传感器原理与应用---第6章电子课件().ppt
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1、传感器原理与应用-第6章电子课件 (高教版)第6章 霍尔传感器 6.1霍尔效应及霍尔元件霍尔效应及霍尔元件 6.2霍尔集成电路霍尔集成电路 6.3霍尔传感器的应用霍尔传感器的应用 6.4思考题第6章 霍尔传感器6.1 6.1 霍尔效应及霍尔元件霍尔效应及霍尔元件 霍尔传感器的基本转换原理是将被测量所引起的磁场变化转换成为霍尔电势的输出。早在1879年,有人在金属中发现了霍尔效应,但未被人们重视。随着科技的进步和半导体技术的发展,人们发现霍尔效应在半导体材料中非常显著,如砷化镓、砷化铟、硅、锗等,它们被广泛应用于弱电流、弱磁场及微小位移的测量。第6章 霍尔传感器6.1.1 霍尔效应 在半导体薄片
2、相对的两个侧面通上控制电流I,在和此侧面相互垂直的方向加上磁场B,则在半导体另外的两个侧面会产生一个大小与控制电流I和磁场B乘积成正比的电动势EH,这个电势就是霍尔电势。霍尔元件具有的这种现象叫做霍尔效应,所用的半导体元件叫做霍尔元件。霍尔元件及霍尔电势的产生如图6-1所示。图6-1 霍尔元件及霍尔电势的产生第6章 霍尔传感器 在图6-1(a)中,假设霍尔元件为N型半导体元件(载流子为电子),当沿着a,b通入控制电流I时,电子首先沿着与I相反的方向产生一个初速度v0。同时,由于霍尔元件处于磁场中,会受到洛伦兹力FL的作用,电子向一侧偏转并形成电子堆积,从而在霍尔元件的c,d方向产生电场,随后,
3、电子又会在该电场中受电场力FE的作用,这两种力方向相反。当两力大小相等时,电子的堆积便达到动态平衡,这样,就在半导体c,d方向的端面之间形成了稳定的电动势EH,即霍尔电势。第6章 霍尔传感器 设半导体霍尔元件的厚度为d,电子浓度为n,电子电荷量为e,则霍尔电势EH可以用下式表示式中,称为霍尔电势灵敏系数。若磁感应强度B不垂直于霍尔元件,而是与其法线成一角度 q时,霍尔电势为如果图中选用的霍尔元件是P型而不是N型半导体材料,则参加导电的载流子是空穴,则式中p为空穴浓度。第6章 霍尔传感器6.1.2 霍尔元件及特性 霍尔元件是一种半导体四端薄片,一般呈正方形。在薄片的相对两侧对称的焊接两对电极引出
4、线,如图6-1(b)所示,其中a,b端为激励电流端,另外一对c,d端称为霍尔电势输出端,c,d端一般处于侧面的中点。近年来,已采用外延离心注入工艺或采用溅射工艺制造出尺寸小、性能好的薄膜型霍尔元件,如图6-1(d)所示。它由衬底、薄膜、引线(电极)及外壳组成,壳体采用塑料、环氧树脂、陶瓷等材料封装,其灵敏度、稳定性、对称性等均比老工艺优越得多。目前霍尔元件已经得到越来越多的应用,应用最多的是GaAs和InSb。利用蒸发InSb制作的霍尔元件,其EH大,但工作温度范围狭窄,EH的温度特性差,磁场的线性度范围狭窄,因而应用范围受到限制。GaAs的EH虽小,但热稳定性好,已逐渐成为主流产品。霍尔元件
5、常用到以下几个特性参数。第6章 霍尔传感器1内阻 霍尔元件的内阻包括输入电阻和输出电阻。其中霍尔元件两激励电流端的电阻称为输入电阻Ri,它的阻值从几欧姆到几百欧姆不等。若温度变化,则引起输入电阻变化,从而使输入电流发生改变,最终导致霍尔电势变化。为了避免这种影响,通常采用恒流源提供激励电流。霍尔元件两个输出端的电阻称为输出电阻Ro,通常与Ri同一数量级,它也会随环境温度的变化而变化。适当选择负载电阻Rfz与之匹配,可以减小霍尔电势的温度漂移。霍尔元件内阻原理图如图6-2所示。设温度升高,内阻增加,导致负载电阻上得到的输出电压下降,同时,如果选用的霍尔元件霍尔电势也随温度上升而增加,适当选择负载
6、电阻,可以补偿输出电压的下降。假设,霍尔电势温度系数为a,内阻温度系数为b,输出电压为 Uo=EH0(1+at)Rfz/R 0(1+bt)+Rfz 式中,EH0,R0分别是霍尔电势、内阻在温度为0时的值;t是环境温度。若想Ufz不随温度变化,即要求dUfz/dt0,因此对输出电压求导,得:Rfz/R0b/a。根据此式,可以选择Rfz,消除不等电势的影响。第6章 霍尔传感器图6-2 霍尔元件内阻原理图第6章 霍尔传感器2最大激励电流IM 由霍尔效应可知,EH=KHIB,若激励电流大,霍尔电势的输出就大。但随着激励电流的增加,霍尔元件的功耗也随之增大,元件的温度升高,将引起霍尔电势的温漂。因而对霍
7、尔元件要规定最大激励电流,通常IM为几毫安至几十毫安。3最大磁感应强度BM 由霍尔效应可知,磁感应强度的增加将使霍尔电势输出增加。但磁感应强度若超过一定的界限,霍尔电势的非线性明显增加,故规定了BM来抑制非线性。通常BM小于零点几特斯拉。第6章 霍尔传感器4不等位电势 在霍尔元件通入额定电流Ie时,若外加磁场为零,由于霍尔元件的四个电极引脚几何尺寸不对称,霍尔电势通常不为零,这个电势称为不等位电势。通常可以用电桥法补偿不等位电势带来的测量误差。电桥法对霍尔电势补偿电路如图6-3所示,在霍尔元件输出端串入温度补偿电桥,利用热敏电阻Rt随温度的变化,导致电桥输出电压的变化,这个电压与霍尔电势输出相
8、加,作为传感器的输出。图6-3 电桥法对霍尔电势补偿电路第6章 霍尔传感器6.2 6.2 霍尔集成电路霍尔集成电路 随着电子技术的发展,霍尔元件及其激励电流源、放大电路多已集成于一个芯片上,做成霍尔集成电路。霍尔集成电路有很多优点,如体积小,灵敏度高,温漂小,稳定性高等。霍尔集成电路有线性型和开关型两大类。图6-4是典型的线性型霍尔集成电路。其中,图6-4(a)是集成电路芯片的外形与尺寸。图6-4(b)是集成电路内部元件,它主要由霍尔元件、恒流源、放大电路组成,由恒流源提供稳定的激励电流,霍尔电势输出接入放大电路,输出电压较高,使用方便,应用广泛。图6-4(c)是这种集成电路的输出特性,集成电
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