第2章半导体二极管 (3)精选文档.ppt

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1、第2章半导体二极管(3)本讲稿第一页，共五十四页第二章第二章 半导体二极管及其基本电路半导体二极管及其基本电路 2.1 2.1 半导体的基本知识半导体的基本知识 2.2 PN2.2 PN结的形成及特性结的形成及特性2.4 2.4 二极管的基本电路及其分析方法二极管的基本电路及其分析方法 2.5 2.5 特殊二极管特殊二极管 2.3 2.3 二极管二极管本讲稿第二页，共五十四页第第二二章章 半导体二极管及其本电路半导体二极管及其本电路对你的期望对你的期望：3 3、掌握二极管外特性、基本电路及分析方法、应用、掌握二极管外特性、基本电路及分析方法、应用；4 4、正确理解二极管工作原理、主要参数、使用

2、方法；、正确理解二极管工作原理、主要参数、使用方法；1 1、了解、了解PNPN结的形成；结的形成；2 2、掌握以下基本概念：、掌握以下基本概念：空穴、多子、少子、扩散运动、漂移运动、空穴、多子、少子、扩散运动、漂移运动、PNPN结正偏、结正偏、PNPN结反偏；结反偏；5 5、掌握稳压管工作原理及使用；、掌握稳压管工作原理及使用；本讲稿第三页，共五十四页第二章第二章 半导体二极管及其基本电路半导体二极管及其基本电路 2.1 2.1 半导体的基本知识半导体的基本知识 2.2 PN2.2 PN结的形成及特性结的形成及特性2.4 2.4 二极管的基本电路及其分析方法二极管的基本电路及其分析方法 2.5

3、 2.5 特殊二极管特殊二极管 2.3 2.3 二极管二极管本讲稿第四页，共五十四页2.1 半导体的基本知识半导体的基本知识2.1.1 2.1.1 半导体半导体2.1.2 2.1.2 本征本征半导体半导体2.1.32.1.3 掺杂掺杂半导体半导体2.1.4 2.1.4 杂质杂质半导体示意图半导体示意图本讲稿第五页，共五十四页2.1.1 半导体半导体物质的导电性能决定于原子结构，最外层电子数目越少，导电性能越强 导导 体：一般是低价元素，如铜、铁、铝体：一般是低价元素，如铜、铁、铝 绝缘体绝缘体:一般为高价元素（如惰性气体）一般为高价元素（如惰性气体）或高分子物质（如塑料或橡胶）或高分子物质（如

4、塑料或橡胶）半导体：它的导电性能是介于导体和绝缘体之间半导体：它的导电性能是介于导体和绝缘体之间 的的 常用半导体材料：硅常用半导体材料：硅(Si)和锗和锗(Ge)，它们均为四价元素，它们均为四价元素 本讲稿第六页，共五十四页半导体的导电特性：半导体的导电特性：半导体的导电特性：半导体的导电特性：(可做成温度敏感元件，如热敏电阻可做成温度敏感元件，如热敏电阻可做成温度敏感元件，如热敏电阻可做成温度敏感元件，如热敏电阻)掺杂性掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变。能力明显改变。光敏性：光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化。当受到光照时，导电

5、能力明显变化。(可做成各种光敏元件，如光敏电阻、可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等光敏二极管、光敏三极管等)。热敏性：热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强。当环境温度升高时，导电能力显著增强。当环境温度升高时，导电能力显著增强。当环境温度升高时，导电能力显著增强。(可做成各种不同用途的半导体器件，可做成各种不同用途的半导体器件，可做成各种不同用途的半导体器件，可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。如二极管、三极管和晶闸管等）。本讲稿第七页，共五十四页2.1.2 本征半导体本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。完全纯净的

6、、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。晶体中原子的排列方式晶体中原子的排列方式晶体中原子的排列方式晶体中原子的排列方式硅单晶中的共价健结构硅单晶中的共价健结构硅单晶中的共价健结构硅单晶中的共价健结构共价健共价健共价键中的两个电子，称为共价键中的两个电子，称为共价键中的两个电子，称为共价键中的两个电子，称为价电子价电子价电子价电子。Si Si Si Si价电子价电子本讲稿第八页，共五十四页 Si Si Si Si价电子价电子本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理空穴空穴自由电子自由电子 当半导

7、体两端加上外电压时，当半导体两端加上外电压时，当半导体两端加上外电压时，当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流：在半导体中将出现两部分电流：在半导体中将出现两部分电流：在半导体中将出现两部分电流：1 1）自由电子作定向运动）自由电子作定向运动）自由电子作定向运动）自由电子作定向运动 电子电子电流电流 2）价电子递补空穴）价电子递补空穴 空空穴电流穴电流注意：注意：1.本征半导体中载流子数目极少，其导电性能很差；本征半导体中载流子数目极少，其导电性能很差；本征半导体中载流子数目极少，其导电性能很差；本征半导体中载流子数目极少，其导电性能很差；2.温度愈高，温度愈高，温度愈高，温度愈

8、高，载流子的数目愈多，半导体的导电性能也就愈载流子的数目愈多，半导体的导电性能也就愈载流子的数目愈多，半导体的导电性能也就愈载流子的数目愈多，半导体的导电性能也就愈好。好。好。好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。所以，温度对半导体器件性能影响很大。所以，温度对半导体器件性能影响很大。所以，温度对半导体器件性能影响很大。自由电子和自由电子和自由电子和自由电子和空穴都称为载流子。空穴都称为载流子。本讲稿第九页，共五十四页2.1.3 掺杂半导体掺杂半导体(N型半导体和型半导体和P型半导体）型半导体）Si Si Si Si p p+多余多余电子电子磷原子磷原子在常温下即可变在常温下即可变为自由电子

9、为自由电子失去一个电子失去一个电子变为正离子变为正离子N 型半导体型半导体型半导体型半导体：多子多子自由电子自由电子少子少子空穴空穴本讲稿第十页，共五十四页 Si Si Si Si硼原子硼原子接受一个电子变接受一个电子变接受一个电子变接受一个电子变为负离子为负离子为负离子为负离子空穴空穴P 型半导体型半导体：多子多子空穴空穴少子少子自由电子自由电子 BB2.1.3 掺杂半导体掺杂半导体本讲稿第十一页，共五十四页2.1.4 N型半导体和型半导体和 P 型半导体示意表示法型半导体示意表示法P P 型半导体型半导体型半导体型半导体N N 型半导体型半导体型半导体型半导体+本讲稿第十二页，共五十四页

10、1.1.在杂质半导体中多子的数量与在杂质半导体中多子的数量与 （a a.掺杂浓度、掺杂浓度、b.b.温度）有关。温度）有关。温度）有关。温度）有关。2.在杂质半导体中少子的数量与在杂质半导体中少子的数量与 （a.掺杂浓度、掺杂浓度、掺杂浓度、掺杂浓度、b.b.温度）有关。温度）有关。3.当温度升高时，少子的数量当温度升高时，少子的数量当温度升高时，少子的数量当温度升高时，少子的数量 （a.减少、减少、b.不变、不变、不变、不变、c.c.增多）。增多）。增多）。增多）。abc 4.4.在外加电压的作用下，在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流型半导体中的电流型半导体中的电流型半导体中的电流主要

11、是主要是主要是主要是 ，N N 型半导体中的电流主要是型半导体中的电流主要是型半导体中的电流主要是型半导体中的电流主要是 。（a.a.电子电流、电子电流、b.空穴电流）空穴电流）b ba本讲稿第十三页，共五十四页第二章第二章 半导体二极管及其基本电路半导体二极管及其基本电路 2.1 2.1 半导体的基本知识半导体的基本知识 2.2 PN2.2 PN结的形成及特性结的形成及特性2.4 2.4 二极管的基本电路及其分析方法二极管的基本电路及其分析方法 2.5 2.5 特殊二极管特殊二极管 2.3 2.3 二极管二极管本讲稿第十四页，共五十四页2.2 PN PN结的形成及特性结的形成及特性2.2.1

12、 PN 2.2.1 PN 结的形成结的形成 2.2.2 PN 2.2.2 PN 结的单向导电性结的单向导电性 2.2.3 PN 2.2.3 PN 结的反向击穿结的反向击穿 2.2.4 PN 2.2.4 PN 结的结电容效应结的结电容效应(自学了解自学了解)本讲稿第十五页，共五十四页P P 型半导体型半导体型半导体型半导体N N 型半导体型半导体型半导体型半导体2.2.1 PN 结的形成结的形成+形成空间电荷区形成空间电荷区内电场E扩散运动漂移运动本讲稿第十六页，共五十四页扩散的结果是使空间电扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。荷区越宽。漂移运动P P型半导体型

13、半导体N N型半导体型半导体+扩散运动内电场E内电场越强，就使漂移内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。间电荷区变薄。2.2.1 PN 结的形成结的形成 本讲稿第十七页，共五十四页漂移运动P P型半导体型半导体N N型半导体型半导体+扩散运动内电场E所以扩散和所以扩散和漂移这一对漂移这一对相反的运动相反的运动最终达到平最终达到平衡，相当于衡，相当于两个区之间两个区之间没有电荷运没有电荷运动，空间电动，空间电荷区的厚度荷区的厚度固定不变。固定不变。2.2.1 PN 结的形成结的形成 本讲稿第十八页，共五十四页 因浓度差因浓度差空间电荷区形成内电场空间电荷区形成

14、内电场 内电场促使少子漂移内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散内电场阻止多子扩散 最后最后,多子的多子的扩散扩散和少子的和少子的漂移漂移达到达到动态平衡动态平衡。多子的扩散运动多子的扩散运动由由杂质离子形成空间电荷区杂质离子形成空间电荷区 在一块本征半导体的两侧通过扩散不同的杂质在一块本征半导体的两侧通过扩散不同的杂质,分别形成分别形成N型半导体和型半导体和P型半导体。型半导体。PNPN结的形成结的形成 本讲稿第十九页，共五十四页2.2.2 PN结单向导电性结单向导电性PNPN本讲稿第二十页，共五十四页2.2.2 PN结的单向导电性结的单向导电性 1.PN 1.PN 结加正向电压结加正向电压

15、（正向偏置）（正向偏置）（正向偏置）（正向偏置）P接正、接正、N接负接负 IF PN 结加正向电压时，结加正向电压时，结加正向电压时，结加正向电压时，正向电流较大，正向电阻较小，正向电流较大，正向电阻较小，正向电流较大，正向电阻较小，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。结处于导通状态。PN+外电场外电场本讲稿第二十一页，共五十四页2.PN 结加反向电压结加反向电压结加反向电压结加反向电压（反向偏置）（反向偏置）（反向偏置）（反向偏置）IR P P接负、接负、接负、接负、N N接正接正 P PN N+温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。温度越高少子的数目越多，反向电流将随温

16、度增加。+PN PN 结加反向电压时，结加反向电压时，反向电流较小，反向电阻较大，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。结处于截止状态。结处于截止状态。结处于截止状态。外电场外电场本讲稿第二十二页，共五十四页3.3.结论：结论：PNPN结具有结具有单向导电性。单向导电性。PNPN结加正向电压时，结加正向电压时，正向导通正向导通正向导通正向导通：电阻值很小，具有较大的正向导通电流，电阻值很小，具有较大的正向导通电流，开关闭合开关闭合开关闭合开关闭合 PNPN结加反向电压时，结加反向电压时，反向截止反向截止反向截止反向截止：呈现高电阻，具有较小反向饱和电流，呈现高电阻，具有较小反向饱和电

17、流，开关断开开关断开PNNP本讲稿第二十三页，共五十四页流过流过PN结结电流电流A反向饱反向饱和电流和电流A加在加在PN结结两端电压两端电压VVT=KT/q=26mV T=300K VD 0正正向导通向导通4.PN4.PN结结V-IV-I特性表示式：特性表示式：（二极管特性方程）（二极管特性方程）发射系数发射系数(1 2)本讲稿第二十四页，共五十四页2.2.3 PN2.2.3 PN结的反向击穿结的反向击穿 当当PN结的反向电压增结的反向电压增加到一定数值时，加到一定数值时，反向电反向电流突然快速增加流突然快速增加，此现象，此现象称为称为PN结的结的反向击穿。反向击穿。反向击穿段反向击穿段2.2

18、.4 PN2.2.4 PN结电容效应结电容效应（自学了解）（自学了解）扩散电容扩散电容势垒电容势垒电容本讲稿第二十五页，共五十四页第二章第二章 半导体二极管及其基本电路半导体二极管及其基本电路 2.1 2.1 半导体的基本知识半导体的基本知识 2.2 PN2.2 PN结的形成及特性结的形成及特性2.4 2.4 二极管的基本电路及其分析方法二极管的基本电路及其分析方法 2.5 2.5 特殊二极管特殊二极管 2.3 2.3 二极管二极管本讲稿第二十六页，共五十四页2.3 2.3 半导体二极管半导体二极管2.3.1 基本结构基本结构2.3.2 伏安特性伏安特性2.3.3 主要参数主要参数本讲稿第二十

19、七页，共五十四页2.3 2.3 半导体二极管半导体二极管2.3.1 基本结构基本结构(a)点接触型点接触型点接触型点接触型(b)面接触型面接触型面接触型面接触型(c)(c)平面型平面型平面型平面型 用于集成电路制作工艺中。用于集成电路制作工艺中。用于集成电路制作工艺中。用于集成电路制作工艺中。PN结结面积可大可小，用结结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。于高频整流和开关电路中。本讲稿第二十八页，共五十四页2.3 半导体二极管半导体二极管二极管的结构示意图二极管的结构示意图符号：符号：PN阳极阳极阴极阴极D本讲稿第二十九页，共五十四页2.3 半导体二极管半导体二极管本讲稿第三十页，共五十四

20、页mAVEIR伏安特性实验电路伏安特性实验电路2.3.2 伏安特性伏安特性本讲稿第三十一页，共五十四页2.3.2 伏安特性伏安特性硅管硅管硅管硅管0.5V,0.5V,锗管锗管锗管锗管0 0.1V.1V。反向击穿反向击穿电压电压U(BR)导通压降导通压降 外加电压大于死区电压二外加电压大于死区电压二外加电压大于死区电压二外加电压大于死区电压二极管才能导通。极管才能导通。极管才能导通。极管才能导通。外加电压大于反向击穿电压外加电压大于反向击穿电压外加电压大于反向击穿电压外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。二极管被击穿，失去单向导电性。二极管被击穿，失去单向导电性。二极管被击穿，失

21、去单向导电性。正向特性正向特性反向特性反向特性特点：非线性特点：非线性特点：非线性特点：非线性硅硅硅硅0 0 0 0.60.8V,.60.8V,锗锗锗锗0 0.2.20.3V0.3V。UI死区电压死区电压阳阳阴阴+阳阳阴阴+反向电流反向电流在一定电压在一定电压范围内保持范围内保持常数。常数。本讲稿第三十二页，共五十四页2.3.3 主要参数主要参数1.1.1.1.最大整流电流最大整流电流最大整流电流最大整流电流 I IF F二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。电流。2.2.反向击穿电压反向击穿电压 VBR3.3.反向电流反向电流 I

22、IR二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值。二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值。最大反向工作电压最大反向工作电压V VRMRM实际工作时，为安全：实际工作时，为安全：V VRMRM V VBRBR/2/2 ，在室温及规定的反向电压下的反向电流值。在室温及规定的反向电压下的反向电流值。硅管：硅管：(nA)级；级；锗管：锗管：(A)级。级。本讲稿第三十三页，共五十四页第二章第二章 半导体二极管及其基本电路半导体二极管及其基本电路 2.1 2.1 半导体的基本知识半导体的基本知识 2.2 PN2.2 PN结的形成及特性结的形成及特性2.4 2.4 二极管的基本电路及其分析方法二极管的基本电路

23、及其分析方法 2.5 2.5 特殊二极管特殊二极管 2.3 2.3 二极管二极管本讲稿第三十四页，共五十四页2.4 2.4 二极管的基本电路及其分析方法二极管的基本电路及其分析方法2.4.1 半导体二极管等效模型：半导体二极管等效模型：1 理想模型：理想模型：理想二极管理想二极管(vD 0)二极管导通二极管导通V F=0 r=0 开关闭合开关闭合(vD 0)二极管截止二极管截止iD=0 r=开关断开开关断开本讲稿第三十五页，共五十四页2 恒压降模型：恒压降模型：(vD VF)二极管导通二极管导通vD=VF r=0 开关闭合开关闭合(vD V阴阴阴阴，二极管导通，二极管导通，二极管导通，二极管导

24、通若若 V阳阳 VV阴阴+VF，二极管导通，二极管导通若若若若 V V阳阳 VV阴阴阴阴 二极管导通二极管导通例例1：取取 B 点作参考点，断点作参考点，断开二极管，分析二极管开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。阳极和阴极的电位。在这里，二极管起钳位作用。在这里，二极管起钳位作用。D6V12V3k BAUAB+（1）理想模型：）理想模型：UABAB=6V6V（2 2）恒压降模型：）恒压降模型：）恒压降模型：）恒压降模型：UABAB=6.3或或6.7V6.7V+-本讲稿第三十八页，共五十四页V V1 1阳阳阳阳=6 V，V V2阳阳阳阳=0 V=0 V，V1阴阴阴阴=V2阴阴阴阴=12 VU

25、UD1=6V=6V，UD2=12V=12V UD2D2 UD1 D D2 2 优先导通优先导通优先导通优先导通例例2:U UD1=6 VD1D1、D2D2为理想二极管，求：二极管电压和电流为理想二极管，求：二极管电压和电流为理想二极管，求：二极管电压和电流为理想二极管，求：二极管电压和电流 在这里，在这里，D2 起钳起钳位作用，位作用，D1 1起隔离起隔离起隔离起隔离作用。作用。作用。作用。BD16V12V3k AD2UAB+U UD2D2 =0 V=0 VID2ID1V V1 1阴阴阴阴 =0 V=0 VD1D1截止。截止。截止。截止。本讲稿第三十九页，共五十四页例例 3：电路如图，电路如图

26、，(设设D为理想二极管）为理想二极管）判断管子工作状态，并求输出电压判断管子工作状态，并求输出电压。v a=12Vv b=-15Vv ab=v a-v b =27V0D导通导通v AO=-15V v a1=v a2=12Vv b1=15V v b2=0V v ab1=-3V0D2导通、导通、D1截止截止v AO=0V v a1=v a2=12Vv b1=0V v b2=-4V v ab1=12V0v ab2=16V0D2导通导通v ab1=-4V 8V 8V，二极管导通，二极管导通，二极管导通，二极管导通已知：已知：二极管是理想的，试画出二极管是理想的，试画出 uo 波形。波形。8V8V例例例

27、例4 4：二极管的用途：二极管的用途：二极管的用途：二极管的用途：整流、检波、整流、检波、整流、检波、整流、检波、限幅、箝位、开限幅、箝位、开关、元件保护、关、元件保护、关、元件保护、关、元件保护、温度补偿等。温度补偿等。温度补偿等。温度补偿等。ui18V参考点参考点参考点参考点V VD D阴阴阴阴=8 V;8 V;V VD D阳阳阳阳=uiD D8V8VR Ru uo ou ui i+uo=8Vu uo o=ui iui 8V，二极管截止，二极管截止，二极管截止，二极管截止本讲稿第四十一页，共五十四页第二章第二章 半导体二极管及其基本电路半导体二极管及其基本电路 2.1 2.1 半导体的基本

28、知识半导体的基本知识 2.2 PN2.2 PN结的形成及特性结的形成及特性2.4 2.4 二极管的基本电路及其分析方法二极管的基本电路及其分析方法 2.5 2.5 特殊二极管特殊二极管 2.3 2.3 二极管二极管本讲稿第四十二页，共五十四页2.5 2.5 特殊二极管特殊二极管 稳压二极管稳压二极管变容二极管变容二极管光电子器件光电子器件光电二极管光电二极管发光二极管发光二极管激光二极管激光二极管利用二极管电容效应。利用二极管电容效应。多用于高频技术多用于高频技术本讲稿第四十三页，共五十四页光电二极管光电二极管特点：特点：抗干扰能力强，传输信息量大、传输损抗干扰能力强，传输信息量大、传输损耗小

29、且工作可靠。耗小且工作可靠。在信号传输和存储等环节中多用。在信号传输和存储等环节中多用。本讲稿第四十四页，共五十四页导通电流为导通电流为2mA-10mA（20mA）导通电压为导通电压为1V-2V发光二极管发光二极管常见有常见有红红、绿绿、黄黄三种颜色。三种颜色。主要用于显示主要用于显示 本讲稿第四十五页，共五十四页主要应用于小功率光电设备中。主要应用于小功率光电设备中。如：光盘驱动器和激光打印机的打印头等。如：光盘驱动器和激光打印机的打印头等。激光二极管激光二极管本讲稿第四十六页，共五十四页2.5.1 稳压二极管稳压二极管1.符号符号 UZIZIZM UZ IZ2.伏安特性伏安特性伏安特性伏安

30、特性 稳压管正常工作稳压管正常工作时加反向电压时加反向电压使用时要加限流电阻使用时要加限流电阻+稳压管反向击穿后，稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其电流变化很大，但其两端电压变化很小，两端电压变化很小，利用此特性，稳压管利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作在电路中可起稳压作用。用。UI本讲稿第四十七页，共五十四页3.主要参数主要参数(1)(1)稳定电压稳定电压UZ 稳压管正常工作稳压管正常工作(反向击穿反向击穿反向击穿反向击穿)时管子两端的电压。时管子两端的电压。(2)(2)(2)(2)电压温度系数电压温度系数电压温度系数电压温度系数 环境温度每变化环境温度每变化环境温度每变化环境温度每变化

31、1 1 C引起引起引起引起稳压值变化的稳压值变化的稳压值变化的稳压值变化的百分数百分数百分数百分数。(3)(3)动态电阻动态电阻动态电阻动态电阻(4)(4)稳定电流稳定电流稳定电流稳定电流 IZ Z、最大稳定电流、最大稳定电流、最大稳定电流、最大稳定电流 I IZMZM(5)(5)(5)(5)最大允许耗散功率最大允许耗散功率 PZM=UZ I IZMrZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。本讲稿第四十八页，共五十四页4.4.基本稳压电路基本稳压电路稳压管工作必要条件：稳压管工作必要条件：工作在反向击穿状态工作在反向击穿状态 串入电阻串入电阻R R I IZminZmin

32、 I IZ Z I IZmaxZmax 3.上述电路上述电路V VI I为正弦为正弦波，且幅值大于波，且幅值大于VZ Z，VOO的波形是怎样的的波形是怎样的的波形是怎样的的波形是怎样的？思考：思考：1.1.若稳压管极性接反若稳压管极性接反,会出现什么问题会出现什么问题?2.电阻电阻电阻电阻R的作用是什么的作用是什么的作用是什么的作用是什么？不加可不可以？不加可不可以？不加可不可以？不加可不可以？本讲稿第四十九页，共五十四页5.5.选管的原则选管的原则I IZmaxZmax (1.5)I IomaxomaxU Uo o U UZ ZU UI I（）U Uo o本讲稿第五十页，共五十四页例例.电路

33、如图（电路如图（a）、（）、（b）所示，稳压管的稳定电压）所示，稳压管的稳定电压UZ3V，R的取值合适，的取值合适，uI的波形如图（的波形如图（c）所示。试分别画出）所示。试分别画出uO1和和uO2的波形。的波形。本讲稿第五十一页，共五十四页思考题思考题：、电路中，、电路中，3为理想二极管，、为理想二极管，、灯泡全同，则最亮的灯为哪个？灯泡全同，则最亮的灯为哪个？、为理想二极管，、为理想二极管，当用，当用普通指针式万用表置普通指针式万用表置档，用黑表笔接，档，用黑表笔接，红表笔接，则万用表指示值为多少红表笔接，则万用表指示值为多少？本讲稿第五十二页，共五十四页3.两个稳压管稳压值分别为两个稳压管稳压值分别为6V、7V且它们的正且它们的正向导通压降为向导通压降为0.6V。则两管。则两管串联串联时可能有几种输出时可能有几种输出电压。两管电压。两管并联并联时又可能有几种输出电压。时又可能有几种输出电压。思考题思考题:4.4.稳压管的稳压值稳压管的稳压值U UZ Z6V6V，稳定电流的最小值，稳定电流的最小值I IZminZmin5mA5mA。求电路中。求电路中U UO1O1和和U UO2O2?本讲稿第五十三页，共五十四页串联串联并联并联本讲稿第五十四页，共五十四页