[精选]第四章NIOSII外围设备9148.pptx
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1、基于FPGA的SOPC设计信息学院李贞妮二一三年五月1第四章 Nios II 外围设备2本章介绍了Nios II处理器常用外围设备(Peripherals)内核的特点、配置以及软件编程。这些外设都是以IP核的形式提供给用户的,用户可以根据实际需要把这些IP核集成到Nios II系统中去。主要介绍:硬件结构;内核的特性和接口;SOPC Builder中各内核的配置选项;软件编程。主要内容3本章内容4.1 并行输入/输出(PIO)内核4.2 SDRAM控制器内核4.3 CFI(通用Flash)控制器内核4.4 EPCS控制器内核4.5 定时器内核4.6 UART内核4.7 JTAG_UART内核4
2、.8 SPI内核4.9 DMA内核4.10 带Avalon接口的互斥内核4.11 带Avalon接口的邮箱内核4.12 System ID内核4本章内容4.1 并行输入并行输入/输出输出(PIO)内核内核4.2 SDRAM控制器内核4.3 CFI(通用Flash)控制器内核4.4 EPCS控制器内核4.5 定时器内核4.6 UART内核4.7 JTAG_UART内核4.8 SPI内核4.9 DMA内核4.10 带Avalon接口的互斥内核4.11 带Avalon接口的邮箱内核4.12 System ID内核54.1 并行输入/输出内核并行输入/输出内核(PIO内核)提供Avalon从控制器端口
3、和通用I/O口间的存储器映射接口。PIO内核提供简单的I/O访问用户逻辑或外部设备,例如:控制LED读取开关量控制显示设备配置并且与片外设备通信说明:说明:1.SOPC Builder中提供了PIO内核,可以很容易将PIO内核集成到SOPC Builder生成的系统中。2.通用I/O端口既连接到片内逻辑又连接到外部设备的FPGA I/O管脚。64.1 并行输入/输出内核PIO内核简介最多32个I/O端口CPU内核PIO内核寄存器Nios II 系统PIO内核Pio31Pio30Pio29Pio3Pio2Pio1Pio0Pio7Pio6Pio5Pio4Pio3Pio2Pio1Pio0PIO内核端
4、口数可设置每个Avalon接口的PIO内核可提供32个I/O端口且端口数可设置,用户可以添加一个或多个PIO内核。CPU通过I/O寄存器控制I/O端口的行为。I/O口可以配置为输入、输出和三态,还可以用来检测电平事件和边沿事件。CPU通过寄存器控制I/O端口行为PIO内核结构框图74.1 并行输入/输出内核PIO内核寄存器描述偏移量寄存器名称R/W(n-1)2100数据寄数据寄存器存器读访问R读入输入引脚上的逻辑电平值写访问W向PIO输出口写入新值1方向寄存器方向寄存器R/W控制每个I/O口的输入输出方向。0:输入;1:输出。2中断屏蔽寄存器中断屏蔽寄存器 R/W使能或禁止每个输入端口的IRQ
5、。1:中断使能;0:禁止中断。3边边沿捕沿捕获获寄存器寄存器 R/W 当边沿事件发生时对应位置1。注:注:该寄存器是否存在取决于硬件的配置。如果该寄存器不存在,那么读寄存器将返回未定义的值,写寄存器无效。写任意值到边沿捕获寄存器将清除所有位为0。“该寄存器是否存在取决于硬件的配置。如果该寄存器不存在,那么读寄存器将返回未定义的值,写寄存器无效。”8PIO内核寄存器描述数据寄存器:读数据寄存器:返回在输入引脚上出现的值。如果PIO内核硬件配置为:“Output ports only”,则读数据寄存器返回未定义的值。写数据寄存器:驱动输出口输出写入的值。如果PIO内核硬件配置为:“Input po
6、rts only”,则写数据寄存器无效。如果PIO内核配置在双向模式下,那么方向寄存器中对应为设为1时,值才输出。4.1 并行输入/输出内核9PIO内核寄存器描述方向寄存器:只有PIO工作模式配置为“Bidirectional ports”时,方向寄存器才存在。PIO工作模式在添加PIO内核时指定,且在系统生成后不能改变。方向寄存器控制每个PIO口的数据方向。当方向寄存器中的位n设为1时,端口n为输出模式;0时,端口n为输入模式。复位后,方向寄存器的所有位设置为0,所有的双向I/O口配置为输入。4.1 并行输入/输出内核10PIO内核寄存器描述中断屏蔽寄存器:当中断屏蔽寄存器的位设为1时,使能
7、相对应的PIO输入口中断。中断操作取决于PIO内核的硬件配置,只有配置为输入口时才能进行中断操作。中断屏蔽寄存器只有在硬件配置为“Generate IRQ”时才存在。复位后,中断屏蔽寄存器所有位为0,禁止所有PIO口的中断。4.1 并行输入/输出内核11PIO内核寄存器描述边沿捕获寄存器:只要在输入口上检测到边沿事件时,边沿捕获寄存器(Edgecapture)中对应位n置1。Avalon主控制器可读边沿捕获寄存器来确定边沿在哪一个PIO输入口出现。写任意值到边沿捕获寄存器将使寄存器所有位清0.要检测的类型在PIO添加时指定。4.1 并行输入/输出内核12PIO内核寄存器描述中断操作:当硬件配置
8、为电平触发方式时,只要高电平出现并且中断使能,就申请一个中断。当硬件配置为边沿触发方式时,只要捕获到边沿事件并且中断使能时,就申请一个中断。中断IRQ一直保持有效直到禁止中断(中断屏蔽寄存器相应位清0)或清边沿捕获标志(向边沿捕获寄存器写一个任意值)为止。每个PIO核的I/O口共用一个中断号(系统生成时指定),用户需要在中断服务子程序中通过中断掩码的方式来查明是哪个I/O口产生了中断。4.1 并行输入/输出内核134.1 并行输入/输出内核双击 PIO内核配置选项144.1 并行输入/输出内核 PIO内核配置选项Basic Settings 选项卡I/O口宽度口宽度:可设置为132的任何整数值
9、。Direction中文描述Bidirectional(tri-state)ports双向(三态)端口Input ports only仅为输入端口Output ports only仅为输出端口Both input and output ports输入和输出端口154.1 并行输入/输出内核 PIO内核配置选项Basic Settings 选项卡Direction中文描述Bidirectional(tri-state)ports双向(三态)端口Input ports only仅为输入端口Both input and output ports输入和输出端口output ports only仅为输出
10、端口164.1 并行输入/输出内核 PIO内核配置选项Input Options 选项卡边沿捕获寄存器中断寄存器Rising Edge:上升沿Falling Edge:下降沿Either Edge:上升或下降沿Level:输入为高电平且中断使能,则PIO内核产生一个IRQ。Edge:边沿捕获寄存器相应位为1且中断使能,则PIO内核产生一个IRQ。说明:当指定类型的边沿在输入端口出现时,边沿捕获寄存器对应位置1。说明:中断只有高电平中断,如果希望低电平时中断,则需在该I/O输入引脚前加一个“非”门。174.1 并行输入/输出内核 PIO内核配置选项Simulation 选项卡当需要对外进行仿真时
11、,要设置simulation选项卡。184.1 并行输入/输出内核软件编程PIO内核提供了对硬件进行寄存器级访问的文件。Altera_avalon_pio_regs.h该文件定义了内核的寄存器映射并提供硬件设备访问宏定义。设备驱动程序使用该文件中的宏定义访问硬件。可通过阅读上述文件以熟悉PIO设备的软件访问方法,但不应该修改文件。194.1 并行输入/输出(PIO)内核4.2 SDRAM控制器内核控制器内核4.3 CFI(通用Flash)控制器内核4.4 EPCS控制器内核4.5 定时器内核4.6 UART内核4.7 JTAG_UART内核4.8 SPI内核4.9 DMA内核4.10 带Ava
12、lon接口的互斥内核4.11 带Avalon接口的邮箱内核4.12 System ID内核本章内容204.2 SDRAM控制器内核SDRAM控制器内核概述SDRAM控制器内核提供一个连接片外SDRAM芯片的Avalon接口,并可以同时连接多个SDRAM芯片通常用于需要大量易失性存储器且成本要求高的应用系统。SDRAM便宜,但需要实现刷新操作,行列管理,不同延迟和命令序列等逻辑。SDRAM控制器内核提供了连接一个或多个SDRAM芯片的接口,并处理所有SDRAM协议要求。214.2 SDRAM控制器内核SDRAM控制器内核概述SDRAM控制器内核具有不同数据宽度(8、16、32或64位)、不同内存
13、容量和多片选择等设置。SDRAM控制器可选择与其他的片外Avalon三态器件共用地址和数据总线,该特性在I/O引脚资源紧张的系统中很有用。SDRAM芯片必须和Avalon接口一样以相同的时钟驱动。利用片内PLL来调整SDRAM控制器内核与SDRAM芯片之间的时钟相位差。224.2 SDRAM控制器内核234.2 SDRAM控制器内核SDRAM控制器内核概述PPL(片内锁相环):通常用于调整SDRAM控制器内核与SDRAM芯片之间的相位差。Avalon三态桥:SDRAM控制器可与现有三态桥共用引脚,这用能减少I/O引脚使用,但将降低性能。fMAX(最高时钟频率):目标FPGA的系列和整个硬件设计
14、都会影响硬件设计可实现的最高时钟频率。244.2 SDRAM控制器内核 SDRAM内核配置选项可直接选择预定义的SDRAM芯片型号,对话框将自动改变下面两个选项卡的值来匹配指定配置。Memory Profile:用于指定SDRAM的结构。例如地址和数据线宽度,片选信号的数目和区的数目等。254.2 SDRAM控制器内核数据宽度 允许值:8、16、32、64 默认值:32 描述:该值确定dq总线(数据)和dqm总线(字节使能)的宽度。具体数值请查阅SDRAM数据手册。264.2 SDRAM控制器内核结构设置片选 允许值:1、2、4、8 默认值:1 描述:独立芯片的数目在SDRAM子系统中选择。通
15、过使用多个片选信号,SDRAM控制器可组合多个SDRAM芯片为一个存储器子系统。274.2 SDRAM控制器内核结构设置区 允许值:2、4 默认值:4 描述:区的数目,该值确定连接到SDRAM的ba总线(区地址)宽度。具体数值请查阅SDRAM数据手册。284.2 SDRAM控制器内核地址宽度设计行 允许值:11、12、13、14 默认值:12 描述:行地址位的数目。该值确定addr总线的宽度。具体数值请查阅SDRAM数据手册。294.2 SDRAM控制器内核地址宽度设计列 允许值:=8,且小于行的值 默认值:8 描述:列地址位的数目。例如,SDRAM排列为4096行、512(29)列,所以列的
16、值为9。具体数值请查阅SDRAM数据手册。304.2 SDRAM控制器内核通过三态桥共用管脚允许值:是、否 默认值:否 描述:当设为No时,所有管脚都专用于SDRAM芯片。当设为Yes时,addr,dq和dqm管脚在系统内可与三态桥共享。314.2 SDRAM控制器内核当控制器与其他三态器件共用引脚时,平均访问时间通常增加而带宽减少。当其他器件访问三态桥时,SDRAM要求行开启和结束开销周期。SDRAM控制器必须在再次授权访问之前连续等待几个时钟周期。为了使带宽最大化,只要紧接的读或写操作在相同行和区内连续,SDRAM控制器就自动保留三态桥的控制。只要在紧接操作中出现间隔,或需要一个刷新操作时
17、,SDRAM控制器才关闭一个行列,因此控制器不能永久阻止访问其他共用三太桥的器件。324.2 SDRAM控制器内核包括系统测试台的功能存储模块允许值:是、否默认值:是 描述:当打开选项时,SOPC Builder创建SDRAM芯片的功能仿真模型。该默认的存储器模型加速创建的过程和检验使用SDRAM控制器的系统。334.2 SDRAM控制器内核消息框 显示SDRAM期望的内存容量,以兆字节,兆位以及可寻址的字数为单位。将这些期望值与选择的SDRAM的实际大小相比较可以检验设置是否正确。344.2 SDRAM控制器内核 SDRAM内核配置选项Timing:根据在SDRAM芯片数据手册中提供的参数来
18、设置芯片的时序规范354.2 SDRAM控制器内核CAS等待时间允许值:1、2、3默认值:3 描述:从读命令到数据输出的等待时间(以时钟周期计算)。364.2 SDRAM控制器内核初始化刷新周期允许值:1-8默认值:2 描述:复位后,该值指定SDRAM控制器将执行多少个刷新周期作为初始化序列的一部分。374.2 SDRAM控制器内核每隔一段时间执行一个刷新命令允许值:-默认值:15.625us 描述:该值指定SDRAM控制器多久刷新一次SDRAM。典型的SDRAM每64ms需要4,096刷新命令,通过每64ms/4,096=15.625us执行一个刷新命令来符合这个要求。384.2 SDRAM
19、控制器内核在初始化前、上电后延时 允许值:-默认值:100us 描述:从稳定的时钟和电源到SDRAM初始化的延时。394.2 SDRAM控制器内核刷新命令(t_rfc)的持续时间允许值:-默认值:70ns 描述:自动刷新周期。404.2 SDRAM控制器内核预充电命令(t_rp)的持续时间允许值:-默认值:20ns 描述:预充电命令周期。414.2 SDRAM控制器内核ACTIVE到READ或WRITE延时允许值:-默认值:20ns 描述:ACTIVE到READ或WRITE延时。424.2 SDRAM控制器内核访问时间(t_ac)允许值:-默认值:5.5ns 描述:时钟边沿的访问时间。该值由C
20、AS的等待时间决定。434.2 SDRAM控制器内核写恢复时间(t_wr,无自动预充电)允许值:-默认值:14ns 描述:如果执行了明确的预充电命令,写恢复。该SDRAM控制器总是执行明确的预充电命令。444.2 SDRAM控制器内核Timing选型卡无论用户输入的精确时序值如何,每个参数实现的实际时序将为Avalon时钟的整数倍。对于每隔一段时间执行一个刷新命令的参数,实际时序将不超出目标值。对于其他所有参数,实际时序将大于或等于目标值。454.2 SDRAM控制器内核软件编程当通过Avalon接口访问时,SDRAM控制器操作起来像简单的SRAM存储器,没有可配置的软件设置,没有存储器映射的
21、寄存器。处理器访问SDRAM控制器不需要软件驱动程序。464.2 SDRAM控制器内核SDRAM应用一个带32位数据总线的128Mbit SDRAM芯片474.2 SDRAM控制器内核SDRAM应用两个带16位数据总线的64Mbit SDRAM芯片结果为:一个结果为:一个128M位,数据总线宽度为位,数据总线宽度为32位的存储器位的存储器484.2 SDRAM控制器内核SDRAM应用两个带32位数据总线的128Mbit SDRAM芯片结果为:一个结果为:一个256M位,数据总线宽度为位,数据总线宽度为32位的存储器位的存储器494.2 SDRAM控制器内核SDRAM应用504.1 并行输入/输
22、出(PIO)内核4.2 SDRAM控制器内核4.3 CFI(通用通用Flash)控制器内核控制器内核4.4 EPCS控制器内核4.5 定时器内核4.6 UART内核4.7 JTAG_UART内核4.8 SPI内核4.9 DMA内核4.10 带Avalon接口的互斥内核4.11 带Avalon接口的邮箱内核4.12 System ID内核本章内容514.3 CFI控制器内核CFI控制器内核综述对于Nios II处理器,Altera为CFI控制器提供硬件抽象层(HAL)驱动程序。驱动程序提供了遵循CFI接口规范的Flash存储器的通用访问函数。因此,用户不需要写任何代码就可以访问遵循CFI接口规范
23、的Flash器件。NIOSII开发套件提供一个基于NIOSII处理器和CFI控制器的下载程序Flash Programmer,可以用来将程序下载到任何连接到Altera FPGA的遵循CFI的Flash存储器中。524.3 CFI控制器内核CFI控制器内核综述CFI控制器框图534.3 CFI控制器内核 CFI控制器内核设置CFI控制器框图Attributes:用于完成Presets、size和 Board Info这3个选项的设定。Presets:选择预设好的CFI Flash。当选定某个芯片型号,该CFI控制器的所有设置都会相应更新。Size:地址宽度:Flash地址总线宽度。数据宽度:F
24、lash数据总线宽度。大小设置使SOPC Builder为Flash器件分配正确的地址空间。Board Info:该设置与NIOSII IDE中集成的Flash Programmer相关。用于映射CFI控制器目标系统板元件的已知芯片。544.3 CFI控制器内核 CFI控制器内核设置CFI控制器框图Timing:用于完成时序设置,包括建立时间、等待周期、保持时间等。Setup:chipselect有效后,read或write信号有效前所需的时间。Wait:每次数据传输过程中,read或write信号需要保持的时间。Hold:write信号无效后,chipselect信号无效前所需要的时间。Un
25、its:用于Setup、Wait和Hold值的时间单位,可以是ns、us、ms和时钟周期。55软件编程Avalon主控制器可以直接读Flash芯片。对于Nios II处理器用户,Altera提供HAL系统库驱动程序和API函数来支持对Flash存储器的擦除和写操作。当前,Altera提供的CFI控制器驱动程序仅支持AMD和Intel的Flash芯片。4.3 CFI控制器内核564.1 并行输入/输出(PIO)内核4.2 SDRAM控制器内核4.3 CFI(通用Flash)控制器内核4.4 EPCS控制器内核控制器内核4.5 定时器内核4.6 UART内核4.7 JTAG_UART内核4.8 S
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- 精选 第四 NIOSII 外围设备 9148
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