半导体三极管教案设计.pdf

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1、-.半导体三极管教案设计半导体三极管教案设计邯郸市涉县职业技术教育中心张晓刚课课题题授课教师授课教师课堂类型课堂类型教学工具教学工具教学要求教学要求半导体三极管课课 时时4上课日期上课日期教学方法2009-7-23河北省邯郸市涉县职业技术教育中心机电教研室张晓刚理论基础课讲授法电子技术基础多媒体课件 电子元器件三极管及放大电路1、通过教学使学生能够掌握三极管的内部结构特点。2、通过课堂知识拓展，了解三极管的命名方法。3、通过课堂教学，能画出三极管的等效电路。1 知识目标：理解三极管的内部结构。教学目的教学目的2、能力训练：培养学生观察、分析等逻辑思维能力和实际操作技能；3、素质培养：培养学生参

2、与、合作意识，激发学生学习兴趣和乐于探究的精神。1、半导体三极管的结构及工作原理.2、半导体三极管放大电路的三种基本组态主要内容主要内容3、从半导体三极管的结构及工作原理入手，重点介绍半导体三极管内部载流子的输运过程、电流分配关系；半导体三极管的特性曲线半导体三极管的特性曲线和主要参数（了解）知道三极管的分类方法、学会画三极管的符号教学重点教学重点（掌握）半导体三极管的结构及工作原理半导体三极管内部载流子的输运过程、电流分配关系；（难点）半导体三极管的特性曲线本节课主要使学生能够认识三极管并掌握其内部结构特点，能够熟练画出三极管的图形符号及其等效电路图；我们首先讨论半导体三极管的结构、工作原理

3、、特性曲线和主要参数。随后着重讨论半导体三极管放大电路的三种组态，即共发射极、共集电极和共基极三种放大电路。课后记课后记教学过程及内容教学过程及内容教法提示教法提示-考试资料-.第一课时第一课时 半导体三极管基本知识半导体三极管基本知识一、导入部分：一、导入部分：（约 5 分钟）1、导入如图所示是一个扩音器的示意图：声音信号转换为电信号声音信号转换为电信号声音声音电信号转换为声音信号电信号转换为声音信号声音声音放大电路放大电路关联生活常见的扩音器引出本课的知识点引导思考法话筒话筒图图 1 1扩音器示意图扩音器示意图扬声器扬声器其中：话筒是将声音信号转换为电信号，经放大电路放大后，变成大功率的电

4、信号，推动扬声器，再将其还原为声音信号。放大电路又称放大器，是指能把微弱的电信号转换为较强的电信号的电子线路。放大器的核心元件（即放大元件）是半导体三极管。这节课我们就来学习三极管的基础知识。二、新课教学二、新课教学（约 25 分钟）半导体三极管也称晶体三极管，是电子电路中最重要的电子元器件之一。它主要的功能是电流放大和开关作用，配合其他元器件还可以构成振荡器。1.1.三极管的内部结构三极管的内部结构在一块极薄的硅或锗材料的半导体基片上，经过特殊的工艺加工，制造出两个 PN结，这两个 PN 结将整个半导体基片分为3 个区域：集电区，基区和发射区。如图所示：运用动画把抽象的内部结构特点直观化C

5、C集电极集电极N N 集电区集电区B B基极基极P P基区基区N N发射区发射区发射极发射极E ENPNNPN型型B B基极基极C C集电极集电极P P 集电区集电区N N 基区基区P P发射区发射区发射极发射极E EPNPPNP型型图图 2 2 三极管结构三极管结构(3(3区区2 2结结)示意图示意图其中：基区相对很薄，集电区面积很大，发射区载流子的掺杂浓度很高。对应着三个区分别引出三个电极；即：基极，集电极和发射极。分别用英文字母B,C 和 E 来表示。-考试资料-.三极管是由两个 PN 结组成的。我们把基极和发射极之间的 PN 结称作发射结，基极和集电极之间的PN 结称作集电结。2.2.

6、三极管的符号三极管的符号半导体三极管的文字符号是：VT.由于半导体材料的不同，按照两个 PN 结的组合方式的不同，可以将三极管分为PNP 和 NPN 两大类。三极管的符号，有一个带箭头的电极是发射极。其中：箭头朝外的是 NPN 型三极管，箭头朝内的是PNP 型。实际上箭头所指的方向就是电流的方向。其图形符号如图所示：直观教学法C CC CB BVTVTB BVTVTE EPNPPNPE ENPNNPN图图 3 3 三极管符号三极管符号比较对照前后呼应区别异同师调试好教学设备，准备播放多媒体课件3.3.三极管的分类三极管的分类三极管的种类很多，并且不同型号各有不同的用途。三极管大都是塑料封装或金

7、属封装，大的很大，小的很小。按半导体所用材料分有：硅管和锗管。按三极管的导电极性分有：NPN 型管和 PNP 型管按功率分有：小功率管，中功率管和大功率管；按频率分有：低频管和高频管；按用途分有：放大管和开关管；按三极管的封装材料分有:金属封装和玻璃封装等2、课件展示：（约 6 分钟）运用动画课件把三极管的结构演示出来。将抽象的概念具体化，此法直观、形象。围绕问题提醒学生注意PN 结和电极数目的变化，观察三极管的结构图，结合文字介绍。通过看课件学生能回答但不一定能理解，抓住学生心理，不理解先建立起概念。三、课后作业三、课后作业请同学们结合本节课所学知识用两只二极管画三极管的等效电路图。附：板书

8、设计附：板书设计主板书主板书导入新课（约导入新课（约 5 5 分钟）分钟）新授课：新授课：（约（约 2525 分钟）分钟）1.1.三极管的内部结构三极管的内部结构2.2.三极管的内部结构三极管的内部结构3.3.三极管的分类三极管的分类副板书副板书1.1.课前提问（约课前提问（约 1010 分钟）分钟）2.2.课堂小结（约课堂小结（约 5 5 分钟）分钟）-考试资料-.第二课时第二课时 半导体三极管电流分配与放大原理半导体三极管电流分配与放大原理一、课前提问一、课前提问（约 10 分钟）1.请举例说出三极管在实际生活中的应用？2.请说出三极管的内部机构原理？二、新课教学二、新课教学（约 30 分

9、钟）三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。外部条件：发射结正偏，集电结反偏。1.1.内部载流子的传输过程内部载流子的传输过程发射区：发射载流子；集电区：收集载流子；基区：传送和控制载流子（以NPN 为例）图图 4 4 载流子的传输过程载流子的传输过程以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管，或 BJT(Bipolar Junction Transistor)。2.2.电流分配关系电流分配关系Ie=Ib+Ic3.3.三极管的三种组态三极管的三种组态共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE 表示。共基极接法，基极作为公共电极，用CB

10、 表示。共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC 表示。课前提问，检查学生对上节课知识的掌握能力-考试资料-.4.4.放大作用放大作用三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。实现这一传输过程的两个条件是：（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。（2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。三、课后小结：三、课后小结：（约 5 分钟）通过本节课的学习，同学们要明确：三极管的放大原理是：以小控大，而不是能量的放大。即：以基极电流的微小变控制集电极电流的较大变化。四、课后作业四、课后作业1.请画出三极管的三种组态图。2.请同学们用自

11、己的话复述三极管的内部载流子的传输过程。附：板书设计附：板书设计主板书主板书新授课：新授课：（约（约 3030 分钟）分钟）1.1.内部载流子的传输过程内部载流子的传输过程2.2.电流分配关系电流分配关系3.3.三极管的三种组态三极管的三种组态4.4.放大作用放大作用副板书副板书1.1.课前提问（约课前提问（约 1010 分钟）分钟）2.2.课堂小结（约课堂小结（约 5 5 分钟）分钟）练习巩固法巩固提高举一反三-考试资料-.第三学时第三学时 半导体三极管输入半导体三极管输入,输出的特性曲线输出的特性曲线一、课前提问一、课前提问（约 10 分钟）1.请说出三极管的内部电流分配关系？2.请说出三

12、极管的电流放大原理？二、新课教学二、新课教学（约 30 分钟）1.1.输入特性曲线输入特性曲线iB f(VBE)|VCEconst(1)当时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。VCE 0VvCE=0VvCE 1V图图 5 5 三极管的输入特性曲线三极管的输入特性曲线VCE1VVCBVCEVBE 0V(2)当时，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的下，减小，特性曲线右移。(3)输入特性曲线的三个部分：死区；非线性区；线性区2.2.输出特性曲线输出特性曲线VBEIB课前提问，检查学生对上节课知识的掌握能力-考试资料-.图图 6 6 三极管的输出特性曲线三极管的输出特性曲线其输出特

13、性曲线满足下面公式：iC f(VCE)|iBconst其中：放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时，vBE小于死区电压，集电结反偏。饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。三、课堂小结：三、课堂小结：（约 5 分钟）通过本节课的学习，同学们能够掌握三极管的输入和输出特性曲线图的画法，并能利用本节课的知识总结出三极管的输出特性曲线的特点四、课后作业四、课后作业1.请分别画出三极管的输入和输出曲线。2.请同学们利用本节课的

14、知识总结出三极管的输出特性曲线的特点。附：板书设计附：板书设计主板书主板书副板书副板书-考试资料-.新授课：新授课：（约（约 3030 分钟）分钟）1.1.输入特性曲线输入特性曲线vCE=0VvCE 1V2.2.输出特性曲线输出特性曲线1.1.课前提问（约课前提问（约 1010 分钟）分钟）2.2.课堂小结（约课堂小结（约 5 5 分钟）分钟）课前提问，检查学生对上节课知识的掌握能力第四学时第四学时 半导体三极管的主要参数半导体三极管的主要参数一、课前提问一、课前提问（约 10 分钟）1.请画出三极管的输入特性曲线？2.请画出三极管的输出特性曲线？二、新课教学二、新课教学（约 30 分钟）三极

15、管的参数是用来表征管子性能优劣相适应范围的，它是选用三极管的依据。了解这些参数的意义，对于合理使用和充分利用半导体三极管达到设计电路的经济性和可靠性是十分必要的。1.1.半导体三极管的电流放大系数半导体三极管的电流放大系数(1)共发射极直流电流放大系数(2)共发射极交流电流放大系数(3)共基极直流电流放大系数2.2.半导体三极管的极间反向电流半导体三极管的极间反向电流(1)集电极基极间反向饱和电流ICBO；即发射极开路时，集电结的反向饱和电流。-考试资料-.(2)集电极发射极间的反向饱和电流ICEO：即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的 Y 坐标的数值。ICEO也称为集电极发射极间穿透电流。

16、注：选用半导体三极管时要选择注：选用半导体三极管时要选择ICBO、ICEO尽可能小，尽可能小，、不要过大的管子。硅管的、不要过大的管子。硅管的ICBO和和ICEO比锗管小，所以硅管的温度稳定性比锗管好。比锗管小，所以硅管的温度稳定性比锗管好。3.3.半导体三极管的极限参数半导体三极管的极限参数(1)集电极最大允许电流ICMICM是指 BJT 的参数变化不超过允许值时集电极允许的最大电流。(2)集电极最大允许功率损耗PCMPCM表示集电结上允许损耗功率的最大值。超过此值就会使管子性能变坏或烧毁。PCM=iCvCE(3)反向击穿电压V（BR）EBOV（BR）EBO是指集电极开路时发射极-基极间的反

17、向击穿电压。V（BR）CBOV（BR）CBO是指发射极开路时集电极-基极间的反向击穿电压。V（BR）CEOV（BR）CEO是指基极开路时集电极-发射极间的反向击穿电压。V（BR）CEOV（BR）CESV（BR）CERV（BR）CEO三、课堂小结（三、课堂小结（约 5 分钟）通过本节课的学习，同学们能够掌握三极管的各种参数，并能够很好的去理解它们，这样在选择三极管的时候就不会出错。四、课后作业：四、课后作业：请同学们说出半导体三极管的参数有哪些？请同学们说出半导体三极管的参数有哪些？附：板书设计附：板书设计主板书主板书副板书副板书-考试资料-.新授课：新授课：（约（约 3030 分钟）分钟）1.1.半导体三极管的电流放大系数半导体三极管的电流放大系数2.2.半导体三极管的极间反向电流半导体三极管的极间反向电流3.3.半导体三极管的极限参数半导体三极管的极限参数1.1.课前提问（约课前提问（约 1010 分钟）分钟）2.2.课堂小结（约课堂小结（约 5 5 分钟）分钟）-考试资料