[精选]某公司功率器件封装工艺流程培训课件.pptx
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1、功率器件封装工艺流程功率器件封装工艺流程21主要内容主要内容主要内容介绍主要内容介绍一、功率器件后封装工艺流程一、功率器件后封装工艺流程二、产品参数一致性和可靠性的保证二、产品参数一致性和可靠性的保证三、产品性价比三、产品性价比四、今后的开展四、今后的开展2功率器件后封装工艺流程功率器件后封装工艺流程划片粘片压焊塑封老化打印管脚上锡测试切筋检验包装入库Die bondingDie sawwire bondingmoldingmarkingHeat agingplatingsegregatingTesting Inspection Packing Ware house 3功率器件后封装工艺流程功
2、率器件后封装工艺流程 划片划片划片圆硅片划片及绷片后的圆片划片:将圆片切割成单个别离的芯片划片特点:DISCO划片机,具有高稳定性,划片刀的厚度25um,芯片损耗小。4 DISKO划片机功率器件后封装工艺流程划片车间功率器件后封装工艺流程划片车间功率器件后封装工艺流程划片车间功率器件后封装工艺流程划片车间5功率器件后封装工艺流程功率器件后封装工艺流程 粘片粘片将单颗芯片粘结到引线框架上实物图划片粘片压焊塑封打印6我公司粘片的特点我公司粘片的特点1、自动粘片机,芯片和引线框架的粘结牢固,一致性好。2、优质的框架及焊接材料使用,获得良好的热学和电学特性。3、芯片与框架的热匹配性良好,芯片和框架之间
3、的应力到达最小,热阻小,散热性好。4、氮氢气体保护,防止高温下材料氧化。7功率器件后封装工艺流程功率器件后封装工艺流程粘片车间粘片车间粘片员工在认真操作8功率器件后封装工艺流程功率器件后封装工艺流程粘片车间粘片车间全新的TO-220粘片机9功率器件后封装工艺流程功率器件后封装工艺流程-压焊压焊压焊:用金丝或铝丝将芯片上的电极跟外引线框架管脚连接起来。金丝金丝球焊铝丝超声波焊压焊示意图划片粘片压焊塑封打印10压焊的特点压焊的特点1、自动压焊机,一致性好,焊点、弧度、高度最正确,可靠性高。2、根据管芯的实际工作电流选择引线直径规格,保证了良好的电流特性。压焊实物图11功率器件后封装工艺流程功率器件
4、后封装工艺流程功率器件后封装工艺流程功率器件后封装工艺流程 压焊车间压焊车间压焊车间压焊车间全新的KS TO-92压焊机压焊车间12功率器件后封装工艺流程功率器件后封装工艺流程-塑封塑封塑封体框架管脚塑封:压机注 塑,将已装片的管子进行包封塑封示意图划片粘片压焊塑封打印13塑封的特点塑封的特点采用环氧树脂塑封材料封装,阻燃,应力小,强度高,导热性好,密封性好,保证晶体管大功率使用情况下具有良好散热能力,管体温度低。塑封机14功率器件后封装工艺流程功率器件后封装工艺流程 塑封车间塑封车间塑封生产车间的景象15功率器件后封装工艺流程功率器件后封装工艺流程激光打标激光打印机在管体打上标记塑封切筋打印
5、电镀测试老化16功率器件后封装工艺流程功率器件后封装工艺流程-电镀切筋电镀切筋电镀:纯锡电镀,符合无铅化要求切筋:器件分散连筋切筋示意图塑封切筋打印电镀测试老化17功率器件后封装工艺流程功率器件后封装工艺流程 切筋切筋切筋员工在操作18功率器件后封装工艺流程功率器件后封装工艺流程-老化老化1、严格的筛选条件,温度140150。2、使用有N2保护的烘箱,防止管子在高温下氧化。塑封切筋打印电镀测试老化19功率器件后封装工艺流程功率器件后封装工艺流程切筋电镀测试老化检验包装测试流程20功率器件后封装工艺流程功率器件后封装工艺流程 测试设备测试设备KT9614与DTS-1000分选机21功率器件后封装
6、工艺流程功率器件后封装工艺流程 包装包装整洁的包装车间新型的包装方式编带我公司今年新引进的编带机22产品一致性和可靠性产品一致性和可靠性1、产品的一致性 a.芯片生产工艺控制 b.通过细分类进行控制2、产品可靠性 a.优化芯片生产工艺提高可靠性 b.封装工艺的严格要求 23产品参数一致性的保证产品参数一致性的保证高精度的测试系统 1、最高测试电压为1000V,最大电流20A,漏电流最高精度到达pA级,电压测试精度到达2mV 2、可测试的半导体器件有双极晶体管,MOS管,二极管等多种器件。3、对于双极晶体管,可测试hFE、Vcesat、Vbesat、Rhfe、Iceo、Iebo、Bveb、Icb
7、o、Bvceo、Vfbe、Vfbc、Vfec、Bton、Bvces、Bvcer、Icer、Icex、Icbr、Icbs、BVcbo、Iceo等参数24 提高产品可靠性提高产品可靠性 封装工艺的严格控制封装工艺的严格控制一、降低热阻二、控制“虚焊三、增强塑封气密性25功率器件的重要参数热阻功率器件的重要参数热阻降低器件发热量的三个途径一、通过优化电路,防止开关器件进入放大区,减小器件上的功率消耗。二、降低器件的热阻,即提高器件的散热能力。三、提高器件的电流性能,降低饱和压降。在电路和芯片都已固定的情况下,防止器件发热失效重要的途径就是降低器件的热阻热阻。26功率器件的重要参数热阻功率器件的重要参
8、数热阻一、热阻的定义 热阻Rth是表征晶体管工作时所产生的热量向外界散发的能力,单位为/W,即是当管子消耗掉1W时器件温度升高的度数。RTH总 RT1+RT2+RT327功率器件的重要参数热阻功率器件的重要参数热阻二、晶体管热阻的组成1、RT1内热阻由芯片的大小及材料决定。2、RT2接触热阻与封装工艺有关。3、RT3与封装形式及是否加散热片有关。28热阻的工艺控制热阻的工艺控制 我们工艺控制过程中,最重要的是解决接触热阻。主要的控制手段:1、粘片工艺对接触热阻的控制。2、高效的测试手段进行筛选。29热阻的工艺控制热阻的工艺控制 粘片工艺粘片工艺原因技术要求工艺保证芯片反面金属层质量金属层平整清
9、洁无氧化,且有一定厚度。每片先试粘一条,试推力,符合工艺标准才下投。焊料外表清洁光亮,无氧化及斑点、粘污等不良现象。与芯片、框架两者之间的浸润性良好,溶化后无颗粒状。引线框架外表平整、清洁、光亮无氧化,无斑点。焊料点上熔化后,焊料与之的浸润好。粘接强度1、推力:mm21kg2、焊料覆盖芯片面积95%空洞面积5%3、芯片、焊料、框架三者之间无缝隙。1、专职检验员每隔1小时巡查一次。2、N2、H2气体保护。3、X-R管理图热阻偏大的原因分析与工艺保证30热阻的工艺控制热阻的工艺控制 测试筛选测试筛选 晶体管的热阻测试原理:在一定范围内pn结的正向压降Vbe 的变化与结温度的变化T有近似线性的关系:
10、VbekT 对于硅pn结,k约等于2,热阻的计算公式为:RthT/P 只需加一个稳定的功率,测量晶体管的Vbe即可计算出晶体管的热阻 RT。31热阻测试筛选设备的优点热阻测试筛选设备的优点 进行热阻测试筛选,我们用的是 TESEC的Vbe测试仪。32热阻测试筛选设备的优点热阻测试筛选设备的优点Vbe测试仪的性能参数及优点:测试精度:0.1mV脉冲时间精确度:1us最高电压:200V最大电流:20A优点:1.精度高,且精度高可到达0.1mV,重复性好。2.筛选率高 33热阻测试筛选设备的优点热阻测试筛选设备的优点优点2:筛选率高如粘片有空洞,脉冲测试在很短功率脉冲内,由于热量来不及传导,有空洞的
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