集成电路晶圆测试基础.ppt

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1、引言n n集成电路按生产过程分类可归纳为前道测试和后到测试；集成电路测试技术员必须了解并熟悉测试对象硅晶圆。n n测试技术员应该了解硅片的几何尺寸形状、加工工艺流程、主要质量指标和基本检测方法；硅片的制备与检测n n硅硅是一种比较活泼的非是一种比较活泼的非金属金属元素，是晶体材料的元素，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿。其主要重要组成部分，处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作用途是用作半导体半导体材料和利用材料和利用太阳能光伏发电太阳能光伏发电、供热等。由于供热等。由于太阳能太阳能具有清洁、具有清洁、环保环保、方便等诸、方便等诸多优势，在地壳中含量达多优势，在地壳中含量达27%

2、27%的的硅硅元素，为单晶元素，为单晶硅硅的生产提供了取之不尽的源泉。的生产提供了取之不尽的源泉。n n非晶硅非晶硅是一种直接能带半导体，也就是没有和周是一种直接能带半导体，也就是没有和周围的硅原子成键的围的硅原子成键的电子电子，这些，这些电电子在电场作用下子在电场作用下就可以产生电流，因而非晶硅可以做得很薄，还就可以产生电流，因而非晶硅可以做得很薄，还有制作成本低的优点有制作成本低的优点2.1.1 硅片制备与检测n n1.几何尺寸形状硅片的几何形状为圆形薄片，圆硅片边缘有定硅片的几何形状为圆形薄片，圆硅片边缘有定位边（或称位边（或称“参考面参考面”），短的次定位边（次），短的次定位边（次参考

3、面）。参考面）。2.1.1 硅片制备与检测通常，硅片的边缘会有倒角，不同直径的硅片通常，硅片的边缘会有倒角，不同直径的硅片有不同宽度的倒角。硅片很硬脆，在晶圆制造有不同宽度的倒角。硅片很硬脆，在晶圆制造过程中，硅片边缘易破裂，会造成应力，产生过程中，硅片边缘易破裂，会造成应力，产生碎屑，所以硅片必须倒角。碎屑，所以硅片必须倒角。2.1.1 硅片制备与检测n n2.2.加工工艺流程加工工艺流程 硅片制备的加工工艺流程为：首先，把硅单晶棒进行硅片制备的加工工艺流程为：首先，把硅单晶棒进行整形处理，要去除两端；滚圆研磨到标准直径；定位整形处理，要去除两端；滚圆研磨到标准直径；定位面研磨；去除单晶表面

4、损伤层。其次，以定位面为基面研磨；去除单晶表面损伤层。其次，以定位面为基准面进行切片，并做倒角、磨片。准面进行切片，并做倒角、磨片。然后对硅片腐蚀，以去除硅片表面损伤层，确保硅片然后对硅片腐蚀，以去除硅片表面损伤层，确保硅片具有高平整度和平行度的光滑表面，再对硅片抛光。具有高平整度和平行度的光滑表面，再对硅片抛光。最后，把放有合格硅片的片架放入冲氮的密封传送盒最后，把放有合格硅片的片架放入冲氮的密封传送盒之前，需对硅片进行超净态的清洗和质量校验。之前，需对硅片进行超净态的清洗和质量校验。2.1.1 硅片制备与检测n n3.基本检测项目硅片的主要质量要求如表硅片的主要质量要求如表2.1.1 硅片

5、制备与检测n n4.基本检测方法通常，检测硅片缺陷的方法是先对硅片进行选通常，检测硅片缺陷的方法是先对硅片进行选择性的化学择性的化学/电化学腐蚀，再利用光学显微镜观电化学腐蚀，再利用光学显微镜观察其表面微结构和缺陷，做缺陷性质判断和计察其表面微结构和缺陷，做缺陷性质判断和计数评估，这是一种常用的快速、低成本检测单数评估，这是一种常用的快速、低成本检测单晶硅片缺陷的方法。晶硅片缺陷的方法。根据物体导电能力(电阻率)的不同，划分为导体、绝缘体和半导体。半导体的电阻率为10-3109 cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。半导体的特点：1）导电能力不同于导体、绝缘体；2）受外界光和

6、热刺激时电导率发生很大变化光敏元件、热敏元件；3）掺进微量杂质，导电能力显著增加半导体。半导体的基本知识2.1.2 半导体材料与特性n n概述n nGeGe,只用于某些特殊器件和光电探测器，半导体级只用于某些特殊器件和光电探测器，半导体级的纯锗成本比纯硅高的纯锗成本比纯硅高1010倍。倍。n nSiSi一直是半导体工业和集成电路的主材料，其不可一直是半导体工业和集成电路的主材料，其不可替代性在于地球上替代性在于地球上SiSi元素及其丰富（占地壳元素及其丰富（占地壳27%27%），），仅次于氧仅次于氧2.1.2 半导体材料与特性n n硅的基本特性硅有若干特性，硅的导电性可以由掺杂来控制，硅有若干

7、特性，硅的导电性可以由掺杂来控制，常温下导电性主要由杂志来决定；常温下导电性主要由杂志来决定；半导体的共价键结构 硅硅硅硅和锗锗锗锗是四价元素，在原子最外层轨道上的四个电子称为价电子。它们分别与周围的四个原子的价电子形成共价键。原子按一定规律整齐排列，形成晶体点阵后，结构图为：+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4本征半导体、空穴及其导电作用本征半导体完全纯净的、结构完整的半导体晶体。载流子可以自由移动的带电粒子。电导率与材料单位体积中所含载流子数有关，载流子浓度越高，电导率越高。电子空穴对电子空穴对电子空穴对电子空穴对 当T=0K和无外界激发时，导体中没有栽流子，不导电。当温度升高

8、或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子本证激发。自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，这个空位为空穴。+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4自由电子自由电子 因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。本征激发动画1-1空穴空穴返回杂质半导体杂质半导体+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4N型半导体型半导体（电子型半导体）在本征半导体中掺入五价的元素(磷、砷、锑)多余电子，多余电子，成为自由电子成为自由电子+5自由电子自由电子 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性

9、发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。返回+5P型半导体型半导体（空穴型半导体）在本征半导体中掺入三价的元素（硼）返回N型半导体的多数载流子为电子，少数载流子是空穴；P型半导体的多数载流子为空穴，少数载流子是电子。例：纯净硅晶体中硅原子数为1022/cm3数量级，在室稳下，载流子浓度为ni=pi=1010数量级，掺入百万分之一的杂质（1/10-6），即杂质浓度为1022*（1/106）=1016数量级，则掺杂后载流子浓度为1016+1010，约为1016数量级，比掺杂前载流子增加106，即一百万倍。PN结的形成及特性 PN结的单向导电性 PN结的形成

10、PN结的形成 在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。内电场促使少子漂移内电场阻止多子扩散 因浓度差多子的扩散运动由由杂质离子杂质离子形成空间电荷区 空间电荷区形成内电场 动画+五价的元素+三价的元素产生多余电子产生多余电子产生多余空穴产生多余空穴PN结的单向导电性(1)PN结加正向电压 外加的正向电压，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是,内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，PN结呈现低阻性。P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏。动画 外加反向电压,方向与PN结内电场方向相同，加强

11、了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场的作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，PN结呈现高阻性。P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压，简称反偏。动画（2）PN结加反向电压结加反向电压 二极管按结构分有点接触型、面接触型二大类。(1)点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。(2)面接触型二极管 PN结面积大，用于大电流整流电路。半导体二极管的结构2.2 晶圆n n通过芯片制造工艺，在圆硅片上已经形成了芯片阵列的硅圆片，被称为“晶圆”。“晶圆”有别于硅片，通常把还没有经过芯片制造工艺的原始圆硅片简称为“硅片”

12、。2.2.1 晶圆的表形构成n n1.硅衬底是制作集成电路芯片的衬底材料，他可以是P型或N型的原始抛光硅片，也可以是经过外延工艺的硅片，依据集成电路的结构形式和制造工艺选定。2.2.1 晶圆的表形构成硅衬底是制作集成电路芯片的衬底材料，它可以是P型或N型的原始抛光硅片，也可以是经过外延工艺的硅片，依据集成电路的结构形式和制造工艺选定。2.2.1 晶圆的表形构成n n2.芯片集成电路的核心是功能电路芯片，为进行大规集成电路的核心是功能电路芯片，为进行大规模量产、降低集成电路成本，晶圆上的芯片数模量产、降低集成电路成本，晶圆上的芯片数会很多。会很多。芯片上的内容很多，其主体是集成电路功能电芯片上的

13、内容很多，其主体是集成电路功能电路，集成的功能不外乎是晶体三极管、二极管、路，集成的功能不外乎是晶体三极管、二极管、电阻和电容，用金属薄膜导线规则把他们连接电阻和电容，用金属薄膜导线规则把他们连接起来。起来。2.2.1 晶圆的表形构成2.2.1 晶圆的表形构成n n3.辅助测试结构集成电路的辅助测试结构是对集成电路功能和集成电路的辅助测试结构是对集成电路功能和参数测试的补充，在进入大规模集成电路阶段参数测试的补充，在进入大规模集成电路阶段后，更显得必要性和重要性。后，更显得必要性和重要性。集成电路测试结构是为了提取集成电路的各种集成电路测试结构是为了提取集成电路的各种参数而专门设计的，大致可以

14、分为芯片制造过参数而专门设计的，大致可以分为芯片制造过程的工艺监控参数、过程质量控制参数、电路程的工艺监控参数、过程质量控制参数、电路设计模型参数和可靠性参数的提取。设计模型参数和可靠性参数的提取。2.2.1 晶圆的表形构成微电子测试结构图n n微电子测试结构图是指一种用于微电子器件生产中，有别于芯片上所集成的核心功能电路的特种图形结构。微电子测试结构图组可用于评价晶圆片级集成电路的材料、掺杂和刻蚀的均匀性，工艺装备的完好性，工艺、结构与器件参数的一致性及工艺的稳定性。微电子测试结构图n n1.工艺监控参数（1 1）在工艺参数的监测中，最典型的微电子）在工艺参数的监测中，最典型的微电子测试结构

15、是范德堡（测试结构是范德堡（VDPVDP）测试结构，它主要）测试结构，它主要用于测量各种掺杂区域的薄层电阻。其测试结用于测量各种掺杂区域的薄层电阻。其测试结构有圆形构有圆形VDPVDP，圆形栅极，圆形栅极VDPVDP、偏移方形十字、偏移方形十字、大希腊十字形、小希腊十字形和正十字形六种，大希腊十字形、小希腊十字形和正十字形六种，其中，正十字形其中，正十字形VDPVDP测试结构经常被使用。测试结构经常被使用。2.3.2 微电子测试结构图微电子测试结构图（2 2）金属）金属-半导体接触电阻测试结构。随着电半导体接触电阻测试结构。随着电路结构尺寸越来越小。路结构尺寸越来越小。ICIC特征尺寸按比例因

16、子特征尺寸按比例因子K K减小，引线孔的面积按减小，引线孔的面积按K K2 2的关系缩小，则金的关系缩小，则金属属-半导体接触电阻会以半导体接触电阻会以K K2 2的速率增加。如何的速率增加。如何正确的测定金属正确的测定金属-半导体接触电阻或接触电阻率半导体接触电阻或接触电阻率成为了一个重要的问题。成为了一个重要的问题。微电子测试结构图n n2.电路质控参数为了产生质量好、成本低、可靠性高的集成电为了产生质量好、成本低、可靠性高的集成电路，工艺过程必须处于路，工艺过程必须处于“统计受控统计受控”的状态。的状态。在集成电路生产中普遍采用统计过程控制技术在集成电路生产中普遍采用统计过程控制技术（S

17、PCSPC）。）。SPCSPC利用数理统计分析理论，将微利用数理统计分析理论，将微电子测试结构图组连续采集的大量工艺参数数电子测试结构图组连续采集的大量工艺参数数据转换成信息，以确认、改善或纠正工艺过程据转换成信息，以确认、改善或纠正工艺过程特征，保证产品质量、成品率和可靠性。特征，保证产品质量、成品率和可靠性。微电子测试结构图n n3.设计模型参数利用微电子结构图组技术的期间测试结构来提利用微电子结构图组技术的期间测试结构来提取设计模型参数。建立取设计模型参数。建立VLSIVLSI库单元特性的一个库单元特性的一个关键，在于是否有一个可靠的，并能正确反映关键，在于是否有一个可靠的，并能正确反映

18、其工艺的器件模型参数。其工艺的器件模型参数。2.2.1 晶圆的表形构成n n4.焊盘传统的方法是把芯片进行封装后提供给用户使传统的方法是把芯片进行封装后提供给用户使用，为此，就必须把芯片上的功能电路与外部用，为此，就必须把芯片上的功能电路与外部连接，即芯片上把焊盘作为引线的压焊点，兼连接，即芯片上把焊盘作为引线的压焊点，兼做测试点做测试点2.2.2 晶体管基本原理和结构n n晶体管是构成集成电路的重要有源基础器件。要理解集成电路的原理和结构，就必须了解晶体管的工作原理和结构。半导体集成电路的晶体管有双极型和MOSFET型两大类。2.2.2 晶体管基本原理和结构n n1.PN结和二极管2.2.2

19、 晶体管基本原理和结构n nPN结具有重要的单向导电整流特性，即PN结只允许电流沿一个方向流动。正向偏置时，导电性很好，PN结电流随外加电压增大而呈指数规律快速增大；反向偏置时，导电性极差，PN结最初电流几乎为零，随着外加反向电压增大，达到某一个临界电压时，电流才迅速增加。(1)正向特性 硅二极管的死区电压Vth=0.50.8V左右，锗二极管的死区电压Vth=0.20.3 V左右。当0VVth时，正向电流为零，Vth称死区电压或开启电压。正向区分为两段：当V Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。2.2.2 晶体管基本原理和结构n n2.双极型晶体管双极型器件有电子和空穴两种载流子参与

20、导电。双极型器件有电子和空穴两种载流子参与导电。双极型双极型NPNNPN是由一个是由一个NPNP结和一个结和一个PNPN结，以及结，以及两个结中间一个共享的很窄的两个结中间一个共享的很窄的P P型区而构成的型区而构成的三端有源器件。三端有源器件。BJT的开关特性的开关特性iB 0，iC 0，vOVCEVCC，c、e极之间近似于开路极之间近似于开路,vI=0V时时:iB 0，iC 0，vOVCE0.2V，c、e极之间近似于短路极之间近似于短路,vI=5V时时:iCICS很小，很小，约为约为数数百欧，相当于百欧，相当于开关开关闭闭合合可可变变 很大，很大，约为约为数百千欧，数百千欧，相当于开关相当

21、于开关断开断开 c c、e e间间等等效内阻效内阻V VCES CES 0.20.3 V 0.20.3 VV VCECEV VCCCCi iC CR Rc cV VCEO CEO V VCCCC管管压压降降 且不随且不随i iB B增加增加而增加而增加i ic c i iB Bi iC C 0 0集集电电极极电电流流 发发射射结结和集和集电结电结均均为为正偏正偏 发发射射结结正偏，正偏，集集电结电结反偏反偏 发发射射结结和集和集电结电结均均为为反反偏偏偏置情况偏置情况工工作作特特点点 i iB B i iB B00条件条件饱饱 和和放放 大大截截 止止工作状工作状态态BJT的开关条件的开关条件

22、 0 0 i iB B 2.2.2 晶体管基本原理和结构n n3.MOS晶体管MOSMOS型晶体管属于场效应晶体管，是一种电压型晶体管属于场效应晶体管，是一种电压控制的单极四端器件。场效应器件分为绝缘型控制的单极四端器件。场效应器件分为绝缘型（MOSFET/MESFETMOSFET/MESFET）和结型（和结型（JFETJFET）两种。）两种。2.2.2 晶体管基本原理和结构2.2.3集成电路的基本原理和结构n n半导体集成电路有双极型集成电路和MOS集成电路两大类。单片半导体集成电路是通过许多道平面工艺，把许多有源器件、无源元件和金属薄膜导线按集成设计要求有序并规则地制作在同一块硅片（基片）

23、上，以达到各种性能指标，并能满足特定功能条款的电路。2.2.3集成电路的基本原理和结构n n集成电路的有源器件指双极型和MOS型等各类晶体管，他要用多个方程才能描述其完整特性n n无源元件通常指电阻、电容和电感，他们只要单个简单的方程就能描述其特性2.2.3集成电路的基本原理和结构n n任何集成电路中都有信息流和能量流，能量流是为确保集成电路正常工作的能量需求而形成的电子流，信息流是集成电路为完成其功能形成的信号流。n n信号流分为数字信号和模拟信号2.2.3集成电路的基本原理和结构n n模拟信号信号波形模拟着信息的变化而变化，如图所信号波形模拟着信息的变化而变化，如图所示的信号称为模拟信号。

24、其特点是幅度连续示的信号称为模拟信号。其特点是幅度连续(连续的含义是在某一取值范围内可以取无限多连续的含义是在某一取值范围内可以取无限多个数值个数值)。2.2.3集成电路的基本原理和结构n n数字信号下图是数字信号，其特点是幅值被限制在有限下图是数字信号，其特点是幅值被限制在有限个数值之内，它不是连续的而是离散的，个数值之内，它不是连续的而是离散的，这种这种幅度是离散的信号称数字信号。幅度是离散的信号称数字信号。2.2.3集成电路的基本原理和结构n n1.集成电路基本原理（1 1）双极型集成数字逻辑电路。按其晶体管）双极型集成数字逻辑电路。按其晶体管正常工作的状态分为饱和型和非饱和型。正常工作

25、的状态分为饱和型和非饱和型。TTLTTL是饱和型、是饱和型、STTLSTTL电路抗饱和，归属饱和型电路。电路抗饱和，归属饱和型电路。2.2.3集成电路的基本原理和结构n nTTL集成电路是由双极型晶体管为主体构成的。TTL集成电路的最基本单元电路有TTL与非门、TTL或非门、TTL反相器和TTL与或非门等。2.2.3集成电路的基本原理和结构n nTTL集成电路品种较多，互换性较强。民品系列的前缀是“74”，军品系列的前缀是“54”，军品的制造工艺过程控制严格，适用温度也更宽。2.2.3集成电路的基本原理和结构（2 2）CMOSCMOS集成数字逻辑电路。集成数字逻辑电路。NMOSNMOS和和PM

26、OSPMOS管的串联、并联和串并联组合可以构成管的串联、并联和串并联组合可以构成各种基本单元逻辑电路。各种基本单元逻辑电路。2.2.3集成电路的基本原理和结构n n（3 3）模拟集成运算放大器）模拟集成运算放大器 构成模拟系统的典型模拟集成电路有集成运算放构成模拟系统的典型模拟集成电路有集成运算放大器、集成锁相环、集成滤波器、集成稳压器等。大器、集成锁相环、集成滤波器、集成稳压器等。1.输入级 使用高性能的差分放大电路，它必须对共模信号有很强的抑制力，而且采用双端输入双端输出的形式。4.偏置电路 提供稳定的几乎不随温度而变化的偏置电流，以稳定工作点。3.输出级 由PNP和NPN两种极性的三极管

27、或复合管组成，以获得正负两个极性的输出电压或电流。具体电路参阅功率放大器。2.电压放大级 要提供高的电压增益，以保证运放的运算精度。中间级的电路形式多为差分电路和带有源负载的高增益放大器。运算放大器的引线 运算放大器的符号中有三个引线端，两个输入端，一个输出端。一个称为同相输入端，即该端输入信号变化的极性与输出端相同，用符号+表示；另一个称为反相输入端，即该端输入信号变化的极性与输出端相反，用符号“-”表示。输出端在输入端的另一侧，在符号边框内标有+号。集成放大器的符号运运算算放放大大器器外外形形图图运算放大器的常见参数n n1.1.输入失调电压输入失调电压V VIO(inputoffsetv

28、oltage)IO(inputoffsetvoltage)：输入电压为零时，将输出电：输入电压为零时，将输出电压除以电压增益，即为折算到输入端的失调电压。压除以电压增益，即为折算到输入端的失调电压。V VIOIO是表征运放内部电路是表征运放内部电路对称性的指标。对称性的指标。n n2.2.输入失调电流输入失调电流I IIO(inputoffsetcurrent)IO(inputoffsetcurrent)：在零输入时，差分输入级的：在零输入时，差分输入级的差分对管基极电流之差，用于表征差分级输入电流不对称的程度。差分对管基极电流之差，用于表征差分级输入电流不对称的程度。n n3.3.输入偏置电

29、流输入偏置电流I IB(inputbiascurrent)B(inputbiascurrent)：运放两个输入端偏置电流的平均：运放两个输入端偏置电流的平均值，用于衡量差分放大对管输入电流的大小。值，用于衡量差分放大对管输入电流的大小。n n4.4.输入失调电压温漂输入失调电压温漂：在规定工作温度范围内，输入失调电压随温度的变：在规定工作温度范围内，输入失调电压随温度的变化量与温度变化量之比值。化量与温度变化量之比值。n n5.5.输入失调电流温漂输入失调电流温漂：在规定工作温度范围内，输入失调电流随温度的变：在规定工作温度范围内，输入失调电流随温度的变化量与温度变化量之比值。化量与温度变化量

30、之比值。n n6.6.最大差模输入电压最大差模输入电压(maximumdifferentialmodeinputvoltage)(maximumdifferentialmodeinputvoltage)：运：运放两输入端能承受的最大差模输入电压，超过此电压时放两输入端能承受的最大差模输入电压，超过此电压时,差分管将出现反向击差分管将出现反向击穿现象。穿现象。n n7.7.最大共模输入电压最大共模输入电压(maximumcommonmodeinputvoltage)(maximumcommonmodeinputvoltage)：在保：在保证运放正常工作条件下，共模输入电压的允许范围。共模电压超过

31、此值时，证运放正常工作条件下，共模输入电压的允许范围。共模电压超过此值时，输入差分对管出现饱和，放大器失去共模抑制能力。输入差分对管出现饱和，放大器失去共模抑制能力。2.3 晶圆测试项目n n晶圆测试是在探针台上进行的，晶圆测试时，金属探针的一端接到相应的电源、地、信号源、控制和检测单元，另一端的金属探针针尖接触焊盘。一般探针与探针卡的晶圆测试可以测试直流参数（与时间无关的参数）、功能和某些极限参数测试以及部分低速低频芯片的低精度交流参数（与时间有关的参数）测试。2.3.1 性能参数测试项目n n1.直流（DC）参数大规模集成电路的直流参数体系包括所有表征大规模集成电路的直流参数体系包括所有表

32、征集成电路的电流和电压参数。这些参数决定于集成电路的电流和电压参数。这些参数决定于在测试状态下，对被测器件（在测试状态下，对被测器件（DUTDUT）芯片的所）芯片的所有输入引脚、输出引脚和电源引线等进行的稳有输入引脚、输出引脚和电源引线等进行的稳态电气特性测试。态电气特性测试。现今大规模集成电路测试设备内部都装有现今大规模集成电路测试设备内部都装有（DCDC）子系统，）子系统，DCDC子系统包括可编程电源子系统包括可编程电源DPSDPS和高精度的精密测量单元和高精度的精密测量单元PMUPMU2.3.1 性能参数测试项目n n2.2.功能功能 集成电路的功能依照设计的要求会有千差万别。集成集成电

33、路的功能依照设计的要求会有千差万别。集成电路可以实现数字逻辑运算，数字和模拟信号的处理、电路可以实现数字逻辑运算，数字和模拟信号的处理、控制、存储、发射等一系列功能。控制、存储、发射等一系列功能。n n3.3.极限（裕量）参数极限（裕量）参数 集成电路的极限参数是与集成电路工作环境密切相关集成电路的极限参数是与集成电路工作环境密切相关的，指允许变化范围的极限电学参数。的，指允许变化范围的极限电学参数。n n4.4.交流参数交流参数 集成电路的交流参数是与时间有关的电参数，包括上集成电路的交流参数是与时间有关的电参数，包括上升时间和下降时间、传输过程的延迟时间、建立和保升时间和下降时间、传输过程

34、的延迟时间、建立和保持时间、刷新和暂停时间等。持时间、刷新和暂停时间等。2.4 晶圆测试设备n n晶圆测试设备是借助于探针对晶圆上芯片进行测试的设备。利用晶圆测试设备可以步进测试晶圆上器件和芯片的电学性能参数和功能，得到晶圆上芯片和微电子测试结构的统计量。2.4.1 手动探针测试台n n手动探针测试台具有最基本的配置，能进行手动步进测试。2.4.1 手动探针测试台n n1.探针卡与探针座探针很单薄、很细小，每个探针卡上可以有序探针很单薄、很细小，每个探针卡上可以有序组装许多探针，一块探针卡可以组装几百根。组装许多探针，一块探针卡可以组装几百根。探针卡上的许多探针预先按照集成电路芯片的探针卡上的

35、许多探针预先按照集成电路芯片的焊盘位置进行分布和焊接，形成固定的探针阵焊盘位置进行分布和焊接，形成固定的探针阵列。列。探针座安装在探针座支架上，可以自由移动和探针座安装在探针座支架上，可以自由移动和固定位置。探针座的体积比卡用探针大得多，固定位置。探针座的体积比卡用探针大得多，探针座支架上可以安装的探针座是有限的，最探针座支架上可以安装的探针座是有限的，最多几十个。多几十个。2.4.1 手动探针测试台n n1.1.探针卡与探针座探针卡与探针座2.4.1 手动探针测试台n n2.体视显微镜体视显微镜安装在手动探针测试台的载物工作体视显微镜安装在手动探针测试台的载物工作台上方，用于观察晶圆、芯片和

36、探针。体视显台上方，用于观察晶圆、芯片和探针。体视显微镜由双目镜、物镜、显微镜筒体、倍率调节微镜由双目镜、物镜、显微镜筒体、倍率调节装置和升降导轨装置等构成。装置和升降导轨装置等构成。2.4.1 手动探针测试台n n3.载物工作台载物台由载物台由X-YX-Y二维步进工作台和载物台构成。二维步进工作台和载物台构成。载物台上放置被测物件，即晶圆片等，载物台载物台上放置被测物件，即晶圆片等，载物台可以进行可以进行360360度的旋转和度的旋转和Z Z方向的升降。方向的升降。2.4.1 手动探针测试台n n4.探针卡支架与探针座支架探针卡支架主要用于安装和固定探针卡，探针探针卡支架主要用于安装和固定探

37、针卡，探针卡支架保证了探针卡的机械稳定性。晶圆测试卡支架保证了探针卡的机械稳定性。晶圆测试时，探针阵列固定不动，晶圆做相对步进移动时，探针阵列固定不动，晶圆做相对步进移动和升降移动，以完成对晶圆上阵列芯片的测试。和升降移动，以完成对晶圆上阵列芯片的测试。2.4.1 手动探针测试台n n5.打墨点装置打墨点装置固定于支架上，可以在不合格的芯打墨点装置固定于支架上，可以在不合格的芯片表面打墨点标记，以便在晶圆划片后分离芯片表面打墨点标记，以便在晶圆划片后分离芯片时，能区分合格和不合格芯片。片时，能区分合格和不合格芯片。2.4.2 自动探针测试台n n自动测试探针台可以再细分为半自动和全自动两种。半

38、自动探针测试台需要人工干预，用于自动化程度要求不高的场合。全自动测试探针台能完成自动装片、自动对准、自动步进、自动测试等，用于自动生产流水线。2.4.2 自动探针测试台n n用自动测试台进行晶圆测试时，首先要设定自动用自动测试台进行晶圆测试时，首先要设定自动探针台的工作参数，如晶圆直径、探针台的工作参数，如晶圆直径、X-YX-Y方向的芯方向的芯片步进距离、片步进距离、Z Z方向的分离高度、方向的分离高度、Z Z向升降工作模向升降工作模式、测试方式和打点模式等。式、测试方式和打点模式等。n n其次，把晶圆安装在晶圆承片步进台上，晶圆承其次，把晶圆安装在晶圆承片步进台上，晶圆承片步进台进入探针测试

39、台中心，经系统的片步进台进入探针测试台中心，经系统的CCDCCD显显微摄像装置扫描找准后，微摄像装置扫描找准后，X-YX-Y二维步进工作台移二维步进工作台移动定位到测试探针阵列对准晶圆上芯片的位置，动定位到测试探针阵列对准晶圆上芯片的位置，升降升降Z Z轴，使探针和芯片接触。轴，使探针和芯片接触。2.4.2 自动探针测试台n n然后，探针台受启动测试信号的控制，对芯片进行测试，芯片测试过程结束。n n最后，打点装置受打点信号控制，按照测试结果决定是否打墨点之后，承片台下降。2.4.2 自动探针测试台n n1.基本构成和功用自动探针卡测试台是光机电一体化的精密设备，自动探针卡测试台是光机电一体化

40、的精密设备，比手动探针卡测试台更复杂、紧密、高效。自比手动探针卡测试台更复杂、紧密、高效。自动探针卡测试台有两种构成方式，一种是独立动探针卡测试台有两种构成方式，一种是独立的整机设备，另一种是依附于集成电路自动测的整机设备，另一种是依附于集成电路自动测试设备的模块式自动探针卡测试台。试设备的模块式自动探针卡测试台。2.4.2 自动探针测试台n n2.外围保障和辅件自动探针测试台、自动测试设备和自动分选机自动探针测试台、自动测试设备和自动分选机的外围保障有工业动力源、压缩气动源、防静的外围保障有工业动力源、压缩气动源、防静电的净化室等。电的净化室等。2.5 晶圆测试操作n n晶圆测试主要是利用探

41、针卡与探针对功能芯片电路和微电子测试结构的测试。芯片测试主要测试是功能测试和直流参数测试，特殊需要时，低频低速电路还可以安排交流参数的测试，但是要解决好探针电容匹配和感应耦合引起的严重干扰问题，以确保测试精度。手动探针台的测试操作n n以典型的微电子测试结构工艺参数提取为例。（1）利用范德堡测试结构对掺杂层薄层电阻进行测试，必须保证测试的精度和分辨率。范德堡测试结构是四端对称结构，测试结构是紧邻两端加恒定电流，另两端测电压手动探针台的测试操作n n（2）要减少测试误差。首先，该测试结构的两个电流端口要加正负恒定电流，另外两个端口测到两个电压值。然后，四端口作90度旋转，再一次进行正负恒定电流下

42、的测试，又得到两个电压值，取这四个测量值的平均值以减少误差。手动探针台的测试操作n n测试步骤：测试步骤：1.1.安装探针，调整四个探针座安装探针，调整四个探针座 2.2.下降载物台，在载物台上安放晶圆下降载物台，在载物台上安放晶圆 3.3.通过体视显微镜进行观察和判断，对探针座做微调通过体视显微镜进行观察和判断，对探针座做微调（通常根据压痕来判断位置）（通常根据压痕来判断位置）4.4.选定电压电流测量工具选定电压电流测量工具 5.5.测试测试 6.6.下降载物台，移到另一个测试结构位置，进行重复下降载物台，移到另一个测试结构位置，进行重复测试，直到取下晶圆测试，直到取下晶圆 7.7.分析测试

43、的数据分析测试的数据自动探针台的测试操作n n1.晶圆芯片的参数测试直流参数测试和功能测试直流参数测试和功能测试n n2.晶圆芯片的测试要点（1 1）熟悉被测晶圆和芯片的二维结构、位置）熟悉被测晶圆和芯片的二维结构、位置尺寸、工艺参数等尺寸、工艺参数等（2 2）设置和建立基本测试条件）设置和建立基本测试条件（3 3）利用探针卡进行晶圆芯片测试，必须保）利用探针卡进行晶圆芯片测试，必须保证探针卡的精度和可靠性。证探针卡的精度和可靠性。（4 4）正确设置探针台的各种位置和测试参数）正确设置探针台的各种位置和测试参数自动探针台的测试操作n n3.3.晶圆芯片的测试步骤晶圆芯片的测试步骤（1 1）在晶

44、圆探针台上安装探卡）在晶圆探针台上安装探卡（2 2）与探卡相匹配的校准晶圆安装在晶圆承片步进台）与探卡相匹配的校准晶圆安装在晶圆承片步进台上上（3 3）接通电源，接地线和气源）接通电源，接地线和气源（4 4）开机）开机（5 5）设置自动探针台的运行工作参数）设置自动探针台的运行工作参数（6 6）手动校正探卡位置和墨点位置，并设置墨点大小）手动校正探卡位置和墨点位置，并设置墨点大小（7 7）执行探针台自动校正命令，校正探卡位置。）执行探针台自动校正命令，校正探卡位置。（8 8）晶圆芯片校准样品模拟测试。）晶圆芯片校准样品模拟测试。自动探针台的测试操作（9 9）在一切正常前提下，对晶圆进行自动探）在一切正常前提下，对晶圆进行自动探针测试针测试（1010）探针阵列和测试芯片接触）探针阵列和测试芯片接触（1111）启动和完成芯片测试）启动和完成芯片测试（1212）打点标记后，进行另一个芯片测试）打点标记后，进行另一个芯片测试（1313）重复循环芯片测试，完成整个晶圆的测）重复循环芯片测试，完成整个晶圆的测试试（1414）检查晶圆表面，记录探针压痕不合格和）检查晶圆表面，记录探针压痕不合格和墨点标记不合格的芯片墨点标记不合格的芯片（1515）对照被测晶圆，进行数据分析。）对照被测晶圆，进行数据分析。