硅单晶电阻率的测试精选文档.ppt

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1、硅单晶电阻率的测试本讲稿第一页，共十一页目录：一、采样及样品处理二、检测依据及设备三、检测原理及作业指导书四、检测环境及影响因素五、检测数据分析六、检测报告书本讲稿第二页，共十一页一、采样及样品处理1、采样:单晶片：取单晶棒头部、中部、尾部各三片，要具有代表性。2、样品处理：（1）、试样待测面用320#（2842m）或W28(2028m)金刚砂研磨或喷砂。（2）、对圆片试样，用514m氧化铝或金刚砂研磨上下表面。本讲稿第三页，共十一页二、检测依据及设备1、检测依据：本讲稿第四页，共十一页2、检测设备：本讲稿第五页，共十一页三、检测原理及作业指导书1、工作原理：样品内部的电位分布为：式中为距离点

2、电流半径为r的半球面上任何一点的电位，I是电流大小，是样品的电阻率。电流流入，取正号；电流流出，取负号。经计算推导得：本讲稿第六页，共十一页2、作业指导书：（一）方法原理：四探针法（二）仪器设备1.7075（7071）型数字电压表2.四探针测试仪3.样品检测工作台（二）操作步骤1.接通7075或7071数字电压表2.测试电流选择：根据样品电阻率范围选择测量电流档位：3.校样用已知电阻率样块检查测量系统并作好记录。若测量数据落在样块标称数据范围之内，则该系统可以投入使用。如有出入，应请有关人员检查。4.电阻率的测试5.硅单晶电阻率测试的规定本讲稿第七页，共十一页四、检测环境及影响因素检测环境：常

3、温即可影响因素：1、测试样品的探针到边缘及厚度的距离大于三倍针距以上，样品的几何尺寸必须近似满足半无限大。2、四探针与试样应有良好的欧姆接触，针尖比较尖，与样品接触点为半球形，四探针应处于同一条直线上且间距相等。3、电流I在测量期间应保持恒定，特别是压力不够时，接触电阻很大并且不稳定，造成测试电阻率值不断波动。（以不压坏晶体为前提）。本讲稿第八页，共十一页五、检测数据分析编号12345平均值平均值电阻率0.650.610.610.630.6编号678910电阻率0.60.620.620.60.610.615本讲稿第九页，共十一页六、检测报告书检验报告检验报告检测项目直拉单晶片电阻率的检测规格型号直径：50mm 厚度：8.1mm单晶片委托单位及地址乐山职业技术学院产品等级优等品乐山市市中区肖坝路108号抽样基数单晶棒头中尾各三片生产单位乐山嘉源有限公司样品数量3片抽/送样日期2013-9-14检验状态符合检验要求检验日期2013-9-16检验类别委托检验检验依据国标GB/T1552-1995检验结果平均电阻率为0.615-cm 检验结论 符合合同要求主检人员：陈莉、何霞 质检机构（公章）审核人员：徐航、赵仕海批准人员：签发日期：2013年9月16日本讲稿第十页，共十一页谢谢观赏!本讲稿第十一页，共十一页