相变存储器的基础理论幻灯片.ppt

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1、相变存储器的基础理论第1页，共11页，编辑于2022年，星期一第2页，共11页，编辑于2022年，星期一忆阻器1971年，美国加州大学伯克利分校教授蔡少棠语言了忆阻器的存在。一种有记忆功能的非线性电阻。通过控制电流的变化可以改变其阻值，如果，把高阻定义为“1”，低阻值定义为“0”，则这种电阻可以实现数据的存储功能第3页，共11页，编辑于2022年，星期一忆阻器最简单的应用是非易失性存储器，也就是在断电后仍然能够保存数据的存储器。目前，电脑广泛使用动态随机存储器作为内存。这种技术最大问题是，当用户关闭PC电源时，内存中的数据就消失了，下次打开计算机电源，用户必须等所有需要运行的数据全部从硬盘重新

2、装入内存，这个过程有时长达几分钟。有了非易失性存储器，PC 会在开机的一瞬间回到关闭前的状态。第4页，共11页，编辑于2022年，星期一晶态(低阻)和非晶态(高阻)，分别对应着逻辑数值“1”和“0”，利用电脉冲可以使材料在晶态与非晶态之间相互转换实现信息的写入与擦除，然后通过流经器件电流的大小来识别数据存储状态第5页，共11页，编辑于2022年，星期一 相变工作原理第6页，共11页，编辑于2022年，星期一相变材料：硫系化合物目前使用最多的相变存储材料为硫系半导体化合物，如GeSbTe，GeTe，GeSb，AsSbTe，AglnSbTe和AulnTe等。Ge2Sb2Te5(GST)是目前相变存

3、储器研究中最为成熟的材料，其非晶态和晶态很稳定，无需能量的供给即可保持存储信息，从而可以应用于非易失性存储器。第7页，共11页，编辑于2022年，星期一第8页，共11页，编辑于2022年，星期一相变存储原理第9页，共11页，编辑于2022年，星期一Ovshinsky的多值设想相变电阻可以编写为多种介于完全非晶态和完全多晶态之间的状态，且这些状态下的阻值同样也介于完全非晶态的高阻值和完全多晶态的低阻值之间，如下图所示。若能够利用相变电阻的多值编写能力多值编写能力而实现单元内多值(即多态)存储，则实现较高的存储密度将成为可能。第10页，共11页，编辑于2022年，星期一多值存储方法通过不同强度的编程脉冲来改变同一层相变材料的相变程度，进而构建多重电阻值。2：高阻介质层 3：非晶相变材料第11页，共11页，编辑于2022年，星期一