智能仪器设计基础微处理器系统设计.pptx
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1、1/52第五讲 微处理器系统设计1、基本门电路反相器TTL与非门n 电平标准:1-2.4V5V;0-0.8Vn 输入电压:UIL,UIH n 输出电压:UOH,UOLn 输入电流:IIL,IIHn 输出电流:IOH,IOLn 传输延时:tPLH,tPHL第1页/共52页2/52微处理器系统设计第2页/共52页3/52微处理器系统设计2、基本存储单元(1)第3页/共52页4/52微处理器系统设计2、基本存储单元(2)静态RAM的存储单元第4页/共52页5/52微处理器系统设计2、基本存储单元(3)高速RAM IS61LV256(12ns)第5页/共52页6/52微处理器系统设计2、基本存储单元(
2、4)动态RAM的存储单元及其构成第6页/共52页7/52微处理器系统设计2、基本存储单元(5)ROM的存储单元及其读写原理EPROME2PROM薄SiO2第7页/共52页8/52微处理器系统设计2、基本存储单元(6)E2ROM&FLASH第8页/共52页9/52微处理器系统设计2、基本存储单元(7)SST39LF/VF200A第9页/共52页10/52微处理器系统设计2、基本存储单元(8)铁电存储器(FRAM)第10页/共52页11/52微处理器系统设计2、基本存储单元(9)FM1608第11页/共52页12/52微处理器系统设计1、数字电路设计基础l差分方程代表数字电路设计的一般方法l如果数
3、字电路中没有储存单元Qn,则这个电路为组合逻辑电路l如果数字电路中有储存单元Qn,则这个电路为时序逻辑电路l组合逻辑电路的输出y仅仅取决于当前输入xl时序逻辑电路的输出y则取决于当前输入x和当前存储状态Qnl时序的概念来自于存储状态的不断被更新(Qn+1)第12页/共52页13/52微处理器系统设计1、数字电路设计基础-组合逻辑设计(1)X1X2Y0Y1Y2Y30010000101001000101100012-4译码器真值表2-4译码器驱动方程最小乘积项2-4译码器的实现电路l译码器的每个输出代表输入信号的一个最小乘积项l最小乘积项为组合逻辑电路的最小组成第13页/共52页14/52微处理器
4、系统设计1、数字电路设计基础-组合逻辑设计(2)X1X2X3Y1Y2Y3001110010101100011110001三输入三输出逻辑的真值表驱动方程最小乘积项逻辑化简l任何组合逻辑电路都可表示为最小乘积项的组合l卡诺图化简的根本原理是提取并合并同类项l例子给出的并不是逻辑上最简的实现,真值表是不完备的第14页/共52页15/52微处理器系统设计1、数字电路设计基础-组合逻辑设计(3)X1X2X3Y1Y2Y3001110010101100011110001三输入三输出逻辑的真值表驱动方程最小乘积项逻辑化简l不完备的真值表可以填写无关项,无关项可以作为逻辑1或者0来处理l无关项可以用来对逻辑电
5、路进行化简l无关项代表的输出状态是不应该发生的,否则会造成混乱的输出000 xxx011xxx101xxx111xxx第15页/共52页16/52微处理器系统设计2、数字电路设计基础-时序逻辑设计(1)同步时序逻辑的电路设计宏单元模型l触发器是时序逻辑电路的元胞,用以存储信息或称状态机l触发器的个数代表状态机的维数l同步时序设计要求所有的状态机的切换总是在时钟的边沿处发生l时钟是时序电路推动力,也是所有时序电路同步工作的基准00Q1nQ2nRST=00110X1=0,X2=1X1=1,X2=011X1=1,X2=1X1=1,X2=0练习:基于宏单元模型的设计第16页/共52页17/52微处理器
6、系统设计2、数字电路设计基础-时序逻辑设计(2)同步时序逻辑的电路设计查找表模型lRAM和ROM的存储单元可以作为状态机l地址总线可以作为输入和当前状态的反馈lRAM和ROM中存放每种输入条件下的输出状态,构成查找表结构l必须有专门的写入逻辑电路来实现对查找表的初始化00Q1nQ2nRST=00110X1=0,X2=1X1=1,X2=011X1=1,X2=1X1=1,X2=0练习:基于查找表模型的设计第17页/共52页18/52微处理器系统设计2、数字电路设计基础-时序逻辑设计(3)几种常用的时序电路寄存器(Register)移位寄存器(Shifter)计数器(Counter)第18页/共52
7、页19/52微处理器系统设计3、微处理器与存储器的并行接口(1)AT89C52-一个典型的哈佛结构处理器第19页/共52页20/52微处理器系统设计3、微处理器与存储器的并行接口(2)AT89C52的对外访问时序1一程序存储器访问第20页/共52页21/52微处理器系统设计3、微处理器与存储器的并行接口(3)AT89C52的对外访问时序2一数据存储器读第21页/共52页22/52微处理器系统设计3、微处理器与存储器的并行接口(4)AT89C52的对外访问时序2一数据存储器写第22页/共52页23/52微处理器系统设计3、微处理器与存储器的并行接口(5)AT89C52的对外访问时序的时间限制第2
8、3页/共52页24/52微处理器系统设计3、微处理器与程序存储器的并行接口 AT89C52与程序存储器的连接Flash M29F040第24页/共52页25/52微处理器系统设计4、Flash存储器M29F040功能p4Mbit(512Kb8)单电源Flash存储器,5V电压用于编程、读和擦除p访问时间:70ns;字节编程时间:10us;p擦除时间:块擦除1s,芯片擦除2.5sp编程和擦除通过片内控制器完成(P/EC)p电源:5VA0-A18地址信号DQ0-DQ7数据输入/输出/E片选使能/G输出使能/W写使能VCC电源VSS地第25页/共52页26/52微处理器系统设计5、M29F040的操
9、作(1)RST读操作/复位RSIG读电子签名RBP片选使能PG编程BE块擦除CE芯片擦除ES擦除挂起ER擦除恢复Flash的操作00h读操作10h芯片擦除确认30h块擦除回复/确认80h建立擦除90h读电子签名/块保护状态A0h编程B0h擦除挂起F0h读操作/复位Flash的操作命令第26页/共52页27/52微处理器系统设计5、M29F040的操作(2)开始读Flash内容地址:给定数据:存储内容写Flash控制器,对Flash进行复位地址:任意数据:F0h读下一个吗?写其它操作命令YNFlash的读操作开始写Flash控制器,地址:5555h数据:AAh成功结束?结束NY写Flash控制器
10、,地址:2AAAh数据:55h写Flash控制器,地址:5555h数据:80h写Flash控制器,地址:5555h数据:AAh写Flash控制器,地址:5555h数据:AAh查询状态字的DQ7、DQ6和DQ5判断编程是否结束或过程出错错误处理Flash的芯片擦除操作写Flash控制器,地址:2AAAh数据:55h写Flash控制器,地址:5555h数据:10h第27页/共52页28/52微处理器系统设计5、M29F040的操作(3)开始写Flash控制器,地址:5555h数据:AAh成功结束?结束NY写Flash控制器,地址:2AAAh数据:55h写Flash控制器,地址:5555h数据:A0
11、h写Flash控制器,地址:欲编程地址数据:欲编程数据读Flash控制器,地址:任意数据:编程状态字读数据查询位或触发位直到编程结束查询状态字的DQ7、DQ6和DQ5判断编程是否结束或过程出错错误处理Flash的编程操作(Byte by Byte)第28页/共52页29/52M29F040的读操作时序M29F040的写操作时序第29页/共52页30/52微处理器系统设计6、微处理器与程序存储器M29F040的并行接口第30页/共52页31/52微处理器系统设计7、微处理器与数据存储器的并行接口举例IS61LV256 AT89C52与数据存储器的连接举例第31页/共52页32/52微处理器系统设
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