电流与大地有电位差而产生放电电流。这三种特性能对电子元件影响如下:静电吸附灰尘,降低元件绝缘电阻(缩短寿命)。静电放电破坏,使元件受损不能工作
7、(完全破坏)。静电放电电场或电流产生的热使元件受伤(潜在损伤)静电放电产生的电磁场幅度很大(达几百伏/米)、谱极宽(从几十兆到几千兆),对电子产器造成干扰甚至损坏(电磁干扰)第10页/共25页11静电的危害静电是时时刻刻到处存在的,但是在二十世纪4050年代很少有静电问题,因为那时是晶体三极管和二极管,而所产生静电也不如现在普遍存在。在60年代,随着对静电非常敏感的MOSMOS器件器件的出现,静电问题也出现了,到70年代静电问题越来越来严重。8090年代,随着集成电路集成电路的密度越来越大,一方面其二氧化二氧化硅膜硅膜的厚度越来越薄(微米微米_纳米纳米),其承受的静电电压越来越低。另一方面,产
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