稳恒磁场磁介质.pptx

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1、会计学1稳恒磁场磁介质稳恒磁场磁介质2.顺磁质和抗磁质实物的基本组成单元：分子、原子、电子+-电子运动：绕核运动圆电流轨道磁矩(1)分子磁矩自旋运动自旋磁矩两种运动磁效应的总和分子圆电流分子的固有磁矩两类磁介质 0顺磁质抗磁质=0第1页/共17页分子圆电流和磁矩 无外磁场顺 磁 质 的 磁 化有外磁场顺磁质内磁场(2)顺磁质的磁化第2页/共17页无外磁场时抗磁质分子磁矩为零 抗磁质内磁场 同向时 反向时抗磁质的磁化(3)抗磁质的磁化 处于外磁场时，电子受库伦力和洛仑兹力作用第3页/共17页讨论1 顺磁性介质处在外磁场时，其体内磁场：抗磁性介质处在外磁场时，其体内磁场：2 介质中的抗磁效应在顺磁

2、介质中是否有？有！3 超导体是完全抗磁体在外磁场中超导体内：=0第4页/共17页 式中 是体积 V 内的分子磁矩或分子感生磁矩的矢量和。单位为：Am-1。3.磁化强度矢量 为表征磁介质的极化状态，定义磁化强度矢量：在单位体积内分子磁矩的矢量和，以 M 表示，即主要学习均匀磁化。第5页/共17页 介质磁化后,磁介质内部分子磁矩重新排列，内部分子电流总是相反，互相抵消，只在边缘形成近似环形电流，称为磁化电流 I，二.磁介质中的安培环路定理 在圆柱形磁介质表面沿轴线方向单位长度的磁化电流，称为磁化电流面密度 Is。假设磁介质被均匀磁化，则在长为L，截面积为S的磁介质中第6页/共17页在磁介质内外横跨

3、边缘处，选择如图所示的ABCD矩形环路，其中AB=l。+DCAB根据安培环路定理：传导电流磁化电流第7页/共17页引入辅助物理量磁场强度矢量在有磁介质的磁场中，沿任意闭合路径磁场强度的线积分等于该路径所包围的传导电流的代数和。物理意义 SI制中磁场强度H 的单位：安培/米(A/m)则有：磁介质中的安培环路定理 第8页/共17页 实验表明：各向同性的磁介质和抗磁质，磁化强度与磁场强度成正比，即：令r=1+，为磁介质的相对磁导率，则：B=0 r H=H磁场强度和磁化强度的单位都是Am-1。=0 r 称为磁介质的绝对磁导率注：真空中=0,r=1,=0,于是B=0 H 称为磁介质的磁化率第9页/共17

4、页例1：长直单芯电缆的芯是一根半径为R1 的金属导体，它与外壁（R2）之间充满相对磁导率为 r的均匀磁介质，电流I从芯流过再沿外壁流回。求介质中磁场分布解：根据电流分布的轴对称性，磁场分布是以中心线为轴的同心圆分布选中心线为轴，半径为r的圆为积分路径0 r R1R1 r R2第10页/共17页1.磁 畴无外磁场有外磁场三.铁磁质 磁畴：铁磁体内存在着无数个线度约为10-4m的小区域，在每个 小区域内，所有原子的磁矩全都向着一个方向排列。1 当全部磁畴都沿外磁场方向时，铁磁质的磁化就 达到饱和状态。饱和状态时磁场强度很大 这就是铁磁质磁性 r大的原因。说明：第11页/共17页2 当温度升高时，热

5、运动会瓦解磁畴内磁矩的规则 排列。在临界温度（相变温度Tc）时，铁磁质完 全变成了顺磁质。居里点 Tc(Curie Point)如：铁为 1040 K，钴为 1390 K，镍为 630K2.磁化曲线装置：环形螺绕环，用铁磁质 充满环内空间。原理：根据安培定理 由通有的传导电流得：实验测量B：得出曲线:第12页/共17页磁滞效应1)初始磁化曲线2)剩磁Br饱和磁感应强度Bm3)矫顽力Hc3.铁磁质的磁滞回线 铁磁质的磁化状态并不能由电流I或H值单值确定，它还取决于该铁磁质此前的磁化历史。4)磁滞回线 5)在交变电流的励磁下反复磁化使其温度升高 磁滞损耗磁滞损耗与磁滞回线所包围的面积成正比。不同的

6、铁磁质的磁滞回线的形状不同，表示它们各具有不同的剩磁和矫顽力Hc第13页/共17页4.铁磁性材料(1)软磁材料：纯铁，坡莫合金(Fe，Ni)，硅钢等。如r大，(起始磁化率大)饱和磁感应强度大 适用于变压器、继电器、电机、以及各种高频 电磁元件的磁芯、磁棒。特点：矫顽力(Hc)小，磁滞回线的面积窄而长，损耗小（HdB面积小）。易磁化、易退磁第14页/共17页(2)硬磁材料：钨钢，碳钢，铝镍钴合金矫顽力(Hc)大，剩磁Br大磁滞回线的面积大，磁滞特性非常显著。适用于做永磁铁。特点：(3)矩磁铁氧体（磁性瓷）：O具有高磁导率和高电阻率.常用于高频技术及计算机记忆元件。特点：第15页/共17页5.磁屏蔽 把磁导率不同的两种磁介质放到磁场中，在它们的交界面上磁场要发生突变，引起了磁感应线的折射。如果两者的相差很多，可形成磁屏蔽。磁屏蔽示意图 如：常在示波器、显像管中电子束聚焦部分的外面加上磁屏蔽罩，可防止磁干扰。第16页/共17页