[精选]第4讲__NIOS_II_外围设备__标准系统搭建.pptx
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1、第第4 4讲讲 NIOS II NIOS II 外外围设备围设备标标准系准系统统搭建搭建SunSun主要内容本讲主要以一个标准硬件平台的搭建,介绍了Nios II处理器常用外围设备Peripherals内核的特点、配置,供读者在使用这些外设定制Nios II系统时查阅。这些外设都是以IP核的形式提供给用户的,用户可以根据实际需要把这些IP核集成到Nios II系统中去。主要介绍:硬件结构;内核的特性核接口;SOPC Builder中各内核的配置选项第4讲 主要内容4.1 并行输入/输出PIO内核4.2 SDRAM控制器内核4.3 ram/rom片上存储4.4 EPCS控制器内核4.5 定时器内
2、核4.6 UART内核4.7 JTAG_UART内核4.8 lcd控制器4.9 System ID内核4.10 课程实验第4讲 主要内容4.1 并行输入/输出PIO内核4.2 SDRAM控制器内核4.3 ram/rom片上存储4.4 EPCS控制器内核4.5 定时器内核4.6 UART内核4.7 JTAG_UART内核4.8 lcd控制器4.9 System ID内核4.10 课程实验4.1 并行输入/输出内核并行输入/输出内核PIO内核提供Avalon从控制器端口和通用I/O口间的存储器映射接口。PIO内核提供简单的I/O访问用户逻辑或外部设备,例如:控制LED读取开关量控制显示设备配置并且
3、与片外设备通信说明:明:1.SOPC Builder中提供了PIO内核,可以很容易将PIO内核集成到SOPC Builder生成的系统中。2.通用I/O端口既连接到片内逻辑又连接到外部设备的FPGA I/O管脚。4.1 并行输入/输出内核PIO内核简介最多32个I/O端口CPU内核PIO内核存放器Nios II 系统PIO内核Pio31Pio30Pio29Pio3Pio2Pio1Pio0Pio7Pio6Pio5Pio4Pio3Pio2Pio1Pio0PIO内核端口数可设置每个Avalon接口的PIO内核可提供32个I/O端口且端口数可设置,用户可以添加一个或多个PIO内核。CPU通过I/O存放
4、器控制I/O端口的行为。I/O口可以配置为输入、输出和三态,还可以用来检测电平事件和边沿事件。CPU通过存放器控制I/O端口行为PIO内核结构框图4.1 并行输入/输出内核PIO内核存放器描述偏移量存放器名称R/Wn-12100数据存数据存放器放器读访问R读入输入引脚上的逻辑电平值写访问W向PIO输出口写入新值1方向存放器方向存放器R/W控制每个I/O口的输入输出方向。0:输入;1:输出。2中断屏蔽存放器中断屏蔽存放器 R/W使能或禁止每个输入端口的IRQ。1:中断使能;0:禁止中断。3边沿捕获存放器边沿捕获存放器 R/W当边沿事件发生时对应位置1。注:注:该存放器是否存在取决于硬件的配置。如
5、果该存放器不存在,那么读存放器将返回未定义的值,写存放器无效。写任意值到边沿捕获存放器将去除所有位为0。“该存放器是否存在取决于硬件的配置。如果该存放器不存在,那么读存放器将返回未定义的值,写存放器无效。4.1 并行输入/输出内核PIO内核配置选项双击4.1 并行输入/输出内核PIO内核配置选项Basic Settings 选项卡I/O口口宽度度:可设置为132的任何整数值。Direction中文描述Bidirectionaltri-state ports双向三态端口Input ports only仅为输入端口Output ports only仅为输出端口Both input and outp
6、ut ports输入和输出端口4.1 并行输入/输出内核PIO内核配置选项Basic Settings 选项卡Direction中文描述Bidirectionaltri-state ports双向三态端口Input ports only仅为输入端口Output ports only仅为输出端口Both input and output ports输入和输出端口4.1 并行输入/输出内核PIO内核配置选项Input Options 选项卡边沿捕获存放器中断存放器Rising Edge:上升沿Falling Edge:下降沿Either Edge:上升或下降沿Level:输入为高电平且中断使能,则
7、PIO内核产生一个IRQ。Edge:边沿捕获存放器相应位为1且中断使能,则PIO内核产生一个IRQ。说明:当指定类型的边沿在输入端口出现时,边沿捕获存放器对应位置1。说明:中断只有高电平中断,如果希望低电平时中断,则需在该I/O输入引脚前加一个“非门。4.1 并行输入/输出内核PIO内核配置选项Simulation 选项卡当需要对外进行仿真时,要设置simulation选项卡。4.1 并行输入/输出内核添加Led_pio 发光二极管LED PIO设置和button_pio类似,只是模式是Output ports only,不再需要中断生成,本例中配置了8位的LED输出。添加1个按钮在此选Inp
8、ut ports only。在Input Options选项单我们配置了上升沿触发,生成中断请求的模式第4讲 主要内容4.1 并行输入/输出PIO内核4.2 SDRAM控制器内核4.3 ram/rom片上存储4.4 EPCS控制器内核4.5 定时器内核4.6 UART内核4.7 JTAG_UART内核4.8 lcd控制器4.9 System ID内核4.10 课程实验4.2 SDRAM控制器内核SDRAM控制器内核概述SDRAM控制器内核提供一个连接片外SDRAM芯片的Avalon接口,并可以同时连接多个SDRAM芯片。SDRAM控制器内核具有不同数据宽度8、16、32或64位、不同内存容量和
9、多片选择等设置。SDRAM控制器不支持禁能的时钟模式。SDRAM控制器使cke引脚永久地有效。4.2 SDRAM控制器内核SDRAM控制器内核概述PPL片内锁相环:通常用于调整SDRAM控制器内核与SDRAM芯片之间的相位差。Avalon三态桥:SDRAM控制器可与现有三态桥共用引脚,这用能减少I/O引脚使用,但将降低性能。fMAX最高时钟频率:目标FPGA的系列和整个硬件设计都会影响硬件设计可实现的最高时钟频率。4.2 SDRAM控制器内核 SDRAM内核配置选项可直接选择预定义的SDRAM芯片型号,对话框将自动改变下面两个选项卡的值来匹配指定配置。Memory Profile:用于指定SD
10、RAM的结构。4.2 SDRAM控制器内核数据宽度 允许值:8、16、32、64 默认值:32 描述:该值确定dq总线数据和dqm总线字节使能的宽度。具体数值请查阅SDRAM数据手册。4.2 SDRAM控制器内核结构设置片选 允许值:1、2、4、8 默认值:1 描述:独立芯片的数目在SDRAM子系统中选择。通过使用多个片选信号,SDRAM控制器可组合多个SDRAM芯片为一个存储器子系统。4.2 SDRAM控制器内核结构设置区 允许值:2、4 默认值:4 描述:区的数目,该值确定连接到SDRAM的ba总线区地址宽度。具体数值请查阅SDRAM数据手册。4.2 SDRAM控制器内核地址宽度设计行 允
11、许值:11、12、13、14 默认值:12 描述:行地址位的数目。该值确定addr总线的宽度。具体数值请查阅SDRAM数据手册。4.2 SDRAM控制器内核地址宽度设计列 允许值:=8,且小于行的值 默认值:8 描述:列地址位的数目。例如,SDRAM排列为4096行、51229列,所以列的值为9。具体数值请查阅SDRAM数据手册。4.2 SDRAM控制器内核通过三态桥共用管脚允许值:是、否默认值:否 描述:当设为No时,所有管脚都专用于SDRAM芯片。当设为Yes时,addr,dq和dqm管脚在系统内可与三态桥共享。4.2 SDRAM控制器内核包括系统测试台的功能存储模块允许值:是、否默认值:
12、是 描述:当翻开选项时,SOPC Builder创立SDRAM芯片的功能仿真模型。该默认的存储器模型加速创立的过程和检验使用SDRAM控制器的系统。4.2 SDRAM控制器内核 SDRAM内核配置选项Timing:根据在SDRAM芯片数据手册中提供的参数来设置芯片的时序标准4.2 SDRAM控制器内核CAS等待时间允许值:1、2、3默认值:3 描述:从读命令到数据输出的等待时间以时钟周期计算。4.2 SDRAM控制器内核初始化刷新周期允许值:1-8默认值:2 描述:复位后,该值指定SDRAM控制器将执行多少个刷新周期作为初始化序列的一局部。4.2 SDRAM控制器内核每隔一段时间执行一个刷新命
13、令允许值:-默认值:15.625us 描述:该值指定SDRAM控制器多久刷新一次SDRAM。典型的SDRAM每64ms需要4,096刷新命令,通过每64ms/4,096=15.625us执行一个刷新命令来符合这个要求。4.2 SDRAM控制器内核在初始化前、上电后延时允许值:-默认值:100us 描述:从稳定的时钟和电源到SDRAM初始化的延时。4.2 SDRAM控制器内核刷新命令t_rfc的持续时间允许值:-默认值:70ns 描述:自动刷新周期。4.2 SDRAM控制器内核预充电命令t_rp的持续时间允许值:-默认值:20ns 描述:预充电命令周期。4.2 SDRAM控制器内核ACTIVE到
14、READ或WRITE延时允许值:-默认值:20ns 描述:ACTIVE到READ或WRITE延时。4.2 SDRAM控制器内核访问时间t_ac允许值:-默认值:5.5ns 描述:时钟边沿的访问时间。该值由CAS的等待时间决定。4.2 SDRAM控制器内核写恢复时间t_wr,无自动预充电允许值:-默认值:14ns 描述:如果执行了明确的预充电命令,写恢复。该SDRAM控制器总是执行明确的预充电命令。4.2 SDRAM控制器内核SDRAM应用一个带32位数据总线的128Mbit SDRAM芯片4.2 SDRAM控制器内核SDRAM应用两个带16位数据总线的64Mbit SDRAM芯片4.2 SDR
15、AM控制器内核SDRAM应用两个带32位数据总线的128Mbit SDRAM芯片4.2 SDRAM控制器内核添加外部sdram通常的系统都需要用户指定一个空间,这个是指ram可以使片上的,也可以使片外的sdram或sram等。如果用户程序较大,超出了所能定制的最大片上ram容量,则也可以将程序放在sdram中运行4.2 SDRAM控制器内核第4讲 主要内容4.1 并行输入/输出PIO内核4.2 SDRAM控制器内核4.3 ram/rom片上存储4.4 EPCS控制器内核4.5 定时器内核4.6 UART内核4.7 JTAG_UART内核4.8 lcd控制器4.9 System ID内核4.10
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- 关 键 词:
- 精选 _NIOS_II_ 外围设备 _ 标准 系统 搭建
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