嵌入式存储器及系统结构PPT讲稿.ppt
《嵌入式存储器及系统结构PPT讲稿.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《嵌入式存储器及系统结构PPT讲稿.ppt(21页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、嵌入式存储器及系统结构第1页,共21页,编辑于2022年,星期六目录目录1.嵌入式存储器简介嵌入式存储器简介1.1 常用存储器简介第2页,共21页,编辑于2022年,星期六1.嵌入式系统存储器嵌入式系统存储器 1.1 常用存储器简介 存储器按配置分为 内存(主存)和外存。在嵌入式系统中,嵌入式系统中的外存一般当作外围接口部件,如USB、SD卡等。在现代嵌入式系统中,内存全部采用半导体存储器。目前,半导体存储器主要包括以下几大类:(1)RAM类RAM类包括RAM、SRAM、DRAM、SDRAM目前,我们的嵌入式系统的,一般有内置RAM和SDRAM等。其特点是具有数据读写功能。RAM一般均作内存使
2、用。(2)ROM类型ROM主要有掩膜ROM、PROM(一次可编程)、EPROM(紫外线可擦除)、EEPROM(电可擦除)和FLASH型ROM。在我们常用的嵌入式系统中,一般都是Flash型ROM。也有个别系统中,产品量产后,为了节省硬件,用掩膜ROM代替Nor Flash。在一般的MCU中,都内置有RAM和Flash ROM。如Atmel 89C51中,自带有128 Byte的RAM和128K 的ROM。(3)半导体外存在嵌入式系统中,主要有NandFlash、I2C EEPROM、SPI Flash等。NandFlash和很多优点。后面我们将重点介绍。I2C EEPROM主要用于存储少量数据
3、,其优点是外接电路简单。缺点是数据存取速度慢。第3页,共21页,编辑于2022年,星期六1.2 Flash存储器的分类在嵌入式系统中,Flash包括MCU内置Flash,独立的NorFlash、Nand Flash等。其中,MCU内置Flash ROM与NorFlash在嵌入式系统中起的作用相同,一般均用作程序存储器。在这里我们只对NorFlash和NandFlash进行讨论。NOR型与NAND型闪存的区别很大,打个比方说,NOR型闪存更像内存,有独立的地址线和数据线,但价格比较贵,容量比较小;而NAND型更像硬盘,地址线和数据线是共用的I/O线,类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般,而
4、且NAND型与NOR型闪存相比,成本要低一些,而容量大得多。因此,NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合,通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行,手机就是使用NOR型闪存的大户,所以手机的“内存”容量通常不大;NAND型闪存主要用来存储资料,我们常用的闪存产品,如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。这里我们还需要端正一个概念,那就是闪存的速度其实很有限,它本身操作速度、频率就比内存低得多,而且NAND型闪存类似硬盘的操作方式效率也比内存的直接访问方式慢得多。因此,不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口,甚至想当然地认为闪存盘采用USB2.0接口之后会获得巨大的性能提升。前面提到NAND型闪存的操
5、作方式效率低,这和它的架构设计和接口设计有关,它操作起来确实挺像硬盘(其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性),它的性能特点也很像硬盘:小数据块操作速度很慢,而大数据块速度就很快,这种差异远比其他存储介质大的多。这种性能特点非常值得我们留意。第4页,共21页,编辑于2022年,星期六NOR的特点是芯片内执行(XIP,eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高,在14MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度
6、,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。性能比较 flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除NAND器件是以832KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN
7、之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。NOR的读速度比NAND稍快一些。NAND的写入速度比NOR快很多。NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。大多数写入操作需要先进行擦除操作。NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。接口差别 NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写
8、操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。容量和成本 NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,由于生产过程更为简单,NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。NOR flash占据了容量为116MB闪存市场的大部分,而NAND flash只是用在8128MB的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于数据存储,NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。第5页,共21页,编辑于2022年,
9、星期六可*性和耐用性 采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可*性。对于需要扩展MTBF的系统来说,Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可*性。寿命(耐用性)在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势,典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍,每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。位交换 所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见,NAND发生的次数要比NOR多),一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化
10、可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题,多读几次就可能解决了。当然,如果这个位真的改变了,就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存,NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候,同时使用EDC/ECC算法。这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然,如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时,必须使用EDC/ECC系统以确保可*性。坏块处理 NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力,但发现成品率太低,代价太高,根本不划算。NAND器件需要对介质进行
11、初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中,如果通过可*的方法不能进行这项处理,将导致高故障率。易于使用 可以非常直接地使用基于NOR的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。由于需要I/O接口,NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧,因为设计师绝不能向坏 块写入,这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。软件支持 当讨论软件支持的时候,应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件,包括性能优化。在NO
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 嵌入式 存储器 系统 结构 PPT 讲稿
限制150内