材料合成与制备方法 复习.ppt
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1、材料合成与制备方法复习1-溶胶凝胶法1.溶胶(Sol)又称胶体溶液。指在液体介质(主要是液体)中 分散了1-100nm粒子(基本单元),且在分散体系中保持固体物质不沉淀的胶体体系。溶胶也是指微小的固体颗粒悬浮分散在液相中,并且不停地进行布朗运动的体系。分散相分散相分散介质分散介质分散介质分散介质示例示例液体液体固体固体气体气体液体液体固体固体液体液体气体气体气体气体气体气体液体液体液体液体液体液体固体固体固体固体雾雾烟烟泡沫泡沫牛乳牛乳胶态石墨胶态石墨矿石中的液态夹杂物矿石中的液态夹杂物矿石中的气态夹杂物矿石中的气态夹杂物溶胶态分散系示例溶胶态分散系示例概念概念3.3.凝胶的产生途径有哪些?凝
2、胶的产生途径有哪些?改变温度:改变温度:利用物质在同一种溶液中的不同温度时的溶解度不同,通过升、降温度来实现胶凝,从而形成凝胶;转换溶剂:转换溶剂:用分散相溶解度较小的溶剂替换溶胶中原有的溶剂可以 使体系胶凝,从而得到凝胶,如固体酒精的制备;加电解质:加电解质:溶液中加人含有相反电荷的大量电解质也可以引起胶凝而得到凝胶,如在Fe(OH)3溶胶中加人电解质KCI可使其胶凝;进行化学反应:进行化学反应:使高分子溶液或溶胶发生交联反应产生胶凝而形成凝胶,如硅酸凝胶、硅一铝凝胶的形成。除去溶剂除去溶剂:使聚合产物的浓度增大,当存在一定程度的交联时,发生溶胶-凝胶的转变,粘度突然增大。用酸或碱催化用酸或
3、碱催化以促进水解和缩聚反应的发生。4.4.溶胶形成过程中水解度的影响(加水量),并举例说明溶胶形成过程中水解度的影响(加水量),并举例说明?水水解解度度R2R2,TEOSTEOS水水解解反反应应使使大大部部分分的的-OR-OR基基团团脱脱离离,产产生生-OH-OH基基团团,形形成成了了部部分分水水解解的的带带有有-OH-OH的的硅硅烷烷,在在这这些些部部分分水水解解的的硅硅烷烷之之间间容容易易反反应应形形成成二二聚聚体体,这这些些二二聚聚体不再进行水解,而是发生交联反应形成三维网络结构,从而缩短了凝胶化时间体不再进行水解,而是发生交联反应形成三维网络结构,从而缩短了凝胶化时间.水水解解度度R2
4、R2,水水解解反反应应则则产产生生了了部部分分水水解解的的带带有有-OH-OH的的硅硅烷烷,从从而而消消耗耗掉掉大大部部分分水水,缩聚反应较早发生,形成缩聚反应较早发生,形成TEOSTEOS的二聚体,硅酸浓度减少,凝胶时间延长的二聚体,硅酸浓度减少,凝胶时间延长 (1)系统含水量比较低的情况下:反应产物一直受到水解速度的控制,更倾向于形成链状结构:以研究最多的Si(OR)4(RCH3,C2H5)ROHH2O系统为例,体系中最先发生水解反应:(2)当加水量增大时:由于水解速度快,聚合反应主要或全部以失水缩聚的方式进行,从而形成具有二维或三维结构的聚合物,其水解和缩聚反应可表达为:总的净反应为:1
5、.水水热热法法在在特特制制的的密密闭闭反反应应器器(高高压压釜釜)中中,采采用用水水溶溶液液作作为为反反应应体体系系,通通过过对对反反应应体体系系加加热热、加加压压(或或自自生生蒸蒸气气压压),创创造造一一个个相相对对高高温温、高高压压的的反反应应环环境境,使使得得通通常常难难溶溶或或不不溶溶的的物物质质溶溶解解,并且并且重结晶重结晶而进行无机合成与材料处理的一种有效方法。而进行无机合成与材料处理的一种有效方法。2-2-水热与溶剂热合成法水热与溶剂热合成法概念概念2.溶溶剂剂热热法法将将水水热热法法中中的的水水换换成成有有机机溶溶剂剂或或非非水水溶溶媒媒(例例如如:有有机机胺胺、醇醇、氨氨、四
6、四氯氯化化碳碳或或苯苯等等),采采用用类类似似于于水水热热法法的的原原理理,以以制制备备在在水水溶液中无法长成,溶液中无法长成,易氧化易氧化、易水解易水解或或对水敏感对水敏感的材料的材料3.3.水热与溶剂热合成的生产设备为水热与溶剂热合成的生产设备为高压釜高压釜,有,有不锈钢外壳不锈钢外壳和和聚四氟乙聚四氟乙烯内衬烯内衬构成构成9 9水热生长体系中的晶粒形成有哪三种机制?水热生长体系中的晶粒形成有哪三种机制?“均均匀匀溶溶液液饱饱和和析析出出”机机制制由由于于水水热热反反应应温温度度和和体体系系压压力力的的升升高高,溶溶质质在在溶溶液液中中溶溶解解度度降降低低并并达达到到饱饱和和,以以某某种种
7、化化合合物物结结晶晶态态形形式式从从溶溶液液中中析出析出。“溶溶解解-结结晶晶”机机制制所所谓谓“溶溶解解”是是指指水水热热反反应应初初期期,前前驱驱物物微微粒粒之之间间的的团团聚聚和和联联接接遭遭到到破破坏坏,从从而而使使微微粒粒自自身身在在水水热热介介质质中中溶溶解解,以以离离子子或或离离子子团团的的形形式式进进入入溶溶液液,进进而而成成核核、结结晶晶而而形形成成晶晶粒粒。当当水水热热介介质质中中溶溶质质的的浓浓度度高高于于晶晶粒粒的的成成核核所所需需要要的的过过饱饱和和度度时时,体体系系内内发发生生晶晶粒粒的的成成核核和和生生长长,随随着着结结晶晶过过程程的的进进行行,介介质质中中用用于
8、于结结晶晶的的物物料料浓浓度度又又变变得得低低于于前前驱驱物物的的溶溶解解度度,这这使使得得前前驱驱物物的的溶溶解解继继续续进进行行。如如此此反反复复,只只要要反反应应时时间间足足够够长长,前前驱驱物物将将完完全全溶解,生成相应的晶粒。溶解,生成相应的晶粒。“原原位位结结晶晶”机机制制当当选选用用常常温温常常压压下下不不可可溶溶的的固固体体粉粉末末,凝凝胶胶或或沉沉淀淀为为前前驱驱物物时时,如如果果前前驱驱物物和和晶晶相相的的溶溶解解度度相相差差不不是是很很大大时时,或或者者“溶溶解解-结结晶晶”的的动动力力学学速速度度过过慢慢,则则前前驱驱物物可可以以经经过过脱脱去去羟羟基基(或或脱脱水水)
9、,原原子子原原位位重重排排而而转转变为结晶态。变为结晶态。简答和论述简答和论述1010(1 1)营养料在水热介质里溶解,以离子、分子团的形式进入溶液()营养料在水热介质里溶解,以离子、分子团的形式进入溶液(溶解溶解阶段阶段););(2 2)由于体系中存在十分有效的热对流及溶解区和生长之间的浓度差,)由于体系中存在十分有效的热对流及溶解区和生长之间的浓度差,这些离子、分子或离子团被输运到生长区(这些离子、分子或离子团被输运到生长区(输运阶段输运阶段););(3 3)离子、分子或离子团在生长界面上吸附、分解与脱附;)离子、分子或离子团在生长界面上吸附、分解与脱附;(4 4)吸附物质在界面上的运动;
10、)吸附物质在界面上的运动;(5 5)结晶。)结晶。水热条件下晶体生长包括哪几个步骤?水热条件下晶体生长包括哪几个步骤?粉粉体体的的晶晶粒粒粒粒度度与与粉粉体体形形成成时时的的成成核核速速度度有有关关,成成核核速速度度越越快快,由由此此制制得得的的粉粉体体的的晶晶粒粒粒粒度度就就越越小小,对对于于溶溶液液体体系系,如如果果采采取取一一定定的的措措施施,加加快快成成核核速速度度,即即在在相相对对较较短短的的时时间间内内形形成成相相对对较较多多的的晶晶核核,由由于于在在成成核核过过程程中中溶溶质质被被大大量量消消耗耗,在在生生长长过过程程所所提提供供的的溶溶质质就就会会相相对对减减少少,则可以使产物
11、的晶粒粒度减少。则可以使产物的晶粒粒度减少。为为什什么么在在水水热热合合成成体体系系中中,在在不不改改变变其其它它反反应应条条件件的的情情况况下下,在在一一相相当当短短的的时时间间内内使使反反应应物物浓浓度度有有极极大大的的增增加加,可可以以大大大大加加快快成成核核速速率率,从从而而达达到到减小产物晶粒粒度的目的?减小产物晶粒粒度的目的?在高温高压的水热体系中,水的性质发生哪些变化及对水热反应的影响?离子积升高,离子积升高,水的电离常数随反应温度压力的上升而增加,常温常压不溶于水的矿物或有机物会溶解,水热条件下也能诱发离子反应或促进水解反应。水的粘度和表面张力随温度升高而下降,这使得离子和分子
12、的活动性大为增加,在水热溶液中存在着十分有效的扩散,从而使得水热晶体生长较其他水溶液晶体生长具有更快的生长速率。水的热扩散系数增加,水的密度降低水热溶液比常温常压下具有更大的对流驱动力,促进基元物质在界面运动,有利于成核结晶。蒸汽压变高,可以增加分子间碰撞的机会而加速反应填充度通常在填充度通常在50%-80%50%-80%为宜为宜。3-电解合成电解合成电解液按其组成及结构分为:电解液按其组成及结构分为:电解质溶液、熔融电解质电解质溶液、熔融电解质浓度增大时,电导率均呈现先增加后降低的趋势。原因:原因:在一定浓度范围内,随着电解质溶液在一定浓度范围内,随着电解质溶液浓度的增浓度的增加,加,电解质
13、溶液中电解质溶液中导电质点数量的增加占主导,导电质点数量的增加占主导,因而因而溶液的电导率随之增加;溶液的电导率随之增加;当浓度增加到一定程度后,当浓度增加到一定程度后,由于溶液中离子间的距离减小,相互作用增强,使离由于溶液中离子间的距离减小,相互作用增强,使离子运动速度减小子运动速度减小,电导率下降。,电导率下降。电解质溶液的浓度如何影响电导率?电解质溶液的浓度如何影响电导率?电极反应电极反应作为一种界面反应,是直接在“电极/溶液”界面上实现的。电极上产生超电位的原因:电极上产生超电位的原因:浓差过电位、电阻过电位、活化过电位浓差过电位、电阻过电位、活化过电位简答简答知识点知识点1414什么
14、是电动势和理论分解电压?什么是电动势和理论分解电压?电动势:电动势:在一个电化学反应器中,当无电流通过时,两电极之间自发产生的电位差。对电解池来说,则为电解反应所需的最低电压值对电解池来说,则为电解反应所需的最低电压值,也就是理论分解电压理论分解电压。金属的电位序有什么实用意义?金属的电位序有什么实用意义?由由电电位位序序可可知知,在在标标准准情情况况下下氢氢前前面面的的金金属属都都是是容容易易氧氧化化的的金金属属,氢氢后后面面的的是是难难氧氧化化的的金金属属,前前面面的的金金属属能能把把电电位位序序表表中中排排在在后后面面的的金金属属从从盐盐溶溶液液中中置置换出来;可计算由任何两组金属组成的
15、电池的电动势。换出来;可计算由任何两组金属组成的电池的电动势。电解合成的基本原理是什么?电解合成的基本原理是什么?通电前,电解质中的离子常处于无秩序的运动中,通直流电后,离子作定通电前,电解质中的离子常处于无秩序的运动中,通直流电后,离子作定向运动。阳离子向阴极移动,在阴极得到电子,被还原;阴离子向阳极移向运动。阳离子向阴极移动,在阴极得到电子,被还原;阴离子向阳极移动,在阳极失去电子,被氧化。动,在阳极失去电子,被氧化。1515什么是电解定律(法拉第定律)什么是电解定律(法拉第定律)电解时,电极上发生变化的质量与通过的电量成正比,且每通过电解时,电极上发生变化的质量与通过的电量成正比,且每通
16、过1F电量电量可析出可析出1mol任何物质。任何物质。什么是槽电压?什么是槽电压?槽电压由下述各电压组成:槽电压由下述各电压组成:反抗电解质电阻所需的电压:电解质像普通的导体一样对电流反抗电解质电阻所需的电压:电解质像普通的导体一样对电流通过有一种阻力,反抗这种阻力所需的电压通过有一种阻力,反抗这种阻力所需的电压 IR1完成电解反应所需的电压:该电压用来克服电解过程中所产生完成电解反应所需的电压:该电压用来克服电解过程中所产生的原电池的电动势的原电池的电动势 E可逆可逆电解过程的超电压,电解过程的超电压,E不可逆不可逆反抗输送电流金属导体的电阻和反抗接触电阻需要的电压反抗输送电流金属导体的电阻
17、和反抗接触电阻需要的电压 IR2 E槽槽E可逆可逆+E不可逆不可逆+IR1+IR21616在电极与溶液之间形成的在电极与溶液之间形成的界面上界面上进行的电极反应分为哪几个步骤?进行的电极反应分为哪几个步骤?反应物粒子自溶液本体向电极表面传递反应物粒子自溶液本体向电极表面传递反应物粒子在电极表面或电极表面附近液层中进行某种转化反应物粒子在电极表面或电极表面附近液层中进行某种转化在电极与溶液之间的界面上进行得失电子的电极反应在电极与溶液之间的界面上进行得失电子的电极反应电极反应产物在电极表面或电极表面附近液层中进行某种转化电极反应产物在电极表面或电极表面附近液层中进行某种转化电极反应产物自电极表面
18、向溶液本体传递。电极反应产物自电极表面向溶液本体传递。电流密度如何影响着阴极析出物的状态?电流密度如何影响着阴极析出物的状态?电流密度低:晶核生长充分,生成大的晶状沉积物(沉淀)电流密度低:晶核生长充分,生成大的晶状沉积物(沉淀)电流密度高:成核速率大于晶体生长速率,细的晶粒或粉末状。电流密度高:成核速率大于晶体生长速率,细的晶粒或粉末状。电流密度很高:晶体朝着金属离子浓集的那边生长,呈树状或团粒状。电流密度很高:晶体朝着金属离子浓集的那边生长,呈树状或团粒状。导致导致H H2 2的析出,在极板上生成斑点的析出,在极板上生成斑点 pH pH值的局部增高而沉淀出一些氢氧化物或碱式盐值的局部增高而
19、沉淀出一些氢氧化物或碱式盐 1717什么是阳极效应?什么是阳极效应?端电压急剧升高,电流则强烈下降,同时,电解质与电极之间呈现端电压急剧升高,电流则强烈下降,同时,电解质与电极之间呈现润湿不良现象,电解质好像被一层气体膜隔开似的,电极周围还出润湿不良现象,电解质好像被一层气体膜隔开似的,电极周围还出现细微火花放电的光圈。现细微火花放电的光圈。正常润湿正常润湿阳极效应阳极效应18184-4-化学气相沉积化学气相沉积CVD过程中过程中,原料,原料可以用可以用气态源气态源也可以用也可以用液态源液态源液态源液态源的输送方法:的输送方法:冒冒泡法泡法、加热液态源加热液态源、液态源直接注入法液态源直接注入
20、法(喷淋法)(喷淋法)CVDCVD加热系统加热系统反应室的侧壁温度为反应室的侧壁温度为T Tw w,放置硅片的基座温度为,放置硅片的基座温度为T Ts s热壁式热壁式CVDCVD系统系统:T Tw w等于等于T Ts s冷壁冷壁式式CVDCVD系统系统:T Tw w小于小于T Ts s 冷冷壁壁系系统统能能够够降降低低在在侧侧壁壁上上的的沉沉积积,减减小小了了反反应应剂剂的的损损耗耗,也也减减小小壁上颗粒剥离对沉积薄膜质量的影响。壁上颗粒剥离对沉积薄膜质量的影响。知识点知识点1919在一个基片上沉积多层薄膜时采用在一个基片上沉积多层薄膜时采用模块式模块式CVDCVD:多多个个反反应应室室,不不
21、同同薄薄膜膜分分别别沉沉积积,互互不不干干扰扰;基基片片通通过过机机械械手手在在真真空下传递,不引入外界污染。空下传递,不引入外界污染。2020什么是气缺现象?如何减缓这种现象?什么是气缺现象?如何减缓这种现象?在在LPCVDLPCVD系系统统中中,因因为为表表面面反反应应速速度度控控制制沉沉积积速速率率,而而表表面面反反应应速速度度又又正正比比于于表表面面上上的的反反应应剂剂浓浓度度,要要想想在在各各个个硅硅片片表表面面上上沉沉积积厚厚度度相相同同的的薄薄膜膜,就应该保证各个硅片表面上的反应剂浓度是相同的。就应该保证各个硅片表面上的反应剂浓度是相同的。然然而而对对于于只只有有一一个个入入气气
22、口口的的反反应应室室来来说说,沿沿气气流流方方向向因因反反应应剂剂不不断断消消耗耗,靠靠近近入入气气口口处处沉沉积积的的膜膜较较厚厚,远远离离入入气气口口处处沉沉积积的的膜膜较较薄薄 ,称称这这种种现现象象为气缺现象。为气缺现象。什么是化学气相沉积?什么是化学气相沉积?通过化学反应的方式,利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源,在通过化学反应的方式,利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源,在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。形成固态沉积物的技术。简答和论述简答和论述2121(1)(1
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