[精选]声表产品生产制作工艺介绍.pptx
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1、一一.声外表波器件的用途声外表波器件的用途滤波器滤波器:电子通讯 移动设备 无线宽带 播送电视-谐振器谐振器:移动设备 无匙安全系统射频识别射频识别:鉴别:身份识别,物体识别,运输方式跟踪-传感器传感器:感知:压力,温度 液体,气体 生物传感-特殊应用特殊应用:特殊压电材料,改变物理特性 二二.声外表波器件工作原理声外表波器件工作原理o声外表波SAWSurfaceAcousticWave就是在压电基片材料外表产生和传播、且振幅随深入基片材料的深度增加而迅速减少的弹性波。SAW滤波器的基本结构是在具有压电特性的基片材料抛光面上制作两个声电换能器叉指换能器IDT。它采用半导体集成电路的平面工艺,在
2、压电基片外表蒸镀一定厚度的铝膜,把设计好的两个IDT的掩膜图案,利用光刻方法沉积在基片外表,分别作为输入换能器和输出换能器。电转换为声电转换为声逆压电效应逆压电效应声转换为电声转换为电正压电效应正压电效应 工作原理是输入换能器将电信号变成声信号,沿晶体外表传播,输出换能器再将接收到的声信号变成电信号输出。换能器空间图形 对应脉冲响应图形 通过指条位置和重迭长度的设计即可控制换能器的脉冲响应,从而也就控制了换能器的频率响应 SAW滤波器构成及频响压电基片+IDT半导体工艺 电-声SAW-电 Hfilterf=HIDT1f*HIDT2f三三.主要声外表波器件用晶片材料主要声外表波器件用晶片材料LT
3、LT、LNLN主要功能主要功能压电效应-外表波器件热释电效应-红外探测电光效应-光开关、光调制光折变效应-全息存储非线性光学效应-激光倍频 从上面可以看出LN、LT是一种多功能晶体,我们在实践中注意各种性能对使用和生产相互影响。比方热释电产生静电吸尘、静电击裂晶片影响常用外表波切型简称主面及传播方向简称主面及传播方向128 Y-XLN128 旋转Y切X向传播铌酸锂3 6 Y-XLT36 旋转Y切X向传播钽酸锂64 Y-XLN64 旋转Y切X向传播铌酸锂42 Y-XLT42 旋转Y切X向传播钽酸锂Y-Z LNY切Z向传播铌酸锂45 X-ZLBO45 旋转X切Z向传播四硼酸锂X-112.2 YLT
4、X切112.2 旋转Y向传播钽酸锂ST-XQUARTZST切X向传播-石英晶片反面的加工粗糙度碳化硅碳化硅规格号规格号100#120#180#240#W28W141000#2000#W3.5粒度尺粒度尺寸范围寸范围160125806328-2014-1015.58.53.5-2.5晶片粗晶片粗糙度糙度7531-30.50.5-0.70.15-0.3金胜金胜3-51.52.20.8-1.50.5-1.0水晶:0.5-1.0 其他0.8-1.5DQ备备注注晶片反面粗糙度数值为LN晶片实测典型值。晶片材料不同其加工粗糙度值略有差异。四四.声外表波器件制作工艺流程声外表波器件制作工艺流程1.前工序基基
5、片片清清洗洗镀金属膜镀金属膜涂胶涂胶曝光曝光显影显影腐蚀腐蚀探针测试探针测试涂胶涂胶曝光曝光显影显影镀金属膜镀金属膜剥离剥离镀保护膜镀保护膜后工序后工序湿法工艺.镀膜铝晶片铝晶片光刻胶.涂光刻胶.曝光UV 光光刻胶铝晶片.显影铝晶片光刻胶.刻蚀光刻胶铝晶片.去胶铝晶片B、剥离工艺.涂光刻胶光刻胶晶片.曝光光刻胶晶片UV 光.显影光刻胶晶片.镀膜光刻胶晶片铝.去胶铝晶片制作完成图形主要工艺清洗全自动清洗机全自动清洗机STANGLSTANGL精清洗系统精清洗系统 系统精清洗局部由以下构成:RBS1槽、RBS2槽、溢流清洗槽、QDR1槽、QDR2槽、兆声清洗槽、甩干机。STANGL精清洗采用的是湿法
6、批量式清洗,所用的工艺为RBS洗液超声清洗结合SC1洗液兆声清洗的方式,因该清洗系统设计时未考虑酸洗槽,有些晶片在清洗前得预先经过一次酸浸泡处理工艺。该系统专用于3和4标准晶圆片的清洗,日产量为300-400片/班8小时。主要工艺清洗主要工艺镀膜 设备名称设备名称:BAK-SAW:BAK-SAW 电子束镀膜机电子束镀膜机 主要技术指标主要技术指标 均匀性 单片:1%片与片:2%批与批:2%镀层材料 AL、AL-CU2%合金、TI、CU 产量 3 英寸 36片/炉 4 英寸 18片/炉 适用工艺适用工艺 剥离工艺和湿法工艺 单层和多层镀膜主要工艺镀膜 设备名称设备名称:KDF:KDF磁控溅射镀膜
7、机磁控溅射镀膜机 主要技术指标主要技术指标 均匀性 单片 2%AL 23%sio2 片与片 35%AL 58%SIO2 批与批 3 5%AL 58%SIO2 镀层材料 AL、AL-CU2%合金、TI 产量 3英寸 16片/炉、4英寸 9片/炉适用工艺适用工艺 湿法工艺 单层金属膜和SIO2保护膜主要工艺镀膜 设备名称设备名称:LEYBOLD:LEYBOLD莱宝电子束镀膜机莱宝电子束镀膜机 主要技术指标主要技术指标 均匀性 单片 1.5%片与片:2.5%批与批:2.5%镀层材料 AL、AL-CU2%合金、TI 产量 3英寸 36片/炉 4英寸 18片/炉 适用工艺适用工艺 剥离剥离和湿法工艺 单
8、层和多层金属膜主要工艺镀膜膜厚测试膜厚测试:FRT:FRT外表轮廓仪外表轮廓仪 ALPHA-STEP ALPHA-STEP 台阶仪台阶仪主要工艺光刻分布重复式投影曝光主要技术指标:最小分辨率:0.5um 最大视场:1519mm 掩膜版尺寸:5英寸 晶片尺寸:3英寸 光源波长:I线365nm 缩影倍率:5:1 曝光工作台定位精度:100nm适用工艺:剥离工艺和湿法工艺主要工艺光刻3和4标准圆片的光刻胶涂覆及曝光后图形显影,满足特征尺寸CD0.35m声外表波器件的光刻胶涂覆及曝光后图形显影工艺制作要求涂敷光刻胶均匀性和一致性:4片内为2%,片与片之间到达2%;GAMMA涂胶显影机M2000涂胶显影
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