频率响应特性.pptx

《频率响应特性.pptx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《频率响应特性.pptx（96页珍藏版）》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、频率失真包括以下两种情况 幅度频率失真 如图51(a)所示，若某待放大的信号是由基波(1)和三次谐波(31)所组成，如果放大器对三次谐波的放大倍数小于对基波的放大倍数，那么放大后的信号各频率分量的大小比例将不同于输入信号而产生失真。相位频率失真 如果放大器存在电抗元件使基波和三次谐波产生了不同的时延,则放大后的信号各频率分量的相位关系将不同于输入信号而产生失真。第1页/共96页第2页/共96页 二、线性失真和非线性失真 频率失真属于线性失真，线性失真和非线性失真都会使输出信号产生畸变，但两者有许多不同点：1.起因不同 线性失真由电路中的线性电抗元件引起，非线性失真由电路中的非线性元件引起(如晶

2、体管或场效应管的特性曲线的非线性等)。2.结果不同 线性失真是使信号中各频率分量的大小比例关系和时间关系发生了变化，或是滤掉了某些频率分量的失真，但在输出信号中不产生输入信号中所没有的新的频率分量。第3页/共96页 三、不失真条件理想频率响应 综上所述，若放大器对所有不同频率分量信号的放大倍数相同，延迟时间也相同，那么就不产生频率失真，故不产生频率失真的条件为式（5-2）(51)(52a)(52b)第4页/共96页 图52给出了不产生线性失真的振幅频率响应和相位频率响应，称之为理想频率响应。图52理想频率响应(a)理想振幅频率响应；(b)理想相位频率响应 第5页/共96页 512 实际的频率特

3、性及通频带定义 实际的振幅频率特性一般如图53所示。在低频和高频区放大倍数有所下降，而中间一段比较平坦。为分析方便起见，人们将实际的振幅频率响应划分为三个区域，即中频区、低频区和高频区。并定义上限频率fH、下限频率fL以及通频带BW，以便定量表征频率响应的实际状况。对于直接耦合放大器,其下限频率为零。第6页/共96页图53 实际的放大器幅频响应 第7页/共96页(53)(54)(55)(56)(57)第8页/共96页52 单级共射放大器的高频响应 521 晶体管的频率参数和高频等效电路 一、晶体管的高频等效电路 在第二章中，我们学习过晶体管的结电容包括势垒电容和扩散电容。发射结正向偏置时，扩散

4、电容成分较大，记为Cbe；而集电结为反向偏置，势垒电容起主要作用，记为 Cbc。在高频区，这些电容呈现的阻抗较小，其对电流的分流作用不可忽略。考虑这些极间电容影响后的高频混合小信号等效电路如图54所示。第9页/共96页图54 晶体管的高频小信号混合等效电路 第10页/共96页 二、晶体管的高频参数 1.共射短路电流放大系数(j)及其上限频率f 由于电容C be的影响，值将是频率的函数。根据的定义(58)(59)P45(2-32)第11页/共96页(511)|(j)|的频率特性如图55所示。第12页/共96页图55|(j)|与频率f的关系曲线 第13页/共96页 2.特征频率fT 特征频率fT定

5、义为|(j)|下降到1所对应的频率，如图55所示。当f=fT时:(512)第14页/共96页3.共基短路电流放大系数(j)及f因为(513)第15页/共96页 522 共射放大器的高频响应分析 一、共射放大器的高频小信号等效电路 图56(a)所示的共射放大器的晶体三极管用其高频小信号模型代替得交流等效电路如图56(b)所示。该电路中Cbc跨接在输入回路和输出回路之间，使高频响应的估算变得复杂化，所以首先应用密勒定理将其作单向化近似。第16页/共96页图56（a)共射放大器电路 第17页/共96页图56 (b)共射放大器的高频小信号等效电路 (设RB1RB2Rs 忽略)第18页/共96页 二、密

6、勒定理以及高频等效电路的单向化模型 密勒定理给出了网络的一种等效变换关系，它可以将跨接在网络输入端与输出端之间的阻抗分别等效为并接在输入端与输出端的阻抗。如图57(a)所示，阻抗Z跨接在网络N的输入端与输出端之间，则等效到输入端的阻抗Z1为 第19页/共96页图57 密勒定理及等效阻抗 (a)原电路；I1I2第20页/共96页图57密勒定理及等效阻抗 (b)等效后的电路 I1I2第21页/共96页(514)(515)第22页/共96页(516)(517)(519a)(518)(519b)第23页/共96页(520)(521)(522)利用图58(b)的单向化简化模型，我们很快可以估算出电路的频

7、率响应和上限频率fH。单向化简化模型参数:第24页/共96页图58密勒等效后的单向化等效电路(a)单向化模型；(b)进一步的简化等效电路 第25页/共96页三、放大器高频增益表达式及上限频率由图58(b)可见(523)(524)第26页/共96页为中频增益(525a)(525b)(526)(527)(528)其中为附加相移第27页/共96页 根据式(526)、(527)画出单级共射放大器的幅频特性和相频特性分别如图59(a),(b)所示。在半功率点处对应的附加相移为-45，而当频率f10fH以后，附加相移趋向于最大值(-90)。第28页/共96页图59 考虑管子极间电容影响后的共射放大器频率响

8、应(a)幅频特性；(b)相频特性；(c)幅频特性波特图；(d)相频特性波特图 第29页/共96页四、频率特性的波特图近似表示法将式(524)用对数频率响应来表示，即第30页/共96页 五、负载电容和分布电容对高频响应的影响 令式(524)中的Aus(j)为Aus(j),Uo为Uo H为H1,如图510(b)所示。第31页/共96页图510 包含负载电容CL的电路及等效电路 (a)电路；(b)等效电路 第32页/共96页(529)第33页/共96页(531)(530)(532)(533)如果H2H2H1H1,则H H H1第34页/共96页图511 同时考虑Ci和CL影响的波特图 第35页/共9

9、6页六、结果讨论通过以上分析，为我们设计宽带放大器提供了依据。1.选择晶体管的依据；2.信号源内阻Rs对高频特性的影响；3.关于集电极负载电阻RC的选择原则；4.注意负载电容CL对高频特性的影响；第36页/共96页图512 插入共集电路以减小Rs大、CL大对fH的不良影响第37页/共96页53 共集电路的高频响应 共集电路如图513(a)所示。这里，我们有意将基区体电阻rbb拉出来，并将Cbc及Cbe这两个对高频响应有影响的电容标于图中。与共射电路对比，我们有理由说，共集电路的高频响应比共射电路要好得多，即 f H(CC)f H(CE)。第38页/共96页图513共集电路高频响应的讨论(a)电

10、路；(b)高频交流通路及密勒等效第39页/共96页 一、Cbc的影响 由于共集电路集电极直接连接到电源UCC，所以Cbc相当于接在内基极“b”和“地”之间，不存在共射电路中的密勒倍增效应。因为Cbc本身很小(零点几几pF),只要源电阻Rs及rbb较小，Cbc对高频响应的影响就很小。第40页/共96页 二、C be的影响 这是一个跨接在输入端与输出端的电容，利用密勒定理将其等效到输入端(如图513(b)所示)，则密勒等效电容CM为(534)Au为共集电路的电压增益，是接近于1的正值，故CMCbe。第41页/共96页 三、CL的影响(535)只要源电阻Rs较小，工作点电流ICQ较大，则Ro可以做到

11、很小。所以时常数RoCL很小，fH2很高。因此说共集电路有很强的承受容性负载的能力。第42页/共96页54共基电路的高频响应 共基电路如图514所示，我们来考察晶体管电容C be和C bc以及负载电容CL对高频响应的影响。第43页/共96页图514共基电路高频响应的讨论(a)电路；(b)高频交流通路第44页/共96页图514共基电路高频响应的讨论(a)电路；(b)高频交流通路第45页/共96页 一、C be的影响 由图可见，如果忽略rbb的影响，则C be直接接于输入端，输入电容Ci=C be，不存在密勒倍增效应，且与C bc无关。所以，共基电路的输 入 电 容 比 共 射 电 路 的 小 得

12、 多。而 且 共 基 电 路 的 输 入 电 阻Rire=26mV/ICQ，也非常小，因此，共基电路输入回路的时常数很小，fH1很高。理论分析的结果fH1fT。第46页/共96页 二、C bc及CL的影响 如图514(b)所示，如果忽略rbb 的影响，则 Cbc直接接到输出端，也不存在密勒倍增效应。输出端总电容为Cbc+CL。此时，输出回路时常数为Ro(Cbc+CL)，输出回路决定的fH2为(536)第47页/共96页三、共射共基级联的高频响应如图515所示 图515共射共基级联放大器第48页/共96页图516 共射共基差分宽带集成放大器电路(CA3040)第49页/共96页55 差分放大器的

13、频率响应 差分放大器的频率响应与单管放大器没有本质上的区别。如图517(a)所示，对于差模信号来说可用“半电路”来分析，其“半电路”如图517(b)所示。根据前面对共射放大器高频响应的分析可知，差分放大器双端输出的高频增益表达式为(537)第50页/共96页图517 差分放大器电路(a)差分放大器电路；(b)半电路 第51页/共96页 图519所示的电路，是一种单端输出的差分放大器,其具有较宽的频带,因为它实际上是共集-共基组态放大器,而共集、共基电路的上限频率都较共射高，所以总的上限频率主要受负载RC和CL的制约。(538)(539)第52页/共96页图518 共集共基组态差分放大器第53页

14、/共96页图519用于集成电路输入级的共集共基第54页/共96页56 场效应管放大器的高频响应 561场效应管的高频小信号等效电路 无论是MOS管或结型场效应管，其高频小信号等效电路都可以用图520所示的模型表示。图中，Cgs表示栅、源间的极间电容，Cgd表示栅、漏间的极间电容，Cds表示漏、源间的极间电容。第55页/共96页图520场效应管的高频小信号等效电路第56页/共96页 562场效应管放大器的高频响应 典型的场效应管共源放大器电路如图521(a)所示，其高频小信号等效电路如图521(b)所示。第57页/共96页图 521场 效 应 管 放 大 器 及 其 高 频 小 信 号 等 效

15、电 路 (a)放大电路；(b)等效电路第58页/共96页图 521场 效 应 管 放 大 器 及 其 高 频 小 信 号 等 效 电 路 (a)放大电路；(b)等效电路第59页/共96页 由图5-21(b)可见，Cgd是跨接在放大器输入端和输出端之间的电容。应用密勒定理作单向化处理，可将Cgd分别等效到输入端(用CM表示)和输出端(用CM表示)，如图522所示。其中:(540)(541)第60页/共96页图522场效应管共源放大器单向化模型第61页/共96页(542)(543)(544)(545)(546)第62页/共96页 上述分析结果显示：(1)要提高fH,必须选择Cgs,Cgd,Cds小

16、的管子。(2)fH高和AuIs大是一对矛盾，所以在选择RD时要兼顾fH和AuIs的要求。(3)由于Ci(=Cgs+CM)的存在，希望有恒压源激励，即要求源电阻Rs小。共漏电路、共栅电路以及场效应管差分放大器的高频响应分析方法和晶体管电路的十分相似，在此不予重复。第63页/共96页57 放大器的低频响应 571 阻容耦合放大器的低频等效电路 阻容耦合共射放大器电路如图523(a)所示。在低频区，随着频率的下降，电容C1、C2、CE呈现的阻抗增大，其分压作用不可忽视，故画出低频等效电路如图523(b)所示。第64页/共96页 图523(c)中，将gm 直接接地，对输出电压和增益的计算不会有影响。图

17、523阻容耦合共射放大器及其低频等效电路第65页/共96页图523阻容耦合共射放大器及其低频等效电路第66页/共96页图523阻容耦合共射放大器及其低频等效电路第67页/共96页 572阻容耦合放大器低频响应分析 由图523(c)可见，因为有gm 的隔离作用，C2对频率特性的影响与输入回路无关，可以单独计算。这样，在讨论C1、CE对低频特性的影响时可设C2短路;反之，在讨论C2对低频特性的影响时，可视C1、CE短路。第68页/共96页 一、C1、E对低频特性的影响 如图523(c)所示，将随频率的下降而下降。一般电路能满足条件(547)(548)第69页/共96页(549)(550)(551)

18、(552)第70页/共96页 定性画出低频增益的幅频特性和相频特性如图524。可见，C1、CE的 作 用 使 放 大 器 的 低 频 响 应 下 降，其 下 限 角 频 率L1反 比 于 时 常 数(Rs+rbe)C。当=L1时，附加相移为+45，其最大附加相移为+90。(553)(554)第71页/共96页图524阻容耦合放大器C1及CE引入的低频响应第72页/共96页图525C2对低频响应影响的等效电路第73页/共96页 二、C2对低频响应的影响 如前所述，在考虑C2的影响时，忽略C1、CE对低频响应的作用。为分析方便起见，将低频等效电路改画为图525所示，可见第74页/共96页(555)

19、(556)第75页/共96页(中频源增益)(C2引入的下限角频率)(557)(558)(559)(560)第76页/共96页 三、讨论 (1)C1、E、C2越大，下限频率越低，低频失真越小，附加相移也将会减小。(2)因为CE等效到基极回路时要除以(1+)，所以若要求CE对L1的影响与C1相同，需要求取CE=(1+)C1,所以射极旁路电容的取值往往比C1要大得多。(3)工作点越低，输入阻抗越大，对改善低频响应有好处。第77页/共96页 (4)RC,RL越大，对低频响应也有好处。(5)C1、CE、C2的影响使放大器具有高通特性，在下限频率点处，附加相移为正值，说明输出电压超前输入电压。(6)同时考

20、虑低频和高频响应时，完整的频率特性如图526所示。第78页/共96页图526阻容耦合放大器完整的频率响应第79页/共96页58 多级放大器的频率响应 如果放大器由多级级联而成，那么，总增益(561)(562)第80页/共96页 581多级放大器的上限频率fH 设单级放大器的增益表达式为(563)(564)第81页/共96页(565)式中，|AuI|=|AuI1|AuI2|AuIn|为多级放大器中频增益。令(566)(567)(568)第82页/共96页 582多级放大器的下限频率fL 设单级放大器的低频增益为(569)(570)(571)(572)第83页/共96页解得多级放大器的下限角频率近

21、似式为若各级下限角频率相等，即L1=L2=Ln,则(574)第84页/共96页59 建立时间tr与上限频率fH的关系 591建立时间tr的定义 建立时间是描述一个线性网络对快速变化信号的反应能力。例如有一个一阶低通网络，如图527所示，如果在其输入端加一个阶跃信号，则在输入信号突跳时，输出信号是不能突跳的，而是以指数规律上升至稳定值。所谓建立时间tr是描述该电压上升快慢的一个指标，其定义为：uo从10%Uom上升到90%Uom所需要的时间。第85页/共96页图527 建立时间tr的定义 第86页/共96页对于一阶RC电路，可以导出根据tr的定义，可得出tr与时常数H=RC的关系式为(576)(

22、575)第87页/共96页 592建立时间与上限频率的关系 建立时间表示电路对快速信号的反应能力，通常称建立时间为暂态指标。而上限频率可表示电路对高频信号的响应能力，通常称为稳态指标。它们从不同的角度描述电路的性能。我们知道，如果信号的前沿越陡峭，其高频分量必然越丰富，所以建立时间tr短，则上限频率fH一定高。从前面分析可见，高频等效电路实际上是个简单的一阶低通电路，时常数RC与上限频率的关系式由式(526)可见：第88页/共96页(577)对比式(576)，建立时间tr与RC的关系式得出上限频率fH1与建立时间tr1的关系式为第89页/共96页510 举例及计算机仿真 例1 利用Pspice

23、及Workbench软件平台，很容易计算和显示频率响应(包括幅频特性和相频特性)。图528给出了单级阻容耦合共射放大器电路及其对数频率响应。图中晶体管型号为2N2712，负载电容为10pF，耦合电容为10F，旁路电容为100F。用波特图仪测得中频增益为45.97dB。移动光标位置至42.96dB处，可分别测得下限频率为125Hz，上限频率为3.16MHz。第90页/共96页 中频相移为-180(说明输出信号与输入反相)；对应下限频率处的相移为-135(附加相移为+45)；对应上限频率处的相移为-225(附加相移为-45)。第91页/共96页图528共射放大器电路和频率响应(a)电路；(b)幅频特性和相频特性第92页/共96页 改变电路参数，将负载电容增大到100pF，耦合电容减小到1F，重新测得下限频率上升到285Hz，而上限频率下降到514kHz。可见频带变窄了。第93页/共96页 例2从Workbench器件库中调出集成运算放大器OP-07。用波特图仪测得其低频增益为114dB,而上限频率仅为1.22Hz。可见集成运算放大器的增益是非常大的，但频带非常窄，而且因为是直接耦合，所以下限频率fL=0。第94页/共96页图529集成运算放大器OP-07的对数幅频特性第95页/共96页感谢您的观看！第96页/共96页