单片机存储器的扩展PPT讲稿.ppt
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1、单片机存储器的扩展单片机存储器的扩展第1页,共98页,编辑于2022年,星期五4.1 系统扩展概述系统扩展概述 4.1.1 最小应用系统 单片机系统的扩展是以基本的最小系统为基础的,故应首先熟悉最小应用系统的结构。实际上,内部带有程序存储器的8051或8751单片机本身就是一个最简单的最小应用系统,许多实际应用系统就是用这种成本低和体积小的单片结构实现了高性能的控制。对于目前国内较多采用的内部无程序存储器的芯片8031来说,则要用外接程序存储器的方法才能构成一个最小应用系统。第2页,共98页,编辑于2022年,星期五 1.片内带程序存储器的最小应用系统 片内带程序存储器的8051、8751本身
2、即可构成一片最小系统,只要将单片机接上时钟电路和复位电路即可,同时 接高电平,ALE、信号不用,系统就可以工作。如图41(a)所示该系统的特点如下:(1)系统有大量的I/O线可供用户使用:P0、P1、P2、P3四个口都可以作为I/O口使用。(2)内部存储器的容量有限,只有128 B的RAM和4 KB的程序存储器。第3页,共98页,编辑于2022年,星期五 (3)应用系统的开发具有特殊性,由于应用系统的P0口、P2口在开发时需要作为数据、地址总线,故这两个口上的硬件调试只能用模拟的方法进行。8051的应用软件须依靠厂家用掩膜技术置入,故一般只适用于可作大批量生产的应用系统。2.片内无程序存储器的
3、最小应用系统 片内无程序存储器的芯片构成最小应用系统时,必须在片外扩展程序存储器。由于一般用作程序存储器的EPROM芯片不能锁存地址,故扩展时还应加1个锁存器,构成一个3片最小系统,如图41(b)所示。该图中74LS373为地址锁存器,用于锁存低8位地址。第4页,共98页,编辑于2022年,星期五 图41 MCS51系列最小化系统 第5页,共98页,编辑于2022年,星期五 4.1.2 系统扩展的内容与方法 1.单片机的三总线结构 当单片机最小系统不能满足系统功能的要求时,就需要进行扩展。为了使单片机能方便地与各种扩展芯片连接,常将单片机的外部连线变为一般的微型计算机3总线结构形式。对于MCS
4、-51系列单片机,其3总线由下列通道口的引线组成:地址总线:由P2口提供高8位地址线,此口具有输出锁存的功能,能保留地址信息。由P0口提供低8位地址线。数据总线:由P0口提供。此口是双向、输入三态控制的8位通道口。控制总线:第6页,共98页,编辑于2022年,星期五 控制总线:扩展系统时常用的控制信号为:ALE地址锁存信号,用以实现对低8位地址的锁存。片外程序存储器取指信号。片外数据存储器读信号。片外数据存储器写信号。EA 内外程序存储器的选择信号,(低电平有效)图42为单片机扩展成3总线结构的示意图。这样一来,扩展芯片与主机的连接方法同一般3总线结构的微型计算机就完全一样了。对于MCS-51
5、系列单片机而言,Intel 公司专门为它们配套生产了一些专用外围芯片,使用起来就更加方便。第7页,共98页,编辑于2022年,星期五图42 单片机的3总线结构形式 详细第8页,共98页,编辑于2022年,星期五外部扩展的器件挂在外部扩展的器件挂在3总线上总线上地址总线是由地址总线是由CPU发向外部存储器和一些发向外部存储器和一些I/O接口。接口。16位,位,64K范围范围控制总线有控制总线有CPU发向外部存储器和一些发向外部存储器和一些I/O接口,还有外部器件给接口,还有外部器件给CPU提提供的状态的信号。是双向的供的状态的信号。是双向的数据总线也是双向的,数据总线也是双向的,RAM即可以读也
6、可以写,即可以读也可以写,ROM只能读。只能读。总线是连接各部件的公共线。总线是连接各部件的公共线。单片机64K寻址空间,需要16根地址线P0口复用线,低8位地址线,也是数据线复用技术:增加一个锁存器第9页,共98页,编辑于2022年,星期五锁存器入口锁存器入口8位,出口位,出口8位,出口的线和外部芯片的引脚相连。位,出口的线和外部芯片的引脚相连。ALE低电平是低电平是P0口口8个线与锁存器出口线连接,高电平时断开个线与锁存器出口线连接,高电平时断开P0口与锁存器出口线口与锁存器出口线第10页,共98页,编辑于2022年,星期五 2.系统扩展的内容与方法 (1)系统的扩展一般有以下几方面的内容
7、:外部程序存储器的扩展;外部数据存储器的扩展;输入/输出接口的扩展;管理功能器件的扩展(如定时/计数器、键盘/显示器、中断优先编码器等)。(2)系统扩展的基本方法:使用TTL中小规模集成电路进行扩展。第11页,共98页,编辑于2022年,星期五 采用Intel MCS-80/85微处理器外围芯片来扩展。采用为MCS-48系列单片机设计的一些外围芯片,其中许多芯片可直接与MCS-51系列单片机连用。采用与MCS-80/85外围芯片兼容的其它一些通用标准芯片。第12页,共98页,编辑于2022年,星期五4.2 常用的扩展器件简介常用的扩展器件简介 在MCS51单片机系统的扩展中常用的扩展器件如表4
8、1所示。现将另外几种常用器件简介如下。第13页,共98页,编辑于2022年,星期五表41 MCS51单片机常用的扩展器件 第14页,共98页,编辑于2022年,星期五 4.2.1 8D锁存器74LS373 74LS373是一种带输出三态门的8D锁存器,其结构示意图如图43所示。其中:1D8D为8个输入端。1Q8Q为8个输出端。G为数据打入端:当G为“1”时,锁存器输出状态(1Q8Q)同输入状态(1D8D);当G由“1”变“0”时,数据打入锁存器中。第15页,共98页,编辑于2022年,星期五图43 74LS373的结构示意图 第16页,共98页,编辑于2022年,星期五图44 74LS373用
9、作地址锁存器 第17页,共98页,编辑于2022年,星期五 4.2.2 总线驱动器74LS244,74LS245 总线驱动器74LS244和74LS245经常用作三态数据缓冲器,74LS244为单向三态数据缓冲器,而74LS245为双向三态数据缓冲器。单向的内部有8个三态驱动器,分成两组,分别由控制端 和2G 控制;双向的有16个三态驱动器,每个方向8个。在控制端 有效时(为低电平),由DIR端控制驱动方向:DIR为“1”时方向从左到右(输出允许),DIR为“0”时方向从右到左(输入允许)。74LS244和74LS245的引脚图如图45所示。不讲第18页,共98页,编辑于2022年,星期五 图
10、45 总线驱动器芯片管脚图(a)单向驱动器74LS244;(b)双向驱动器74LS245 不讲第19页,共98页,编辑于2022年,星期五 P2口如外接总线驱动器,可用单向的72LS244,其连接图如图46(a)所示。它的两个控制端 和 均接地,相当于8个三态门均打开,数据从P2口到A8A15端直通,也就是说。此处采用74LS244纯粹是为了增加驱动能力而不加任何控制。不讲第20页,共98页,编辑于2022年,星期五 图46 总线驱动器的连接图(a)P2口外接74LS244;(b)P0口外接74LS245 不讲第21页,共98页,编辑于2022年,星期五 4.2.3 38译码器74LS138
11、38译码器74LS138为一种常用的地址译码器芯片,其管脚图如图47所示。其中,G1、,个控制端,只有当G1为“”且 ,均为“0”时,译码器才能进行译码输出。否则译码器的8个输出端全为高阻状态。译码输入端与输出端之间的译码关系如表42所示。具体使用时,G1、与 既可直接接至+5 V端或地,也可参与地址译码。但其译码关系必须为100。需要时也可通过反相器使输入信号符合要求。不讲第22页,共98页,编辑于2022年,星期五图47 74LS138管脚图 不讲第23页,共98页,编辑于2022年,星期五表42 74LS138的译码关系 不讲第24页,共98页,编辑于2022年,星期五4.3 存储器的扩
12、展存储器的扩展 4.3.1 存储器扩展概述 MCS-51系列单片机具有64 KB的程序存储器空间,其中8051、8751型单片机含有4 KB 的片内程序存储器,而8031型单片机则无片内程序存储器。当采用8051、8751型单片机而程序超过4 KB,或采用8031型单片机时,就需要进行程序存储器的扩展。详细第25页,共98页,编辑于2022年,星期五 MCS-51系系列列单单片片机机的的数数据据存存储储器器与与程程序序存存储储器器的的地地址址空空间间是是互互相相独独立立的的,其其片片外外数数据据存存储储器器的的空空间间可可达达64 KB,而而的的数数据据存存储储器器空空间间只只有有128 B。
13、如如果果片片内内的的数据存储器不够用时数据存储器不够用时,则需进行数据存储器的扩展。则需进行数据存储器的扩展。总结:总结:MCS-51单片机存储器有单片机存储器有4个部分个部分1)片内)片内ROM(部分有,(部分有,8031无片内无片内ROM)2)片外片外ROM(扩展)(扩展)3)片内)片内RAM(51系列单片机都有,系列单片机都有,256字节)字节)4)片外片外RAM(扩展)(扩展)ROM和和 RAM都可以扩展至都可以扩展至64 K详细详细第26页,共98页,编辑于2022年,星期五内部内部ROMEA=04K 外部外部ROMEA=160K0FFFFH(64K)(216)11000H/0FFF
14、H(4K)(212)0000H程序存储器映像程序存储器映像详详细细外部外部RAM64K特殊功能寄存器特殊功能寄存器(128字节字节内部内部RAM128字节字节00FFH/0100H007FH/0080H0000H0FFFFFH64K数据存储器映像数据存储器映像第27页,共98页,编辑于2022年,星期五ROM是一个整体,内部和外部空间加到一起是是一个整体,内部和外部空间加到一起是64K,内,内部部4K,EA=0,内部没有直接就从外部开始,内部没有直接就从外部开始RAM内部和外部空间是独立的,在低地址段,内外地址内部和外部空间是独立的,在低地址段,内外地址是重叠的,如何区分,用指令是重叠的,如何
15、区分,用指令 MOV 内部空间内部空间MOVX外部空间外部空间第28页,共98页,编辑于2022年,星期五存储器扩展的核心问题是存储器的编址问题存储器扩展的核心问题是存储器的编址问题。所谓编址所谓编址就是给存储单元分配地址。就是给存储单元分配地址。由于存储器通常由多片芯由于存储器通常由多片芯片组成片组成,为此存储器的编址分为两个层次为此存储器的编址分为两个层次:即存储器芯即存储器芯片的选择和存储器芯片内部存储单元的选择。片的选择和存储器芯片内部存储单元的选择。存储器编址技术存储器编址技术 将地址进行适当连接,使得存储器中的每一个单元可唯将地址进行适当连接,使得存储器中的每一个单元可唯一对应一个
16、编址。一对应一个编址。51单片机单片机16根地址线可以扩展根地址线可以扩展64K,所以需要所以需要4位位16进制数。进制数。详细第29页,共98页,编辑于2022年,星期五 存储器存储器芯片芯片的选择有两种方法的选择有两种方法:线选法和译码法。线选法和译码法。1.线选法线选法 所所谓谓线线选选法法,就就是是直直接接以以系系统统的的高高地地址址线线作作为为存存储储器器芯芯片片的的片片选选信信号号,为为此此只只需需把把用用到到的的地地址址线线与与存存储储器器芯芯片片的的片片选选端端直直接接相相连连即即可可。P2口口是是高高位位地地址址,P0口口是是低低位位地地址址,所所以以P2.7是是最最高高位位
17、。一一般般把把系系统统暂暂时时不不用的高位线作为片选端。用的高位线作为片选端。2.译码法译码法 所所谓谓译译码码法法就就是是使使用用地地址址译译码码器器对对系系统统的的片片外外地地址进行译码址进行译码,以其译码输出作为存储器芯片的片选信号以其译码输出作为存储器芯片的片选信号。详细第30页,共98页,编辑于2022年,星期五有效的利用存储空间,最常用的存储器编址方法有效的利用存储空间,最常用的存储器编址方法译码器:(对高位地址进行译码)译码器:(对高位地址进行译码)74LS139 双双2-4译码器译码器 (2个译码器)个译码器)74LS138 双双3-8译码器译码器详细第31页,共98页,编辑于
18、2022年,星期五G片选端为高电平时,不管A,B是什么信号,输出都是高电平。当G片选端为低电平,A,B得4种状态对应4个译码状态。输入输出使能选择Y0Y1Y2Y3BA100000011010110111110111110111110详细第32页,共98页,编辑于2022年,星期五3-8译码器,注意C端应连接地址的最高位,B是次高位假如 P2.7不用,C是P2.6,B就是P2.5;E1,E2,E3是3个使能端,Y0-Y7为输出端。详细第33页,共98页,编辑于2022年,星期五E1=E2=0,E3=1 所以所以En=1有效有效&E3E2E1En输输 入入输输 出出使使 能能选选 择择Y0Y1Y2
19、Y3Y4Y5Y6Y7C B A1 0 01 0 01 0 01 0 00 0 00 0 10 1 00 1 1011110111101111011111111111111111 0 01 0 01 0 01 0 01 0 01 0 11 1 01 1 1111111111111111101111011110111101 1 1 111111111111111111111111详细详细第34页,共98页,编辑于2022年,星期五000对应对应Y0;-111对应对应Y7都是低电平有效,只有一个有效都是低电平有效,只有一个有效输入输入3根线,根线,P2.7,P2.6,P2.5可以得到可以得到8个片选
20、信个片选信号号805174LS138+5V+5VE2E3E1Y0Y7P2.7P2.6P2.5CBAGND详细第35页,共98页,编辑于2022年,星期五 译码法又分为完全译码和部分译码两种。(1)完全译码。地址译码器使用了全部地址线,地址与存储单元一一对应,也就是1个存储单元只占用1个唯一的地址。(2)部分译码。地址译码器仅使用了部分地址线,地址与存储单元不是一一对应,而是1个存储单元占用了几个地址。详细第36页,共98页,编辑于2022年,星期五 在设计地址译码器电路时,如果采用地址译码关系图的话,将会带来很大的方便。所谓地址译码关系图,就是一种用简单的符号来表示全部地址译码关系的示意图。例
21、如:A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0.0100X X X X X X X X X X X详细第37页,共98页,编辑于2022年,星期五 从地址译码关系图上可以看出以下几点:从地址译码关系图上可以看出以下几点:属完全译码还是部分译码;属完全译码还是部分译码;片内译码线和片外译码线各有多少根;片内译码线和片外译码线各有多少根;所占用的全部地址范围为多少。所占用的全部地址范围为多少。例例如如在在上上面面的的关关系系图图中中,有有1个个“”(A15不不接接),表表示示为为部部分分译译码码,每每个个单单元元占占用用2个个地地址址。片片内内译译码码线线有有11
22、根根(A100),片片外外译译码码线线有有4根根。其其所所占占用用的地址范围如下:的地址范围如下:详细第38页,共98页,编辑于2022年,星期五 当A15为0时,所占用地址为00100000000000000010011111111111,即2000H27FFH。当A15为1时,所占用地址为10100000000000001010011111111111,即A000HA7FFH。共占用了两组地址,这两组地址在使用中同样有效。应该指出的是,随着半导体存储器的不断发展,大容量、高性能、低价格的存储器不断推出,这就使得存储器的扩展变得更加方便,译码电路也越来越简单了。详细第39页,共98页,编辑于
23、2022年,星期五 4.3.2 程序存储器的扩展 1.只读存储器简介 半导体存储器分为随机存取存储器(Random Access Memory)和只读存储器(Read Only Memory)两大类,前者主要用于存放数据,后者主要用于存放程序。只读存储器是由MOS管阵列构成的,以MOS管的接通或断开来存储二进制信息。按照程序要求确定ROM存储阵列中各MOS管状态的过程叫做ROM编程。根据编程方式的不同,ROM可分为以下3种:详细第40页,共98页,编辑于2022年,星期五 1)掩膜ROM 掩膜ROM简称为ROM,其编程是由半导体制造厂家完成的,即在生产过程中进行编程。用户无法修改 2)可编程R
24、OM(PROM)PROM芯片出厂时并没有任何程序信息,其程序是由用户写入的,与掩膜ROM相比,有了一定的灵活性,批量也不一定很大。只能写一次 3)可擦除ROM(EPROM或EEPROM)可擦除ROM芯片的内容由用户写入,并允许反复擦除重新写入。详细第41页,共98页,编辑于2022年,星期五 EEPROM芯片电擦除。EPROM是紫外线擦除 EEPROM芯片每个字节可改写万次以上,信息的保存期大于10年。这种芯片给计算机应用系统带来很大的方便,不仅可以修改参数,而且断电后能保存数据。它的缺点是价格偏高。先介绍一下2716使用INTEL公司27系列产品,有2716,2732,2764,27128等
25、加电编程,紫外线擦除EPROM存储容量分别:2K*8(位),4K*8(位),8K*8(位)16K*8(位)1K空间对应10根地址线,2716是2K对应11根地址线2764是8K对应13根地址线详细第42页,共98页,编辑于2022年,星期五2716 用用11根地址线,根地址线,16根线还剩根线还剩5根根详细第43页,共98页,编辑于2022年,星期五A10A0是是11位地址位地址18引脚引脚 是片选是片选CE低电平有效,编程时低电平有效,编程时PGM有效,有效,25伏高电压时写伏高电压时写程序程序OE输出允许信号,低电平有效,才允许读出。输出允许信号,低电平有效,才允许读出。详细 控制方式操作
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