高等有机化学_8.1 芳环上的亲电和亲核取代反应.ppt
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1、第八章第八章 芳环上的亲电芳环上的亲电和亲核取代反应和亲核取代反应 芳环上离域的芳环上离域的电子的作用,易于发生电子的作用,易于发生亲电取代反应,只有当芳环上引入了强吸电亲电取代反应,只有当芳环上引入了强吸电子基团,才能发生亲核取代反应。子基团,才能发生亲核取代反应。8.1 芳环的亲电取代反应芳环的亲电取代反应8.1.1 芳环上的亲电取代历程芳环上的亲电取代历程1.亲电试剂的产生亲电试剂的产生亲电试剂亲电试剂2 络合物的形成络合物的形成芳环上电子云密度大芳环上电子云密度大-配合配合物物3.络合物的形成络合物的形成sp3杂化杂化4.消去消去H+,恢复芳环的恢复芳环的Kekul结构结构 络合物的证
2、据络合物的证据络合物的证据络合物的证据通过红外和核磁等通过红外和核磁等可鉴定其结构可鉴定其结构芳香稳定性芳香稳定性黄色黄色加成-消除历程-络合物生成是决定反应速率的步骤络合物生成是决定反应速率的步骤 这种机理称这种机理称:ArAr-S-SE E8.1.2 苯环上亲电取代反应的定位规律苯环上亲电取代反应的定位规律 从反应速度和取代基进入的位置进行考虑从反应速度和取代基进入的位置进行考虑1.第一类定位基第一类定位基(邻、对位定位基邻、对位定位基)-I+C 2.第二类定位基(间位定位基)第二类定位基(间位定位基)均为致钝基均为致钝基均为致钝基均为致钝基8.1.3定位规律在有机合成中的应用定位规律在有
3、机合成中的应用8.1.4典型的芳香亲电取代反应典型的芳香亲电取代反应1.硝化反应硝化反应HNO3-H2SO4为常见的硝化试剂为常见的硝化试剂真正的硝化试剂真正的硝化试剂混酸体系有强氧化性混酸体系有强氧化性 同时还有部分氧化产物同时还有部分氧化产物同时还有部分氧化产物同时还有部分氧化产物 HNO3/CCl4低温时的硝化速度较快低温时的硝化速度较快2磺化反磺化反应应亲电试剂为亲电试剂为SO3或或(共(共轭轭酸)酸)特点:特点:(1)可逆反应,可用于芳环的定向取代(可逆反应,可用于芳环的定向取代(占位占位占位占位);(2)置换反应,合成一些难于合成的物质。置换反应,合成一些难于合成的物质。(2)N-
4、卤代酰胺或卤代酰胺或N-卤代卤代磺酰胺作卤化剂磺酰胺作卤化剂3卤化反应卤化反应(1)卤素作卤化剂)卤素作卤化剂卤化性能较差,只与活泼芳烃反应,可避免氧化反应卤化性能较差,只与活泼芳烃反应,可避免氧化反应发生(发生(对芳胺和酚特别有用对芳胺和酚特别有用)亲电试剂亲电试剂需要在极性溶剂和极性催化剂存在下发生需要在极性溶剂和极性催化剂存在下发生而在非极性而在非极性而在非极性而在非极性CClCCl4 4等溶剂中是自由基引发剂等溶剂中是自由基引发剂等溶剂中是自由基引发剂等溶剂中是自由基引发剂自由基取代反应 邻位和对位定向比:邻位和对位定向比:1)亲电试剂的活性越高,选择性越低:亲电试剂的活性越高,选择性
5、越低:2)空间效应越大,对位产物越多:空间效应越大,对位产物越多:X 具有具有I效应,使邻位的电子云密度降低。效应,使邻位的电子云密度降低。FClBr I电负性电负性依次依次降低降低I效应效应依次依次减小减小电子云密度电子云密度降低的位置降低的位置是不利于是不利于E+进攻的。进攻的。溶剂效应:溶剂效应:E+被硝基苯溶剂化,体积增大。被硝基苯溶剂化,体积增大。较大的空间效应使它进入较大的空间效应使它进入1位。位。螯合作用能够发生螯合能够发生螯合效应的条件:效应的条件:1杂原子能与杂原子能与试剂结合;试剂结合;2)所形成环为)所形成环为五员环或六员环。五员环或六员环。原位取代原位取代原位取代(Ip
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