41晶体三极管及其基本放大电路.pptx
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1、4.1.1 晶体管的结构和符号晶体管的结构和符号多子浓度高多子浓度很低,且很薄第1页/共25页4.1.2 晶体管的电流放大作用晶体管的电流放大作用第2页/共25页 扩散运动形成发射极电流扩散运动形成发射极电流IE,复合运动形成,复合运动形成基极电流基极电流IB,漂移运动形成集电极电流,漂移运动形成集电极电流IC。发射结正偏,多子(电子)扩散基区多子浓度低,极少数电子与空穴复合集电结反偏,少子漂移IEIBIC ,第3页/共25页选择题:选择题:当PNP管工作在放大状态时,三个电极的电压应为()A VcVbVbVe C Vb VcVcVe 答:A知识点:放大状态应有发射结正偏、集电结反偏。第4页/
2、共25页4.1.3 晶体管的共射特性曲线晶体管的共射特性曲线1.输入特性uCE增大,集电结反偏更严重,基区电子更易漂移增大,集电结反偏更严重,基区电子更易漂移到集电区,复合作用减弱(到集电区,复合作用减弱(iB减小)减小)第5页/共25页2.2.输出特性输出特性饱和区放大区截止区放大区放大区:发射结正偏、集电结反偏发射结正偏、集电结反偏饱和区:发射结正偏、集电结正偏饱和区:发射结正偏、集电结正偏:uCE uBE;截止区:发射结反偏、集电结反偏截止区:发射结反偏、集电结反偏:uBE Uon第6页/共25页4.1.4主要参数主要参数 直流参数直流参数:、ICBO、ICEO 交流参数:交流参数:、f
3、T(使1的信号频率)极限参数极限参数:ICM、PCM、U(BR)CEO第7页/共25页4.1.5 温度对晶体管特性的影响温度对晶体管特性的影响第8页/共25页4.2.1 基本共射放大电路的工作原理基本共射放大电路的工作原理VBB、Rb:使:使UBE Uon,且有合适的,且有合适的IB。VCC:使:使UCEUBE,同,同时作为负载的能源。时作为负载的能源。Rc:将:将iC转换成转换成uCE(uO)。静态工作点静态工作点Q:IBQ、ICQ、UBEQ、UCEQ。1.各元件的作用4.2 放大电路的组成原则第9页/共25页例例2:下图为某电路的直流通路,已知VBEQ=0.7V,=80,求静态工作点Q。I
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- 41 晶体三极管 及其 基本 放大 电路
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