电力电子技术教案讲稿.pdf
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1、辽宁冶金职业技术学院教案辽宁冶金职业技术学院教案课 程 名 称:任 课 教 师:开 课 系 部:授 课 班 级:开课教研室:开 课 学 期:电力电子技术自控系自控教研室20 xx20 xx 学年度第一学期辽宁冶金职业技术学院教案辽宁冶金职业技术学院教案课题名称课次课型教学目标绪论、1.1 电力电子器件概述、1。2 电力二极管第(1)次课课时2理论();实验();实习();、实务();习题课();讨论();其他()了解本课程的基本内容及本课程在专业课中的作用;了解电力电子技术的发展、应用和分类。了解电力二极管的工作原理、基本特性和主要参数;了解晶闸管的结构,掌握晶闸管的导通条件、关断条件及门极的
2、作用;重点:明确本课程在专业课学习中的作用和地位;晶闸管的工作原理、工作特性难点:晶闸管的双晶体管理论一、绪论1、本课程在专业课学习中的作用和地位2、电力电子技术的概念3、电力电子技术的发展史4、电力电子技术的应用二、电力电子器件概述1、电力电子器件2、电力电子器件的分类三、电力二极管1、工作原理;2、基本特性;3、主要参数四、晶闸管1、晶闸管的结构;2、工作原理重点、难点及解决方法教学基本内容与教学设计教学方法教学手段讲授法课外学习安排复习电子技术课程中的二极管、三极管内容;预习电力二极管参考资料电力电子技术浣喜明高等教育出版社2004.08学习效果评测课外学习指导安排教学后记第1页辽宁冶金
3、职业技术学院讲稿辽宁冶金职业技术学院讲稿教学内容一、绪论一、绪论1、本课程在专业课学习中的作用和地位供电变流系统专业基础课:电路原理、电子技术、电机拖动、变流、自控原理、PLC 等专业课:电力传动控制系统、供电、DCS、检测技术2、电力电子技术的概念电力电子技术是应用于电力领域的电子技术。就是利用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。包括电压、电流、频率、波形和相数的变换。1)整流器:把交流电压变为固定的或可调的直流电压.(ACDC)2)逆变器:把固定直流电压变为固定的或可调的交流电压。(DCAC)3)斩波器:把固定直流电压变为可调直流电压。(DCDC)4)交流调压器:把固定交流电压变为可调
4、的交流电压。(ACAC)5)变频器:把固定的交流频率变为可调的交流频率。3、电力电子技术的发展1)晶闸管:2)全控型器件:门极可关断晶闸管(GTO);电力双极型晶体管(BJT、GTR);电力场效应晶体管(电力 MOSFET)3)复合型器件:绝缘栅极双极型晶体管(IGBT);MOS控制晶闸管(MCT);集成门极换流晶闸管(IGCT);4)功率集成电路(PIC)4、电力电子技术的应用1)工业应用:如调速、直流电源、中高频感应加热电源等;2)交通运输二、电力电子器件概述二、电力电子器件概述1、电力电子器件电功率的大小是其最主要的参数一般工作在开关状态由信息电子电路来控制自身的功率损耗较大,一般要考虑
5、器件的散热2、电力电子器件的分类按照电力电子器件控制电路信号的程度分:不可控型器件:电力二极管半控型器件:晶闸管全控型器件(自关断器件):按照控制信号的性质分:电流驱动型:GTR、GTO电压驱动型:电力 MOSFET、IGBT按照器件内部载流子参与导电的情况分为:单极型器件:电力 MOSFET、静电感应晶体管(SIT)双极型器件:电力二极管、晶闸管、GTO、GTR、静电感应晶闸管(SITH)复合型(混合型)器件:IGBT、MCT备注组织上课(2 分钟)理论教学(43分钟)第2页辽宁冶金职业技术学院讲稿辽宁冶金职业技术学院讲稿教学内容三、电力二极管三、电力二极管1、工作原理:与普通二极管相同2、
6、基本特性:静态特性和动态特性3、主要参数:正向平均电流 IF(AV)、正向压降 UF、反向重复峰值电压 URRM等四、晶闸管四、晶闸管1、晶闸管的结构:四层三端半导体器件晶闸管是一种大功率的四层三端半导体器件.四层:由 P、N、P、N 四层半导体组成,依次构成三个 PN 结.三端:有三个接线端子(电极),即阳极 A、阴极 K、门极 G其内部结构和符号如图所示AAKp1n1GGp2n2符号K晶闸管的内部结构2、晶闸管的外形常用晶闸管的外形有螺栓式和平板式两种,其优缺点如下:螺栓式:安装、更换方便,但散热效果差。平板式:散热效果好,但安装、更换比较麻烦.3、基本特性:静态特性:晶闸管导通条件:应同
7、时具备正向阳极电压和正向门极电压。晶闸管关断条件:阳极电流小于管子的维持电流。具体实现方法:阳极电压减小到零或加反向电压。增大回路负载电阻。晶闸管导通以后门极失去作用。备注复习相关知识(5 分钟)理论教学(40分钟)第3页辽宁冶金职业技术学院教案辽宁冶金职业技术学院教案课题名称课次课型教学目标1.3 晶闸管第(2)次课课时2理论();实验();实习();、实务();习题课();讨论();其他()掌握晶闸管的工作特性和主要参数重点、难点及解决方法重点:晶闸管的工作原理、工作特性和主要参数教学基本内容与教学设计晶闸管的伏安特性晶闸管的主要参数额定电压 UTn额定电流 IT(AV)门极触发电流 IG
8、T和门极触发电压 UGT通态平均电压 UT(AV)维持电流 IH与掣住电流 IL(平均值、有效值、波形系数的计算)晶闸管的型号教学方法教学手段讲授法实物课外学习安排作业 3 道题参考资料电力电子技术浣喜明高等教育出版社2004.08学习效果评测主要内容下次课以提问方式进行复习,要求通过作业掌握课外学习指导安排教学后记第4页辽宁冶金职业技术学院讲稿辽宁冶金职业技术学院讲稿教学内容1、晶闸管的结构:四层三端半导体器件2、晶闸管的外形3、基本特性:ia正向特性备注组织上课,点名(2 分钟)复习(5 分钟)理论教学(33分钟)IG1 IG2IG0 0UR0URRMIHOUB2UB1UDRMUB0ua反
9、向特性晶闸管的伏安特性图中:UB0-正向转折电压UDSM正向阻断不重复峰值电压UDRM-正向阻断重复峰值电压;等于 90%UDSMUR0反向击穿电压URSM反向不重复峰值电压URRM-反向重复峰值电压;等于 90URSM动态特性:开通过程关断过程4、主要参数电压定额、电流定额、动态参数;(平均值、有效值、波形系数的计算)1)晶闸管的额定电压 UTn晶闸管的额定电压 UTn是取 UDRM和 URRM中较小的一个.选择晶闸管的额定电压时应考虑安全余量(23 倍),即选实际工作时最大电压的 23 倍。2)晶闸管的额定电流 IT(AV)晶闸管的额定电流用一定条件下的最大通态平均电流来标定.平均值平均值
10、波形在一个周期内的平均值1Id20Imsintd(t)Im第5页辽宁冶金职业技术学院讲稿辽宁冶金职业技术学院讲稿教学内容有效值有效值,即为“方均根”备注1I 20Im(Imsint)d(t)22理论教学(50分钟)波形系数波形系数:有效值与平均值之比为波形系数。Ikf1.57Id注意注意:Id、IdT、IT(AV)及 I、IT、ITn的区别Id:负载电流平均值I:负载电流有效值IdT:晶闸管平均电流IT:晶闸管有效电流IT(AV):晶闸管的额定电流ITn:晶闸管的额定电流有效值(举例)3)门极触发电流 IGT和门极触发电压 UGT在室温下,晶闸管施加 6V 正相阳极电压时,使元件完全开通所必须
11、的最小门极电流,称为门极触发电流,对应于门极触发电流时的门极(触发)电压,称为门极触发电压。4)通态平均电压 UT(AV)晶闸管通以额定电流时,阳极和阴极间电压降的平均值,称为通态平均电压(管压降)。5)维持电流 IH与掣住电流 IL维持电流 IH:使晶闸管维持通态所必须的最小阳极电流.掣住电流 IL:晶闸管从断态转入通态,并且移除触发信号后能维持通态所必须的最小电流。一般 IL=(24)IH。5、型号K字母数字-数字字母通态平均电压组别额定电压等级(乘 100 即为额定电压)额定电流P:普通型;K:快速型;S:双向型;N:逆导型;G:可关断型表示闸流特性第6页辽宁冶金职业技术学院教案辽宁冶金
12、职业技术学院教案课题名称课次课型教学目标重点、难点及解决方法1.4 全控型电力电子器件第(3)次课课时2理论();实验();实习();、实务();习题课();讨论();其他()认识典型全控型器件,如GTO、GTR、IGBT 等,重点掌握器件的工作特性和主要参数重点:器件的工作原理、工作特性和主要参数.一、门极可关断晶闸管(GTO)1、结构和工作原理2、GTO 的动态特性3、GTO 的主要参数二、电力晶体管(GTR)1、结构和工作原理2、GTR 的基本特性:静态特性和动态特性3、GTR 的主要参数三、IGBT1、IGBT 的结构和工作原理2、IGBT 的基本特性:静态特性和动态特性3、IGBT
13、的主要参数4、IGBT 的锁定效应教学基本内容与教学设计教学方法教学手段讲授法课外学习安排自学典型全控型器件的相关内容参考资料电力电子技术浣喜明高等教育出版社2004。08学习效果评测课外学习指导安排教学后记第7页辽宁冶金职业技术学院讲稿辽宁冶金职业技术学院讲稿教学内容一、门极可关断晶闸管(GTO)GTO 是一种具有自关断能力的闸流特性功率半导体器件。既具有普通晶闸管的耐压高、电流大的优点,又具有 GTR 的一些优点,如具有自关断能力、频率较高、使用方便等.主要应用在大功率直流斩波调速、变频调速、逆变电源等领域。1GTO 的结构及工作原理GTO 的结构与普通晶闸管相似,也是 PNPN 四层三端
14、半导体器件,三端A、G 和 K 分别表示 GTO 的阳极、门极和阴极。与普通晶闸管不同的是,可以从门极抽出电流而使其关断.AGTO 的触发导通原理与普通晶闸管相似,当阳极加正向阳极电压、门极加触发信号后可使 GTO 触发导通.G因此,通过门极加正触发信号使 GTO 触发导通,通过K门极加负触发信号使 GTO 关断。GTO的符号2GTO 的主要特性GTO 的阳极伏安特性与普通晶闸管相似GTO 的动态特性如图所示,由图可以看出,GTO 的开通时间ton包括延迟时间td和上升时间tr,其大小取决于器件特性、门极电流上升率以及门极信号的幅值大小。GTO 的关断过程包含三个时间区间,即存储时间ts、下降
15、时间tf和尾部时间tt,其中存储时间ts和下降时间tf的和定义为关断时间toff.iG备注组织上课,点名(2 分钟)GTO(30 分钟)内容主要以自内容主要以自学为主学为主OtiAIA90%IA10%IAOt0tdtrtstfttt1t2t3t4t5t6t GTO开通和关断的电流波形3GTO 的主要参数GTO 的基本参数与普通晶闸管大多相同,不同的主要参数叙述如下:(1)最大可关断阳极电流IATO即管子的铭牌电流,在实际应用中,它受如下因素的影响:门极关断负电流波形、阳极电压上升率、工作频率及电路参数的变化等。(2)电流关断增益offoff表示 GTO 的为最大可关断阳极电流IATO与门极最大
16、负电流IGM之比。关断能力,off值越大,说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。第8页辽宁冶金职业技术学院讲稿辽宁冶金职业技术学院讲稿教学内容二、电力晶体管(GTR)GTR 是一种双极型大功率晶体管,因此也称为功率晶体管或双极型晶体管(BJT)。具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好等优点;因此广泛应用在交直流调速、不间断电源、中频电源以及家用电器等中小容量的变流装置中.在中小功率应用方面,是取代晶闸管的自关断器件之一。1、结构和工作原理常用的电力晶体管有单管、达林顿管和达林顿晶体管模块三大系列.1)单管 GTR:结构有 PNP 和 NPNCC 集电极两种。要求有足够大的容量(大电流
17、、高电压)、适当的增益、较高的开关速度和B基极 B较低的功率损耗等,因此在 GTR 的制造过程中采取了特殊的措施以保证功率应EE 发射极用的需要,如扩大结片的面积、采用特PNPNPN殊形状的管芯图形、精细结构等制造工 GTR符号示意图艺。2)达林顿结构的GTR:解决单管GTR 的电流增益较低的问题。达林顿 GTR 由两个或多个晶体管复合而成,可以是 PNP 型也可以是 NPN 型,其性质由驱动管决定。与单管 GTR 相比,达林顿 GTR 提高了电流增益,但饱和压降增加,且开关时间增加。实用达林顿电路是将达林顿结构的 GTR、稳定电阻 R1、R2、加速二极管 VD1和续流二极管 VD2等制作在一
18、起。3)GTR 模块:作为大功率开关应用最多的还是 GTR 模块。为了改善器件的开关过程和并联使用方便,中间级晶体管的基极均有引线引出。2GTR 的主要特性GTR 的主要特性可分为静态特性和动态特性.静态特性中主要分析典型的双极型晶体管集电极输出特性,即ICIB4集电极伏安特性,分为四个区域:截临饱界止区、放大区、临界饱和区、饱和区。IB3饱和区和GTR 作为开关使用时,交替工作在IB2放大区区IB增加饱和区和截止区,在状态转换过程中IB1必须快速地通过放大区和临界饱和IB=0区。截止区GTR 的动态特性主要指开关特OUCE性.GTR 的开通时间ton、关断时间toff GTR共射极电路的输出
19、特性曲线及集电极电压上升率du/dt是动态过程中的重要参数。一般开通时间比关断时间短,容量越大,开关时间也越长,但仍比快速晶闸管短。为了抑制过高的du/dt对 GTR 的危害,使用时可在集-射极之间并联阻容缓冲电路。备注内容主要以自内容主要以自学为主学为主GTR(30 分钟)第9页辽宁冶金职业技术学院讲稿辽宁冶金职业技术学院讲稿教学内容3GTR 的额定参数GTR 的额定参数主要包括最高电压额定值、最大电流额定值和最大散耗功率.(1)最高电压额定值最高电压额定值即最高集电极电压额定值,它的大小不仅与器件本身的特性有关,而且还取决于基极回路的接线方式.下图所示为 GTR 的不同接线方式,对应的最高
20、电压额定值用BUCEO、BUCES、BUCER、BUCEX和BUCBO表示,一般情况下:BUCEX BUCBO BUCES BUCER BUCEOBUCEO备注BUCESBUCERBUCEXBUCBO GTR的不同接线方式在 GTR 产品目录中BUCEO作为电压额定值给出,实际应用时必须考虑一定的裕量,GTR 的电压额定应满足BUCEO(2 3)UM式中UM为 GTR 实际承受的最高电压。(2)最大电流额定值ICM最大电流额定值即允许流过集电极的最大电流值。为了提高 GTR 的输出功率,集电极输出电流应尽可能地大,但是集电极电流大,则要求基极注入的电流大,这将会使 GTR 的电气性能变差,甚至
21、损坏器件.因此在实际应用电路中,为了确保使用的安全与稳定,GTR 的最大电流额定值应满足ICM(2 3)ICP式中ICP为流过 GTR 的电流峰值。同样,基极电流也有最大额定值的规定,常用IBM表示,通常取IBM(1/2 1/6)ICM。(3)最大散耗功率PCM最大散耗功率PCM是指 GTR 在最高允许结温时所对应的散耗功率,它受结温的限制,其大小由集电极工作电压和集电极电流的乘积决定。由于这部分能量将转化为热能并使 GTR 发热,因此,GTR 在使用中的散热条件是十分重要的。第10页辽宁冶金职业技术学院讲稿辽宁冶金职业技术学院讲稿教学内容三、IGBTIGBT 是一种复合型器件。它将 MOSF
22、ET 和 GTR 的优点集于一身,既具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好和驱动电路简单、驱动电流小等优点,又具有通态电压低、耐压高和承受电流大等优点。在电机控制、中频和开关电源以及要求快速、低损耗的领域,IGBT已逐步取代功率 MOSFET 和 GTR.1IGBT 的结构及工作原理IGBT 是在功率 MOSFET 的基础上增加了一个 P+层发射极,形成 PN 结J1,并由此引出集电极 C,栅极 G 和发射极 E.E发射极G 栅极CUdrUJ1+ID-+-+RdrG-GEb)IGBT示意图a)IGBT结构剖面图 b)N-IGBT的等效电路 c)图形符号c)GCN沟道ECP沟道E备注内容主要以自
23、内容主要以自学为主学为主IGBT(30 分钟)NJ3J2J1+NPN-N+P+-体区漂移区缓冲区注入区C集电极a)IGBT 的开通和关断是由栅极电压来控制的。栅极施以正电压时,MOSFET 内形成沟道,并为 PNP 晶体管提供基极电流,从而使 IGBT 导通。此时,从 P+区注入到 N-区的空穴对 N-区进行电导调制,减小 N-区的电阻 Rdr,使高耐压的 IGBT 也具有低的通态压降。在栅极上施以负电压时,MOSFET 内沟道消失,PNP 晶体管的基极电流被切断,IGBT 关断。2IGBT 的工作特性IGBT 的工作特性包括静态特性和动态特性。1)静态特性主要有输出特性和转移特性。输出特性表
24、达了集电极电流IC与集射极电压UCE之间的关系,分正向阻断区、饱和区、放大区(有源区).饱和导通时管压降一般为 25V。IGBT 输出特性的特点是集电极电流IC由栅射极电压UGE控制,UGE越大IC越大。在反向集射极电压作用下器件呈反向阻断特性。IGBT 的转移特性表示了栅射极电压UGE对集电极电流IC的控制关系.在大部分范围内,IC与UGE呈线性关系,只有当UGE接近开启电压UGE(th)时才呈非线性关系.所以最大栅射极电压应受最大集电极电流ICM得限制,最佳值为UGE15V。2)IGBT 的动态特性也称开关特性,包括开通和关断两个部分.IGBT 的的开通时间ton由开通延迟时间td(on)
25、和电流上升时间tr两部分组成,通常开通时间为(0。51。2)s。第11页开通延迟时间td(on):是指从驱动电压UGE上升到其幅值电压的 10%的时刻起,到集电极电流升到其幅值的 10的时刻止的这段区间;上升时间tr:集电极电流从其幅值的 10%升高到其幅值的 90所需的时间为。IGBT 的关断过程是从正向导通状态转换到正向阻断状态的过程,关断时间toff也是由关断延迟时间td(off)和电流下降时间tf两部分组成.关断延迟时间td(off):是指从驱动电压UGE下降到其幅值电压的 90%的时刻起,到集电极电流降到其幅值的 90%的时刻为止的这段区间;下降时间tf:是指集电极电流从其幅值的 9
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