光电探测技术第四章PPT讲稿.ppt
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1、光电探测技术第四章光电探测技术第四章第1页,共97页,编辑于2022年,星期五真空光电器件真空光电器件 真空光电发射器件是基于外光电效应的光电探测器,包括光电管和光电倍增管两类。具有极高的灵敏度、快速响应等特点,它在探测微弱光信号及快速脉冲弱光信号等方面仍然是一个重要的探测器件。因此广泛应用于航天、材料、生物、医学、地质等领域都有相当大的应用。第2页,共97页,编辑于2022年,星期五真空光电器件结构及常见类型真空光电器件结构及常见类型结构结构:均包括均包括光电阴极、阳极、真空玻璃壳光电阴极、阳极、真空玻璃壳 分类分类:成像型成像型 非成像型非成像型常见器件常见器件:真空光电管真空光电管 光电
2、管光电管 充气光电管充气光电管 光电倍增管光电倍增管第3页,共97页,编辑于2022年,星期五 在光电管、光电倍增管、变象管、象增加器和一些在光电管、光电倍增管、变象管、象增加器和一些摄像管等光电器件中,使不同波长的各种辐射信号转换摄像管等光电器件中,使不同波长的各种辐射信号转换为电信号,均依靠光电阴极。因而光电阴极关系到光电为电信号,均依靠光电阴极。因而光电阴极关系到光电器件的各项光电性能。器件的各项光电性能。光电发射阴极是光电发射器件的重要部件,它是吸收光电发射阴极是光电发射器件的重要部件,它是吸收光子能量发射光电子的部件。它的性能直接影响着整个光光子能量发射光电子的部件。它的性能直接影响
3、着整个光电发射器件的性能,为此,首先讨论用于制造光电阴极的电发射器件的性能,为此,首先讨论用于制造光电阴极的典型光电发射材料。典型光电发射材料。4.1光电阴极光电阴极第4页,共97页,编辑于2022年,星期五l一、光电阴极的主要参数l1.灵敏度l(1)光照灵敏度表示光电阴极在一定的白光照射下,阴极光电流与入射的光通量之比。光照灵敏度也称为白光灵敏度或积分灵敏度,单位为uA/lm。l(2)色光灵敏度就是局部光谱区域的积分灵敏度。它表示在某些特定的波长区,通常用特性已知的滤光片插入光路,然后测得的光电流与未插入滤光片时阴极所受光照的光通量之比。第5页,共97页,编辑于2022年,星期五式中单位为n
4、m;S()为光谱灵敏度,单位为A/W。量子效率和光谱灵敏度是一个物理量的两种表示方法。它们之间的关系:(3)光谱灵敏度表示一定波长的单色辐射照到光电阴极上,阴极光电流与入射的单色辐射通量之比,单位为mA/W或A/W。2.量子效率第6页,共97页,编辑于2022年,星期五l3.光谱响应曲线l光电阴极的光谱灵敏度或量子效率与入射辐射波长的关系曲线,称为光谱响应曲线。真空光电组件中的长波灵敏度极限,主要由光电阴极材料的截止波长决定。l4.热电子发射l光电阴极中有少数电子的热能大于光电阴极逸出功,因而产生热电子发射。室温下典型阴极每秒每平方厘米发射二个数量级的电子,相当于10-1610-17Acm-2
5、的电流密度。这些热发射电子会引起噪声,限制着传感器的灵敏度极限。第7页,共97页,编辑于2022年,星期五l二、银氧铯(Ag-O-Cs)光电阴极l银氧铯阴极是最早出现的实用光电阴极。目前,除了-族的光电阴极外,它仍然是在近红外区具有使用价值的唯一阴极。l银氧铯阴极是以Ag为基底,氧化银为中间层,上面再有一层带有过剩Cs原子及Ag原子的氧化铯,而表面由Cs原子组成,可用Ag-Cs2OAgCs-Cs的符号表示,如图a所示。lAg-O-Cs光电阴极的光谱响应曲线如图b所示。它的长波灵敏度延伸至红外1.2um,并且有两个峰值,近红外800nm处有一主峰,另一主峰处于紫外350nm。第8页,共97页,编
6、辑于2022年,星期五lAg-O-Cs光电阴极的灵敏度较低。光照灵敏度约为30uA/lm,辐照灵敏度为3mA/W,量子效率在峰值波长处也只有1%,它的热电子发射密度在室温下超过任何其它实用阴极,约为10-1110-14A/cm2。此外,当阴极长期受光照后,会产生严重的疲劳现象,且疲劳特性与光照度。光照波长等都有密切关系,疲劳后光谱响应曲线也会发生变化,因此它的应用受到很大限制。l将近红外区具有高灵敏度的Ag-O-Cs阴极和蓝光区具有高灵敏度的Bi-Cs-O阴极相结合,可获得在整个可见光谱范围内具有较均匀响应和高灵敏度的 Bi-Ag-O-Cs光电阴极。该阴极的量子效率达10%,但长波限只有750
7、nm。第9页,共97页,编辑于2022年,星期五l三、单碱锑化物光电阴极l金属锑与碱金属锂、纳、钾、铷、铯中的一种化合,都能形成具有稳定光电发射的发射体。其中,以CsSb阴极的灵敏度最高,是最具有使用价值的光电发射材料,广泛用于紫外和可见光区的光电探测器中。l锑铯阴极的典型光谱响应曲线第10页,共97页,编辑于2022年,星期五l四、多碱锑化物光电阴极l当锑和几种碱金属形成化合物时,具有更高的响应率,其中有双碱、三碱和四碱等,统称为多碱锑化物光电阴极。l锑纳钾阴极是双碱阴极中的一种,它的光谱响应与锑铯阴极相近,在峰值波长0.4um处的量子效率达25%,其典型光照灵敏度可到50uA/lm。它的特
8、点是耐高温,工作温度可达到175,而一般含铯阴极的工作温度不能超过60,因此锑钾钠阴极可用于石油探测等特殊场合。l锑钾钠铯阴极是三碱阴极中最有实用价值的一种,它从紫外到近红外的光谱区都具有较高的量子效率。第11页,共97页,编辑于2022年,星期五一般来说,对可见光灵敏度的光电阴极,对紫外光也都具有较高的量子效率。但在某些应用中,为了消除背景噪声的影响,要求光电阴极只对所探测的紫外辐射信号灵敏,而对可见光无响应,这样阴极通常称为“日盲”型光电阴极。五、紫外光电阴极常用的有锑化铯和碘化铯两种。第12页,共97页,编辑于2022年,星期五l六、负电子亲和势光电阴极l现以Si-CsO光电阴极为例加以
9、说明,它是在p型Si的基质材料上涂一层极薄的金属Cs,经特殊处理而形成n型Cs2O。表面为n型的材料有丰富的自由电子,基底为p型材料有丰富的空穴,它们相互扩散形成表面电荷局部耗尽。与p-n结情况类似,耗尽区的电位下降E,造成能带弯曲,如图b所示。第13页,共97页,编辑于2022年,星期五l图a分别表示p型Si和n型Cs2O两种材料的能带图。l本来p型Si的发射临界值是,电子受光激发进入导电带后需克服亲和势才能逸出出表面。现在由于表面存在n型薄层,使耗尽区的电位下降,表面电位降低Ed。光电子在表面附近受到耗尽区内建电场的作用,从Si的导电带底部漂移到表面Cs2O的导带底部。此时,电子只需克服E
10、A2就能逸出出表面。对于p型Si的光电子需克服的有效亲和势为第14页,共97页,编辑于2022年,星期五l(1)量子效率高l(2)光谱响应延伸到红外、光谱响应率均匀l正电子亲和势光电阴极的临界值波长为l而负电子亲和势光电阴极的临界值波长为l(3)热电子发射小l(4)光电子的能量集中l实用的负电子亲和势光电阴极有GaAs、InGaAs、GaAsP等,其光谱响应曲线如图所示。第15页,共97页,编辑于2022年,星期五4.2光电管与光电倍增管的工作原理光电管与光电倍增管的工作原理l一、光电管l光电管主要由光电阴极和阳极两部分组成,因管内有抽成真空或充入低气压惰性气体的不同,所以有真空型和充气型两种
11、。它的工作电路如图所示,阴极和阳极之间加有一定的电压,且阳极接正,阴极接负。第16页,共97页,编辑于2022年,星期五l真空型光电管的工作原理l当入射光透过真空型光电管的入射窗照射到光电阴极面上时,光电子就从阴极发射出去,在阴极和阳极之间形成的电场作用下,光电子在极间作加速运动,被高电位的阳极收集,其光电流的大小主要由阴极灵敏度和入射辐射的强度决定。l充气型光电管的工作原理l光照生电子在电场的作用下运动,途中与惰性气体原子碰撞而电离,电离又产生新的电子,它与光电子一起都被阳极收集,形成数倍于真空型光电管的光电流。l由于光电倍增管工艺的成熟及半导体光电器件的发展,光电管已基本上被上述这些器件所
12、替代。第17页,共97页,编辑于2022年,星期五l二、光电倍增管l光电倍增管是一种真空光电组件,它主要由光入射窗口、光电阴极、电子光学系统、倍增极和阳极组成,如图a所示。l光电倍增管的工作原理如图b所示。第18页,共97页,编辑于2022年,星期五光电倍增管第19页,共97页,编辑于2022年,星期五l1.入射窗口和光电阴极结构l光电倍增管通常有侧窗和端窗两种形式。侧窗型光电倍增管是透过管壳的侧面接收入射光,而端窗式光电倍增管是透过管壳的端面接收入射光。第20页,共97页,编辑于2022年,星期五l侧窗式光电倍增管一般使用反射式光电阴极,而且大多数采用鼠笼式倍增极结构,如图a所示。l端窗式光
13、电倍增管通常使用半透明光电阴极,光电阴极材料沉积在入射窗的内侧面。如图b所示。第21页,共97页,编辑于2022年,星期五l常用的窗口材料有下列几种:l(1)硼硅玻璃,应用广泛,透射光谱范围从300nm到红外,不适合作紫外辐射窗口材料。l(2)透紫外玻璃,透紫外性能很好,紫外波段的截止波长约185nm,应用普遍。l(3)熔融石英(熔融二氧化硅),透紫外波长可达到160nm。l(4)蓝宝石l(5)MgF2常用几种窗口材料的光谱透射比曲线。第22页,共97页,编辑于2022年,星期五实用光电倍增管的阴极光谱响应特性如图4-11和表4-1所示。第23页,共97页,编辑于2022年,星期五第24页,共
14、97页,编辑于2022年,星期五第25页,共97页,编辑于2022年,星期五l2.电子光学系统l电子光学系统主要有两方面的作用,使光电阴极发射的光电子尽可能全部会聚到第一倍增极上,而将其它部分的杂散热电子散射掉,提高信噪比,一般用电子收集率表示;二是使阴极面上各处发射的光电子在电子光学系统中渡越的时间尽可能相等,以保证光电倍增管的快速响应,这一参数常用渡越时间的离散型t表示。l下面介绍几种典型的结构和性能。l图a是最简单的电子光学系统。l图a中:1是光电阴极;2是与光电阴极同电位的金属筒或镀在玻璃壳上的金属导电层;3是带孔膜片;4是第一倍增极。第26页,共97页,编辑于2022年,星期五l在图
15、(b)系统中约为10ns,为了使小型光电倍增管的倍增极合理安排在管壳内(具有对称性),充分利用玻璃管内的空间,同时保证有高的电子收集率,可采用图4-12?所示电子光学系统。图中增加了斜劈式圆柱筒电极4,该电极固定在偏心的带孔膜片上,其轴线与阴极的轴线之间的夹角常取20。这种结构的性能与前者相近。第27页,共97页,编辑于2022年,星期五l图c所示的是性能最好的一种结构,它采用了球面形光电阴极,并附加了3个圆筒形电极。此时,阴极表面电位分布比较均匀,而且从阴极中心和边缘发射的电子的轨迹长度相差甚小,可使穿越时间的离散性接近于零。第28页,共97页,编辑于2022年,星期五l3.电子倍增极l(1
16、)二次电子发射具有足够动能的电子轰击某些材料时,材料表面将发射新的电子,这种现象称为二次电子发射。轰击材料的入射电子称为一次电子,从材料表面发射出的电子称为二次电子。不同材料的二次电子发射能力是不一样的。为表征材料的这种能力,通常把二次发射的电子数N2与入射的一次电子数N1的比值定义为该材料的二次发射系数二次发射过程可以分三步来描述:材料吸收一次电子的能量,激发体内电子到高能态,这些被激电子称为内二次电子;内二次电子中初速指向表面的那一部分向表面运动,在运动过程中因散射而损失能量;如果达到界面的内二次电子仍有足以克服表面势垒的能量,即逸出表面成为二次电子。第29页,共97页,编辑于2022年,
17、星期五材料的二次发射系数随一次电子的能量Ep不同而改变,图4-13表示与Ep的一般关系。其原因是:当一次电子能量过大,电子穿透材料的有效深度增加;尽管激发的内二次电子数有所增加,但许多深层的内二次电子在逸出过程中,由于碰撞散射而损失能量,结果不能逸出,反而使减小。不同的发射材料,当二次发射系数达最大值max时,相应的一次电子能量Epmax变化很大,约1002000电子伏。第30页,共97页,编辑于2022年,星期五图4-14是几种倍增极材料的二次电子发射特性曲线。光电倍增管中的二次电子发射材料应具有:在低的工作电压下具有大的值;热电子发射小;在较高温度和较大的一次电子密度条件下,发射系数保持稳
18、定。常用的倍增极材料有:(1)复杂的半导体型(2)合金型(3)负电子亲和势型第31页,共97页,编辑于2022年,星期五l(2)倍增极结构光电倍增管中的倍增极一般由几级到十五级组成。根据电子轨迹的型式可分为两大类,即聚焦型和非聚焦型。凡是由前一倍增极来的电子被加速和会聚在下一倍增极上,在两个倍增极之间可能发生电子束交叉的结构称为聚焦型。非聚焦型形成的电场只能是电子加速,电子的轨迹都是平行的。根据电子倍增极的结构形式,目前光电倍增管分成六种形式,如图所示。(1)鼠笼式(2)直线聚焦式(3)盒栅式(4)百叶窗式(5)近贴栅网式(6)微通道板式第32页,共97页,编辑于2022年,星期五l4.阳极l
19、阳极结构比倍增极系统简单得多,它的作用是接收从末级倍增极发射出的二次电子,通过引线向外输出电流。对于阳极的结构要求具有较高的电子收集率,能承受较大的电流密度,并且在阳极附近的空间不致产生空间电荷效应。此外,阳极的输出电容要小,即阳极与末级倍增极及与其它倍增极间的电容要很小,因此目前阳极广泛采用栅网状结构。第33页,共97页,编辑于2022年,星期五4.3光电倍增管的主要特性参数光电倍增管的主要特性参数l一、灵敏度l1.光谱响应l阴极的光谱灵敏度取决于光电阴极和窗口的材料性质。阳极的光谱灵敏度等子阴极的光谱灵敏度与光电倍增管放大系数的乘积,而其光谱响应曲线基本上与阴极的相同。l一般手册上给出光电
20、倍增管的光谱响应的波长范围、峰值波长以及光谱响应曲线代码。第34页,共97页,编辑于2022年,星期五l实际使用中还应注意环境温度对光电倍增管光谱响应的影响。图a和b分别表示锑铯光电阴极和多碱光电阴极的光电倍增管光谱响应曲线与温度的关系。第35页,共97页,编辑于2022年,星期五l2.阴极光照灵敏度l由4.1节中的定义可知,若入射到光电阴极面上的光通量为,阴极输出的光电流为,那么阴极的光照灵敏度为l光电倍增管阴极光照灵敏度的测量原理如图所示。第36页,共97页,编辑于2022年,星期五l设光源的发光强度为,光电阴极面的面积为A,阴极面离光源的距离为L。光电倍增管接收到的光通量l可算出阴极光照
21、灵敏度第37页,共97页,编辑于2022年,星期五l3.阳极光照灵敏度l阳极光照灵敏度表示光电倍增管在接收分布温度为2856K的光辐射时阳极输出电流与入射光通量的比值,即l光电倍增管的阳极光照灵敏度通常采用图所示的系统测试。入射光通量范围通常为10-1010-6lm。入射的光通量太大会导致非线性,并使输出电流超过额定值;若太小,由于暗电流的作用使光电倍增管的输出光电流的测量比较困难。第38页,共97页,编辑于2022年,星期五l二、放大倍数(增益)l前面已谈到,光电倍增管倍增极的二次电子发射系数与一次电子的加速电压Vd有关。当电压在几十几百伏范围时l如果光电倍增管有n级倍增极,那么光电阴极发射
22、的光电流经过各级倍增极倍增后,从阳极输出的电流l同时,假定阳极电子收集率为1,如果各倍增极的和均相等,那么光电倍增管的放大倍数第39页,共97页,编辑于2022年,星期五l假定倍增管均匀分压,级间电压Vd相等,那么放大倍数与光电倍增管所加电压V的关系为l从上式可知,光电倍增管的放大倍数和阳极输出电流随所加电压的kn次方指数变化。因此,在使用光电倍增管时,为了使输出电流稳定,所加电压应保持稳定。l一般情况下,n=912,因此得出电压的稳定度应比测量精度高一个数量级的结论。例如测量精度为1%,所加电源电压的稳定度应为0.1%。第40页,共97页,编辑于2022年,星期五l三、暗电流l光电倍增管的暗
23、电流是指在施加规定的电压后,在无光照情况下测定的阳极电流。暗电流决定光电倍增管的极限灵敏度。l1.暗电流的组成l(1)热电子发射热电子发射是光电倍增管暗电流的主要部分,根据W.Richardson的研究表面,热发射电流is与温度T和逸出能Ew的关系:(4.14)第41页,共97页,编辑于2022年,星期五由于光电阴极和第一倍增极发射的热电子经后面各倍增极放大后数值较大,因而在热发射电流中起主要作用。图4-19表示几种阴极材料的光电倍增管阳极暗电流的温度特性。Ag-O-Cs光电阴极的热电子发射电流较大,常温下比多碱光电阴极要大两个数量级。紫外光电阴极(Cs-Te、Cs-I)的热电子发射是最小的。
24、降低热发射电流的有效方法是降低光电倍增管的工作温度。从图可见,当将光电倍增管冷却到20时能有效地减少热发射电流。第42页,共97页,编辑于2022年,星期五l(2)极间漏电流是指光电倍增管内支撑电极的绝缘体(如陶瓷片、玻璃件和芯柱等)在高电压下的欧姆漏电。此外,当管座和玻壳表面被沾污和受潮时也会引起漏电。l(3)残余气体的离子发射l(4)玻璃闪烁l(5)场致发射从上述暗电流产生的原因可见,它与电源电压有密切关系,如图所示。在低电压时,暗电流由漏电流决定;电压较高时,主要是热电子发射;电压再大,则导致场效发射和残余气体离子发射,使暗电流急遽增加,甚至可能发生自持放电。实际使用中,为了得到比较高的
25、信噪比S/N,所加的电源电压必须适当,一般工作在图的b段。第43页,共97页,编辑于2022年,星期五l2.减少暗电流方法l(1)直流补偿暗电流的直流补偿方法如图4-21所示,在光电倍增管输出阳极回路中加上与暗电流方向相反的直流成分,以补偿暗电流的影响。图中,补偿电流(4.15)一般。这种补偿方法比较简单,但不是根本的解决办法,它只能补偿暗电流中的直流部分。第44页,共97页,编辑于2022年,星期五l(2)选频和锁相放大将入射光调制成一定频率的周期信号,而在光电倍增管的信号输出电路中加一选频放大器,以滤掉暗电流的直流分量。但由于选频放大器的中心频率不易做得很稳定,并有一定的通频带,因此抑制暗
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