陈坚电力电子学半导体电力开关器件.pptx

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1、11电力开关器件家族树电力开关器件家族树l第1页/共54页22电力开关器件发展史电力开关器件发展史l第2页/共54页332.1 2.1 电力二极管电力二极管3电力二极管实物图l第3页/共54页44半导体半导体PN结结P型、N型半导体和PN结l第4页/共54页55半导体二极管基本特性半导体二极管基本特性单向导电性单向导电性 正向接法时内电场被削正向接法时内电场被削弱，扩散运动强于漂移弱，扩散运动强于漂移运动，掺杂形成的多数运动，掺杂形成的多数载流子导电，等效电阻载流子导电，等效电阻较小。较小。反向接法时内电场被增反向接法时内电场被增强，漂移运动强于扩散强，漂移运动强于扩散运动，光热激发形成的运动

2、，光热激发形成的少数载流子导电，等效少数载流子导电，等效电阻很大电阻很大。5半导体二极管的符号及正反向接法l第5页/共54页66半导体二极管基本特性半导体二极管基本特性单向导电性（续单向导电性（续1）正向接法反向接法l第6页/共54页77半导体二极管基本特性半导体二极管基本特性单向导电性（续单向导电性（续2）一般表达式：反向时的表达式：正向时的表达式：Is：反向饱和电流l第7页/共54页88半导体二极管基本特性半导体二极管基本特性单向导电性（续单向导电性（续3）PN结高频等效电路结高频等效电路l第8页/共54页99半导体电力二极管重要参数半导体电力二极管重要参数 半导体电力二极管的重要参数主要

3、用来衡量半导体电力二极管的重要参数主要用来衡量二极管使用过程中：二极管使用过程中：是否被过压击穿是否会过热烧毁开关特性l第9页/共54页1010额定电流的定义：额定电流的定义：其额定发热所允许的正弦半波电流的平均值其额定发热所允许的正弦半波电流的平均值。当正弦半波电流的峰值为当正弦半波电流的峰值为Im时，它可用下式计算：时，它可用下式计算：l第10页/共54页1111当正弦半波电流的峰值为当正弦半波电流的峰值为Im时，它可用下式计算：时，它可用下式计算：最大允许全周期均方根正向电流的定义：最大允许全周期均方根正向电流的定义：当二极管流过半波正弦电流的平均值为当二极管流过半波正弦电流的平均值为I

4、FR时，与时，与其发热等效的全周期均方根正向电流其发热等效的全周期均方根正向电流IFrms称为最称为最大允许全周期均方根正向电流。大允许全周期均方根正向电流。l第11页/共54页1212二极管电流定额的含义二极管电流定额的含义如手册上某电力二极管的额定电流为100A，说明：允许通过平均值为允许通过平均值为100A的正弦半波电流；的正弦半波电流；允许通过正弦半波电流的幅值为允许通过正弦半波电流的幅值为314A；允许通过任意波形的有效值为允许通过任意波形的有效值为157A的电流；的电流；在以上所有情况下其功耗发热不超过允许值。在以上所有情况下其功耗发热不超过允许值。由额定电流和最大允许全周期均方根

5、正向电流的公式，得：由额定电流和最大允许全周期均方根正向电流的公式，得：l第12页/共54页1313选择二极管电流定额的过程：选择二极管电流定额的过程：求出电路中二极管电流的有效值求出电路中二极管电流的有效值IFrms；求二极管电流定额求二极管电流定额IFR，等于，等于有效值有效值IFrms 除以除以1.57；将选定的定额放大将选定的定额放大1.5到到2倍以保证安全。倍以保证安全。l第13页/共54页1414半导体电力二极管的开关特性半导体电力二极管的开关特性开关过程，由导通状态转为阻断状态开关过程，由导通状态转为阻断状态并不是立即完成，它要经历一个短时并不是立即完成，它要经历一个短时的过渡过

6、程；的过渡过程；此过程的长短、过渡过程的波形对不此过程的长短、过渡过程的波形对不同性能的二极管有很大差异；同性能的二极管有很大差异；理解开关过程对今后选用电力电子器理解开关过程对今后选用电力电子器件，理解电力电子电路的运行是很有件，理解电力电子电路的运行是很有帮助的，因此应对二极管的开关特性帮助的，因此应对二极管的开关特性有较清晰的了解。有较清晰的了解。状态：状态：过程：过程：导通、阻断开通、关断l第14页/共54页1515半导体电力二极管的开关特性（续）半导体电力二极管的开关特性（续）二极管开通及反向恢复过程示意图二极管开通及反向恢复过程示意图l第15页/共54页1616半导体电力二极管的开

7、关特性（续）半导体电力二极管的开关特性（续）二极管关断过程示意图二极管关断过程示意图l第16页/共54页1717半导体电力二极管重要参数半导体电力二极管重要参数 有关半导体电力二极管使用特性和准则的几个有关半导体电力二极管使用特性和准则的几个重要参数是：重要参数是：最大允许反向重复峰值电压最大允许反向重复峰值电压额定电流额定电流最大允许的全周期均方根正向电流最大允许的全周期均方根正向电流最大允许非重复浪涌电流最大允许非重复浪涌电流最大允许的最大允许的PN结结温和管壳温度结结温和管壳温度结壳、壳散热器热阻结壳、壳散热器热阻反向恢复时间反向恢复时间l第17页/共54页1818半导体电力二极管重要参

8、数半导体电力二极管重要参数（续（续1）二极管关断电压、电流波形l第18页/共54页1919二极管的基本应用二极管的基本应用 整流整流续流续流l第19页/共54页2020晶体管基极电流对集电极电流的控制作用晶体管基极电流对集电极电流的控制作用静态特性静态特性 电力三极管使用参数和特性电力三极管使用参数和特性BJT(Bipolar Junction Transistor)或或GTR(Giant Transistor)2.2 2.2 双极结型电力晶体管双极结型电力晶体管BJTBJTl第20页/共54页2121晶体管基极电流对集电极电流的控制作用晶体管基极电流对集电极电流的控制作用三极管的结构和符号l

9、第21页/共54页2222晶体管基极电流对集电极电流的控制作用晶体管基极电流对集电极电流的控制作用(续续1)载流子流向示意图l第22页/共54页2323晶体管基极电流对集电极电流的控制作用晶体管基极电流对集电极电流的控制作用(续续2)基极电流控制集电极电流l第23页/共54页2424三极管的静态特性三极管的静态特性三极管输入、输出特性l第24页/共54页2525电力三极管使用参数和特性电力三极管使用参数和特性 图2.9 不同基极状态时，集射极击穿电压 1.集电极额定电压集电极额定电压2.集电极额定电流（最大允许电流）集电极额定电流（最大允许电流）3.饱和压降饱和压降4.基极电流的最大允许值基极

10、电流的最大允许值5.开通和关断时间开通和关断时间6.安全工作区安全工作区l第25页/共54页2626电力三极管的主要特点电力三极管的主要特点是电流驱动器件，控制基极电流就可控制电力三是电流驱动器件，控制基极电流就可控制电力三极管的开通和关断；极管的开通和关断；开关速度较快；开关速度较快；饱和压降较低；饱和压降较低；有二次击穿现象；有二次击穿现象；能控制较大的电流和较高的电压；能控制较大的电流和较高的电压；电力三极管由于结构所限其耐压难于超过电力三极管由于结构所限其耐压难于超过1500V，现今商品化的电力三极管的额定电压、电流大，现今商品化的电力三极管的额定电压、电流大都不超过都不超过1200V

11、、800A;已经淘汰已经淘汰l第26页/共54页27272.3 2.3 晶闸管及其派生器件晶闸管及其派生器件晶闸管实物图l第27页/共54页2828逆阻型晶闸管逆阻型晶闸管SCRSCR两个三极管正反馈两个三极管正反馈逆导型晶闸管逆导型晶闸管RCTRCT光控晶闸管光控晶闸管LCTLCT双向双向晶闸管晶闸管TRIACTRIACIGBTIGBT2.3 2.3 晶闸管及其派生器件晶闸管及其派生器件l第28页/共54页2929逆阻型晶闸管逆阻型晶闸管SCR两个三极管正反馈两个三极管正反馈晶闸管的结构、符号和结构模型l第29页/共54页3030AGKVsRIAIC1IgVgRgIC2ICT1T2P1J1N

12、1J2J3J2P2P2N1N2iB2(d)等效电路可控开通关断时：强迫其电流 下降到维持电流以下通态时晶闸管的等值电路晶闸管的等值电路l第30页/共54页3131静态伏安特性静态伏安特性 及及 dv/dt 防护防护l第31页/共54页3232 图中画斜线部分为一个图中画斜线部分为一个2 周期中晶闸管的电流波形。若周期中晶闸管的电流波形。若各波形的最大值为各波形的最大值为Im=100A，试计算各波形电流的平均值，试计算各波形电流的平均值Id1、Id2、Id3和电流有效值和电流有效值I1、I2、I3。若考虑二倍的电流安全裕量，选择额定电流为若考虑二倍的电流安全裕量，选择额定电流为100A的晶闸的晶

13、闸管能否满足要求？管能否满足要求？例例2-1答：见书39页l第32页/共54页3333逆导型晶闸管逆导型晶闸管RCT逆导晶闸管等值电路和符号l第33页/共54页3434光控晶闸管光控晶闸管LCT光控晶闸管符号及等值电路l第34页/共54页3535双向晶闸管符号、等效电路和伏安特性双向晶闸管双向晶闸管TRIACl第35页/共54页3636GTO符号及关断原理图GTO（GateTurn-OffThyristor）为什么能靠反向触发电流关断？为什么能靠反向触发电流关断？T2的电流分配系数较大；T1、T2饱和深度较浅2.4 2.4 门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管GTOGTO l第36页/共54页37

14、372.5 2.5 电力场效应晶体管电力场效应晶体管P PMOSFET MOSFET P-MOSFET基本结构、符号和外接电路l第37页/共54页38382.5 2.5 电力场效应晶体管电力场效应晶体管P PMOSFETMOSFET（续（续1 1）目前流行的结构具有垂直导电双扩散具有垂直导电双扩散MOS结构的结构的N沟增强型沟增强型VDMOS的结构的结构l第38页/共54页39392.5 2.5 电力场效应晶体管电力场效应晶体管P PMOSFETMOSFET（续（续2 2）l关断l导通导通和关断载流子流向示意图l第39页/共54页4040P-MOSFET特性曲线IDVGSVGSth(d)转移特

15、性IDVDSVGS=0VGS1=4VGS2=8VGS3=10(e)输出特性VBRPMOSFET的工况可用其转移特性和输出特性表述：2.5 2.5 电力场效应晶体管电力场效应晶体管P PMOSFET MOSFET（续（续3 3）l第40页/共54页41412.6 2.6 绝缘门极双极型晶体管绝缘门极双极型晶体管IGBTIGBT IGBT结构和等效电路GCERdrRbrT2T1ABl第41页/共54页4242ICVCEVGE=0VGE1VGE2VGE3VRM0(c)输出特性正向阻断区VGEVBRIcVGEVGEth(d)转移特性(a)符号ICGECGCEVgVSR(b)电路RdrRbrT2T1IC

16、ABRg符号、电路及静态特性 2.6 2.6 绝缘门极双极型晶体管绝缘门极双极型晶体管IGBTIGBT（续（续1 1）l第42页/共54页43432.6 2.6 绝缘门极双极型晶体管绝缘门极双极型晶体管IGBTIGBT（续（续2 2）GCEVgVRRdrRbrT2T1ICABRg什么是擎住效应：什么是擎住效应：v 集电极电流iC过大；v 集电极电压过高；v 关断速度过快。Rbr上的电压过大，可使T2导通，使IGBT失去关断能力。产生擎住效应的原因：产生擎住效应的原因：l第43页/共54页4444晶闸管引入一对MOSFET构成了场控晶闸管MCT（图2.19）开通P沟道的MOS管使MCT导通开通N

17、沟道的MOS管使MCT关断*2.7 MOS2.7 MOS控制晶闸管控制晶闸管MCTMCTl第44页/共54页4545：N沟道变宽，等效电阻小，SIT开通：N沟道夹断，等效电阻大，SIT关断特点：开关速度很快，可在100500kHz的高频开关状态下工作SIT是一种结型场效应晶体管，控制GS之间的电压可以改变电流通道（图中N沟道）的宽窄，从而控制SIT的通断。静电感应静电感应晶闸管晶闸管 SIT*2.8 2.8 静电感应晶体管静电感应晶体管l第45页/共54页4646l二极管和晶闸管模块二极管和晶闸管模块2.9 2.9 半导体电力开关模块和功率集成电路半导体电力开关模块和功率集成电路l第46页/共

18、54页4747l达林顿三极管功率模块达林顿三极管功率模块2.9 2.9 半导体电力开关模块和功率集成电路（续半导体电力开关模块和功率集成电路（续1 1）l第47页/共54页4848lMOSFET功率模块功率模块2.9 2.9 半导体电力开关模块和功率集成电路（续半导体电力开关模块和功率集成电路（续2 2）l第48页/共54页4949lAC-DC-AC变频功率模块变频功率模块2.9 2.9 半导体电力开关模块和功率集成电路（续半导体电力开关模块和功率集成电路（续3 3）l第49页/共54页5050小小 结结 根据开关器件开通、关断可控性的不同，开关器件可以分为三类：不可控器件不可控器件：仅二极管

19、：仅二极管D是不可控开关器件。是不可控开关器件。半控器件半控器件：仅普通晶闸管仅普通晶闸管SCR属于半控器件。可以控制属于半控器件。可以控制其导通起始时刻，一旦其导通起始时刻，一旦SCR导通后，导通后，SCR仍继续处于通仍继续处于通态。态。全控型器件全控型器件：三极管：三极管BJT、可关断晶闸管、可关断晶闸管GTO、电力场、电力场效应晶体管效应晶体管P-MOSFET、绝缘门极晶体管、绝缘门极晶体管IGBT都是全控都是全控型器件，即通过门极（或基极或栅极）是否施加驱动信型器件，即通过门极（或基极或栅极）是否施加驱动信号既能控制其开通又能控制其关断号既能控制其开通又能控制其关断l第50页/共54页

20、5151小小 结（续结（续1 1）根据开通和关断所需门极（栅极）驱动信号的不同要求，根据开通和关断所需门极（栅极）驱动信号的不同要求，开关器件又可分为电流控制型开关器件和电压控制型开关器件开关器件又可分为电流控制型开关器件和电压控制型开关器件两大类：两大类：SCR、BJT和和GTO为电流驱动控制型器件为电流驱动控制型器件PMOSFET、IGBT均为电压驱动控制型器件均为电压驱动控制型器件 三极管三极管BJT要求有正的、持续的基极电流开通并保持为通态，要求有正的、持续的基极电流开通并保持为通态，当基极电流为零后当基极电流为零后BJT关断。为了加速其关断，最好能提供负关断。为了加速其关断，最好能提

21、供负的脉冲电流。的脉冲电流。P-MOSFET和和IGBT要求有正的持续的驱动电压使其开通并要求有正的持续的驱动电压使其开通并保持为通态，要求有负的、持续的电压使其关断并保持为可靠保持为通态，要求有负的、持续的电压使其关断并保持为可靠的断态。电压型驱动器件的驱动功率都远小于电流型开关器件，的断态。电压型驱动器件的驱动功率都远小于电流型开关器件，驱动电路也比较简单可靠。驱动电路也比较简单可靠。l第51页/共54页5252可控性可控性驱动信号驱动信号额定额定电压、电流电压、电流工作频率工作频率饱和压降饱和压降二极管二极管不可控不可控无无 最大最大有高有高有低有低小小晶闸管晶闸管半控半控脉冲电流脉冲电

22、流（开通）（开通）最大最大最低最低小小GTO全控全控正、负正、负脉冲电流脉冲电流大大较低较低中中 BJT全控全控正电流正电流中中中中小小IGBT全控全控正电压正电压较大较大较高较高较小较小MOSFET全控全控正电压正电压小小最高最高大大常用电力半导体开关器件性能对比常用电力半导体开关器件性能对比l第52页/共54页5353 最近十年电力电子器件发展的一个重要趋势是将半导体最近十年电力电子器件发展的一个重要趋势是将半导体电力开关器件与其驱动、缓冲、监测、控制和保护等所有硬电力开关器件与其驱动、缓冲、监测、控制和保护等所有硬件集成一体，构成一个功率集成电路件集成一体，构成一个功率集成电路PICPIC。PICPIC实现了电能与实现了电能与信息的集成，如果能妥善解决信息的集成，如果能妥善解决PICPIC内部的散热、隔离等技术内部的散热、隔离等技术难题，今后难题，今后PICPIC将使电力电子技术发生革命性的变革。将使电力电子技术发生革命性的变革。大大 趋趋 势势l第53页/共54页5454l感谢您的观看。感谢您的观看。l第54页/共54页