金属氧化物半导体场效应晶体管概念的深入.pptx

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1、12.1 非理想效应n亚域值电导第1页/共21页第2页/共21页n沟道长度调制效应第3页/共21页第4页/共21页n迁移率变化第5页/共21页n速度饱和第6页/共21页n弹道输运长沟器件：短沟器件：弹道输运，统计规律不再适用高速器件第7页/共21页12.2 MOSFET按比例缩小理论n恒定电场按比例缩小第8页/共21页器件和电路参数器件和电路参数比例因子比例因子比例参数比例参数器件尺寸器件尺寸k掺杂浓度掺杂浓度1/k电压电压k器件参数效应器件参数效应电场电场1载流子速度载流子速度1耗尽区宽度耗尽区宽度k电容电容k漂移电流漂移电流k电路参数效应电路参数效应器件密度器件密度1/k功耗密度功耗密度1

2、器件功耗器件功耗k电路延时电路延时k功率延时功率延时k第9页/共21页n阈值电压-一级近似n全部按比例缩小理论第10页/共21页12.3 阈值电压的修正n短沟道效应第11页/共21页第12页/共21页n窄沟道效应第13页/共21页第14页/共21页12.4 附加电学特性n击穿电压栅氧化层击穿沟道雪崩击穿寄生晶体管击穿源漏穿通效应第15页/共21页第16页/共21页n通过离子注入进行阈值调整离子注入工艺：被注入的杂质原子首先被离化，通过电场加速获得高能量(25-200keV)。离子的穿透深度通常小于1um，离子注入时，晶体严重损伤，必须用退火工艺修复损伤。低剂量：调节器件特性 高剂量：形成欧姆接触第17页/共21页n通过离子注入进行阈值调整最大空间电荷宽度：第18页/共21页nE 12.7第19页/共21页n12.37第20页/共21页感谢您的观看。第21页/共21页