食品技术原理幻灯片.ppt
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1、食品技术原理第1页,共39页,编辑于2022年,星期三第一节第一节 物理与机械分离物理与机械分离-结晶结晶n n一、结晶的基本概念一、结晶的基本概念n n1、结结晶晶定定义义:凡凡是是从从匀匀相相中中形形成成固固体体颗颗粒者,统称为结晶粒者,统称为结晶 n n结晶是制备纯品的有效方法,由于晶体外结晶是制备纯品的有效方法,由于晶体外观好,易于被消费者喜爱,一般生产中常观好,易于被消费者喜爱,一般生产中常以结晶作为最后一步的精制操作。以结晶作为最后一步的精制操作。n n比如在食品配料和添加剂都是通过结晶获比如在食品配料和添加剂都是通过结晶获得的。如葡萄糖酸,蔗糖、谷氨酸钠等。得的。如葡萄糖酸,蔗糖
2、、谷氨酸钠等。第2页,共39页,编辑于2022年,星期三2、结结晶晶的的过过程程:结结晶晶是是指指从从均均匀匀相相中中形形成成固体颗粒的过程。主要有以下过程:固体颗粒的过程。主要有以下过程:由蒸气转化变成固体由蒸气转化变成固体液体熔化物的凝固液体熔化物的凝固液体溶液结晶的过程液体溶液结晶的过程本章主要讨论从水溶液中结晶出所需产品的本章主要讨论从水溶液中结晶出所需产品的结晶过程。因此,结晶属于物理分离手段。结晶过程。因此,结晶属于物理分离手段。第3页,共39页,编辑于2022年,星期三(1)工业结晶过程工业结晶过程n n从水溶液中结晶以获得固体产品;从水溶液中结晶以获得固体产品;n n从稀溶液中
3、由水的冻结以浓缩溶质,即从稀溶液中由水的冻结以浓缩溶质,即冷冻浓缩;冷冻浓缩;n n控制结晶操作以获得某些流变学特性。控制结晶操作以获得某些流变学特性。本章主要讨论从水溶液中结晶出所需产本章主要讨论从水溶液中结晶出所需产品的结晶过程,属于物理分离手段。品的结晶过程,属于物理分离手段。第4页,共39页,编辑于2022年,星期三(2)食品工业中的结晶过程 从水溶液中结晶:包括两种情况。从水溶液中结晶:包括两种情况。从水溶液中结晶:包括两种情况。从水溶液中结晶:包括两种情况。一是结晶操作作为获得纯净固体的一种物理分离手段。例如制造一是结晶操作作为获得纯净固体的一种物理分离手段。例如制造一是结晶操作作
4、为获得纯净固体的一种物理分离手段。例如制造一是结晶操作作为获得纯净固体的一种物理分离手段。例如制造葡萄糖;葡萄糖;葡萄糖;葡萄糖;另一种是结晶必须加以控制的场合,如蜂蜜中的糖分,冰淇另一种是结晶必须加以控制的场合,如蜂蜜中的糖分,冰淇另一种是结晶必须加以控制的场合,如蜂蜜中的糖分,冰淇另一种是结晶必须加以控制的场合,如蜂蜜中的糖分,冰淇淋中的乳糖等。淋中的乳糖等。淋中的乳糖等。淋中的乳糖等。稀溶液中水的冻结:这种情形主要用以浓缩溶质,称稀溶液中水的冻结:这种情形主要用以浓缩溶质,称稀溶液中水的冻结:这种情形主要用以浓缩溶质,称稀溶液中水的冻结:这种情形主要用以浓缩溶质,称为冷冻浓缩。为冷冻浓缩
5、。为冷冻浓缩。为冷冻浓缩。控制结晶操作使制品获得一些流变学特性,例如:人控制结晶操作使制品获得一些流变学特性,例如:人控制结晶操作使制品获得一些流变学特性,例如:人控制结晶操作使制品获得一些流变学特性,例如:人造奶油中脂肪的结晶控制等。造奶油中脂肪的结晶控制等。造奶油中脂肪的结晶控制等。造奶油中脂肪的结晶控制等。第5页,共39页,编辑于2022年,星期三 二、结晶的基本原理二、结晶的基本原理n n(一一)、晶体的基本概念、晶体的基本概念n n1、晶体:是质点(分子、原子或离子)在、晶体:是质点(分子、原子或离子)在空间有规则地排列的固体物质。有规则的空间有规则地排列的固体物质。有规则的排列即为
6、质点按照空间点阵结构的数学方排列即为质点按照空间点阵结构的数学方式排列。式排列。n n2、晶胞:组成空间点阵结构的基本单位成、晶胞:组成空间点阵结构的基本单位成为晶胞。为晶胞。第6页,共39页,编辑于2022年,星期三晶体的分类 晶体的对称要素:对称面、对称轴、对称中心。晶体的对称要素:对称面、对称轴、对称中心。晶体的对称要素:对称面、对称轴、对称中心。晶体的对称要素:对称面、对称轴、对称中心。晶体外形对称轴与晶系:晶体外形对称轴与晶系:立方晶系立方晶系立方晶系立方晶系四方晶系四方晶系四方晶系四方晶系斜方晶系斜方晶系斜方晶系斜方晶系单斜晶系单斜晶系单斜晶系单斜晶系三斜晶系三斜晶系三斜晶系三斜晶
7、系六方晶系六方晶系六方晶系六方晶系三方晶系三方晶系三方晶系三方晶系 第7页,共39页,编辑于2022年,星期三3、晶体的特点、晶体的特点n n自限性自限性n n均匀性均匀性n n各向异性各向异性n n具有一定的熔点具有一定的熔点n n对称性对称性 n n最小热力学能和最大稳定性最小热力学能和最大稳定性第8页,共39页,编辑于2022年,星期三4、蔗糖晶体中存在的杂质、蔗糖晶体中存在的杂质n n胶体:带负电荷的胶体物质,能被稍带胶体:带负电荷的胶体物质,能被稍带 正电荷的蔗糖晶体所吸引,使蔗正电荷的蔗糖晶体所吸引,使蔗 糖色度值深。糖色度值深。n n晶内水:晶体大,含水量高,晶体小,晶内水:晶体
8、大,含水量高,晶体小,晶体内含水量迅速小将晶体内含水量迅速小将0.03%。n n无机盐:无机盐:Ca2+、Fe3+和亚硫酸根离子和亚硫酸根离子 容易被蔗糖结晶体吸附入晶体之容易被蔗糖结晶体吸附入晶体之 内。内。第9页,共39页,编辑于2022年,星期三(二二)液液-固系统的相平衡固系统的相平衡n n1、溶解度:是指在一定温度下,、溶解度:是指在一定温度下,100g溶剂所能溶解的溶质的最大限度溶剂所能溶解的溶质的最大限度(克数克数)。n n溶解度与溶质的化学性质和溶剂的性质溶解度与溶质的化学性质和溶剂的性质有关,还与压力及物质颗粒的大小有关。有关,还与压力及物质颗粒的大小有关。n n纯蔗糖溶液的
9、溶解度为纯蔗糖溶液的溶解度为 第10页,共39页,编辑于2022年,星期三2、蔗糖、蔗糖-水系统相平衡水系统相平衡n n图中任意点表示的是物系图中任意点表示的是物系的一种状态的一种状态n nE点为最低共熔点点为最低共熔点n nAE为冰点曲线,为冰点曲线,BE溶解度溶解度曲线曲线n n浓度低于浓度低于E点的浓度,只是点的浓度,只是冷冻浓缩的操作,只有浓冷冻浓缩的操作,只有浓度高于度高于E点的浓度,才是冷点的浓度,才是冷冻结晶的操作。冻结晶的操作。第11页,共39页,编辑于2022年,星期三n n(三三三三)过饱和溶液与过饱和系数过饱和溶液与过饱和系数过饱和溶液与过饱和系数过饱和溶液与过饱和系数n
10、 n1 1、过饱和溶液:理论上,在任意温度下,溶液的浓、过饱和溶液:理论上,在任意温度下,溶液的浓、过饱和溶液:理论上,在任意温度下,溶液的浓、过饱和溶液:理论上,在任意温度下,溶液的浓度超过饱和浓度,度超过饱和浓度,度超过饱和浓度,度超过饱和浓度,就有溶质析出,但实际上,把不就有溶质析出,但实际上,把不就有溶质析出,但实际上,把不就有溶质析出,但实际上,把不饱和溶液用冷却或浓缩的方法使其略呈过饱和状态,饱和溶液用冷却或浓缩的方法使其略呈过饱和状态,饱和溶液用冷却或浓缩的方法使其略呈过饱和状态,饱和溶液用冷却或浓缩的方法使其略呈过饱和状态,一般并无结晶析出而成为过饱和溶液,只有达到某种一般并无
11、结晶析出而成为过饱和溶液,只有达到某种一般并无结晶析出而成为过饱和溶液,只有达到某种一般并无结晶析出而成为过饱和溶液,只有达到某种程度的过饱和状态,才有晶体析出。程度的过饱和状态,才有晶体析出。程度的过饱和状态,才有晶体析出。程度的过饱和状态,才有晶体析出。n n过饱和溶液糖液:将饱和糖液慢慢冷却或慢慢蒸发,当过饱和溶液糖液:将饱和糖液慢慢冷却或慢慢蒸发,当过饱和溶液糖液:将饱和糖液慢慢冷却或慢慢蒸发,当过饱和溶液糖液:将饱和糖液慢慢冷却或慢慢蒸发,当糖液中溶解的蔗糖量超过该温度下的溶解度时,仍无蔗糖液中溶解的蔗糖量超过该温度下的溶解度时,仍无蔗糖液中溶解的蔗糖量超过该温度下的溶解度时,仍无蔗
12、糖液中溶解的蔗糖量超过该温度下的溶解度时,仍无蔗糖析出,这种糖液叫做过饱和糖液。糖析出,这种糖液叫做过饱和糖液。糖析出,这种糖液叫做过饱和糖液。糖析出,这种糖液叫做过饱和糖液。第12页,共39页,编辑于2022年,星期三n n2、不纯糖液中蔗糖溶解度不纯糖液中蔗糖溶解度用饱和系数表示用饱和系数表示 n n3、过饱和系数:过饱和程度的大小用过饱和、过饱和系数:过饱和程度的大小用过饱和系数来表示,符号:系数来表示,符号:。第13页,共39页,编辑于2022年,星期三4 4、过饱和系数对结晶的影响、过饱和系数对结晶的影响、过饱和系数对结晶的影响、过饱和系数对结晶的影响当当当当 11,表示溶液为过饱和
13、溶液;其中,表示溶液为过饱和溶液;其中,表示溶液为过饱和溶液;其中,表示溶液为过饱和溶液;其中 =1.01.2 =1.01.2 属于介稳区,可使已有的晶体长大,并且有属于介稳区,可使已有的晶体长大,并且有属于介稳区,可使已有的晶体长大,并且有属于介稳区,可使已有的晶体长大,并且有新的晶核形成。加晶种、养晶核加一些助晶操作可控制在新的晶核形成。加晶种、养晶核加一些助晶操作可控制在新的晶核形成。加晶种、养晶核加一些助晶操作可控制在新的晶核形成。加晶种、养晶核加一些助晶操作可控制在此介稳区域,又称育晶区;此介稳区域,又称育晶区;此介稳区域,又称育晶区;此介稳区域,又称育晶区;=1.21.3 =1.2
14、1.3 属于中间区,不仅已有的晶体长大,同时也能属于中间区,不仅已有的晶体长大,同时也能属于中间区,不仅已有的晶体长大,同时也能属于中间区,不仅已有的晶体长大,同时也能有新的晶核形成。刺激起晶常控制在此范围,同时在该区域也有新的晶核形成。刺激起晶常控制在此范围,同时在该区域也有新的晶核形成。刺激起晶常控制在此范围,同时在该区域也有新的晶核形成。刺激起晶常控制在此范围,同时在该区域也常产生伪晶。常产生伪晶。常产生伪晶。常产生伪晶。1.3 1.3 能自然起晶,晶核大量产生能自然起晶,晶核大量产生能自然起晶,晶核大量产生能自然起晶,晶核大量产生当当当当 =1=1,表示溶液为饱和溶液;,表示溶液为饱和
15、溶液;,表示溶液为饱和溶液;,表示溶液为饱和溶液;当当 1 1第14页,共39页,编辑于2022年,星期三(四四)晶核的理论晶核的理论n n1、成核过程、成核过程n n在一定温度和纯度下,当糖液浓度逐渐升高以至于过饱和时,分子的在一定温度和纯度下,当糖液浓度逐渐升高以至于过饱和时,分子的在一定温度和纯度下,当糖液浓度逐渐升高以至于过饱和时,分子的在一定温度和纯度下,当糖液浓度逐渐升高以至于过饱和时,分子的运动范围逐渐缩小,分子间的吸引力大于排斥力时,蔗糖分子变互相运动范围逐渐缩小,分子间的吸引力大于排斥力时,蔗糖分子变互相运动范围逐渐缩小,分子间的吸引力大于排斥力时,蔗糖分子变互相运动范围逐渐
16、缩小,分子间的吸引力大于排斥力时,蔗糖分子变互相吸引,形成所谓蔗糖分子的堆积点,即小的结晶体,并且自糖液中析吸引,形成所谓蔗糖分子的堆积点,即小的结晶体,并且自糖液中析吸引,形成所谓蔗糖分子的堆积点,即小的结晶体,并且自糖液中析吸引,形成所谓蔗糖分子的堆积点,即小的结晶体,并且自糖液中析出,这种在一定浓度下蔗糖从溶液中析出的过程就叫起晶。出,这种在一定浓度下蔗糖从溶液中析出的过程就叫起晶。出,这种在一定浓度下蔗糖从溶液中析出的过程就叫起晶。出,这种在一定浓度下蔗糖从溶液中析出的过程就叫起晶。A+A =A A+A =A2 2 A A2 2+A=A+A=A3 3 。A An-1n-1+A=A+A=
17、An n nA=A nA=An n 第15页,共39页,编辑于2022年,星期三2、溶液生成晶核质点的临界浓度n n根据质量作用定律,在平衡状态时,平衡常数为根据质量作用定律,在平衡状态时,平衡常数为根据质量作用定律,在平衡状态时,平衡常数为根据质量作用定律,在平衡状态时,平衡常数为n n式中:式中:式中:式中:-溶液生成晶核质点的临界浓度溶液生成晶核质点的临界浓度溶液生成晶核质点的临界浓度溶液生成晶核质点的临界浓度 c-溶液相浓度。通常用溶液相浓度。通常用 来表示,来表示,c c 为过饱和浓度,为过饱和浓度,为过饱和浓度,为过饱和浓度,c cs s为同温度下饱和浓度为同温度下饱和浓度为同温度
18、下饱和浓度为同温度下饱和浓度 n -分子数分子数分子数分子数 K K -平衡常数平衡常数平衡常数平衡常数第16页,共39页,编辑于2022年,星期三n n平衡常数可用当量平衡常数自由能表示,即平衡常数可用当量平衡常数自由能表示,即平衡常数可用当量平衡常数自由能表示,即平衡常数可用当量平衡常数自由能表示,即 n n式中式中式中式中 Es Es -当量自由能当量自由能当量自由能当量自由能 (Es=s (Es=s 其中其中其中其中 为表为表为表为表 面张力;面张力;面张力;面张力;s s为表面积为表面积为表面积为表面积)R R -气体常数气体常数气体常数气体常数 T T -热力学温度热力学温度热力学
19、温度热力学温度当当当当 =增大,增大,增大,增大,n n增大,则增大,则增大,则增大,则 增大增大增大增大当当当当 =增大,增大,增大,增大,s s增大,则增大,则增大,则增大,则 增大增大增大增大第17页,共39页,编辑于2022年,星期三3、临界半径n n如果把晶核质点看成球形,则 。n n 根据吉布斯汤姆森(Gibbs一Thomson)方程式:n n即:式中式中式中式中d:d:蔗糖蔗糖蔗糖蔗糖晶体密度晶体密度晶体密度晶体密度 M M:蔗糖分子量:蔗糖分子量:蔗糖分子量:蔗糖分子量n n晶核半径rrcrit,晶核才能稳定存在,并进一步长大。第18页,共39页,编辑于2022年,星期三4、晶
20、核生成速度、晶核生成速度n n决定于临界浓度和溶液达到临界浓度时单决定于临界浓度和溶液达到临界浓度时单位时间内晶核质点发生的概率位时间内晶核质点发生的概率g。n ng值一般与母液的粘度成反比,即值一般与母液的粘度成反比,即g ,粘度愈大,晶核生成速度愈小。粘度愈大,晶核生成速度愈小。第19页,共39页,编辑于2022年,星期三n n将式临界半径rcrit代入球表面积公式,得:n n式中,m代表一个分子的质量,d代表它的密度 故 m/d表示一个分子体积 临界晶核中的分子数目可用下式表示 第20页,共39页,编辑于2022年,星期三n n根据吉布斯-汤姆森方程式亦可以写成:n n将上式代入速度公式
21、,则得结晶速度为:第21页,共39页,编辑于2022年,星期三n n 就是我们前面介绍的过饱和系数就是我们前面介绍的过饱和系数,根根据上式可制得如图据上式可制得如图10-6所表示的晶核形成所表示的晶核形成速度与过饱和系数的关系。速度与过饱和系数的关系。n n即随着溶液过饱和系数逐渐增大,晶核临即随着溶液过饱和系数逐渐增大,晶核临界半径随之变小界半径随之变小(由临界半径表达式可知由临界半径表达式可知),形成稳定晶核的机会逐渐增加,及至溶,形成稳定晶核的机会逐渐增加,及至溶液浓度到达某一过饱和度,晶核便会自发液浓度到达某一过饱和度,晶核便会自发形成,并随过饱和系数的进一步增大,成形成,并随过饱和系
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