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1、第八章第八章 霍尔传感器霍尔传感器8.1 霍尔效应及霍尔元件霍尔效应及霍尔元件8.2 霍尔集成传感器霍尔集成传感器8.3 霍尔传感器的应用霍尔传感器的应用8.1 霍尔效应及霍尔元件8.1 霍尔效应及霍尔元件8.1.1 霍尔效应 位于磁场中的静止载流导体,当其电流I的方向与磁场强度H的方向之间有夹角时,则在载流导体中平行与H、I的两侧面之间将产生电动势,这一物理现象称为霍尔效应。如图8-1所示,图8-1 霍尔效应原理 其洛仑兹力大小可表示为 FL=q0vB 静电场对电子的作用力 上式连立:式中:霍尔系数(m3/C)霍尔器件的灵敏系数 霍尔元件和测量电路霍尔元件 霍尔元件的结构如图8-2所示。图中
2、的矩形薄片状的立方晶体称为基片,在它的两垂侧面上各装有一对电极,电极1-1用以加激励电压或流过激励电流,故称为激励电极,电极2-2作为霍尔电势UH的输出,故称为霍尔电极,基片的尺寸要求厚度d越薄越好,d越薄,霍尔元件的灵敏系数 越大,在基片外面用金属或陶瓷、环氧树脂封装作为外壳。图8-3是霍尔元件的通用图形符号。图8-2 外形结构示意图 图8-3 图形符号2霍尔元件的测量电路(1)基本测量电路 霍尔元件的基本测量电路如图8-5所示。激励电流由电压源E供给,其大小由可变电阻来调节。8-5基本测量电路(2)霍尔元件的输出电路 在实际应用中,要根据不同的使用要求采用不同的连接电路方式。如在直流激励电
3、流情况下,位了获得较大的霍尔电压,可将几块霍尔元件的输出电压串联,如图8-6(a)所示。在交流激励电流情况下,几块霍尔元件的输出可通过变压器接成如图8-6(b)的形式,以增加霍尔电压或输出功率。(a)直流激励 (b)交流激励 图8-6 霍尔元件的输出电路 8.1.3 霍尔元件的主要特性参数1输入电阻Ri和输出电阻Ro 定义霍尔元件激励电极之间的电阻称为输入电阻Ri。霍尔电极之间的电阻称为输出电阻Ro 2额定激励电流IN和最大允许激励电流Imax 霍尔元件在空气中产生的温升为10时,所对应的激励电流称为额定激励电流IN。以元件允许的最大温升为限制,所对应的激励电流称为最大允许激励电流Imax。3
4、不等位电势和不等位电阻 当霍尔元件的激励电流为额定值IN时,若元件所处位置的磁感应强度为零,则它的霍尔电势应该为零,但实际不为零,这时测得的空载霍尔电势称为不等位电势。产生原因:主要由霍尔电极安装不对称造成的,由于半导体材料的电阻率不均匀、基片的厚度和宽度不一致、霍尔电极与基片的接触不良(部分接触)等原因,即使霍尔电极的装配绝对对称,也会产生不等位电势。补偿方法:任意两相邻的电极之间可视为一个等效电阻,则霍尔元件可视为一四臂电桥,要不等位电势为0,只需电桥输出为零即可,因此采用加调零电位器的方法很好.如图8-7所示.4交流不等位电势与寄生直流电势 在不加外磁场的情况下,霍尔元件使用交流激励时,
5、霍尔电极间的开路交流电势称为交流不等位电势。在此情况下输出的直流电势称为寄生直流电势。产生交流不等位电势的原因与不等位电势相同,而寄生直流电势的产生则是由于:(1)霍尔电极与基片间的非完全欧姆接触而产生的整流效应。(2)霍尔电极与基片间的非完全欧姆接触而产生的整流效应,使激励电流中包含有直流分量,通过霍尔元件的不等位电势的作用反映出来。一般情况下,不等位电势越小,寄生直流电势也越小。(3)当两个霍尔电极的焊点大小不同时,由于它们的热容量、热耗散等情况的不同,引起两电极温度不同而产生温差电势,也是寄生直流电势的一部分。寄生直流电势可用图8-8所示电路测量,经变压器降压后的交流电源供给霍尔元件的激
6、励电流,直流电位差计UJ-30的显示灵敏度应大于10-7V。图8-8 测量寄生直流电势的电路图5霍尔电势温度系数 在一定磁感应强度和激励电流下,温度每变化1时,霍尔电势变化的百分率,称为霍尔电势温度系数。6霍尔灵敏系数KH 在单位控制电流和单位磁感应强度作用下,霍尔器件输出端的开路电压,称为霍尔灵敏系数KH,霍尔灵敏系数KH的单位为V/(AT)。8.1.4 霍尔器件的材料选择 以N型半导体材料为好.表中给出常见的材料.表8-1 霍尔器件常用材料的物理性能8.2 霍尔集成传感器霍尔开关集成传感器1工作原理图8-9 霍尔开关集成传感器原理框图(1)霍尔元件:在0.1T磁场作用下,霍尔元件开路时可输
7、出20mV左右 的霍尔电压,当有负载时输出10mV左右的霍尔电压。(2)差分放大器:放大器将霍尔电压放大,以便驱动后一级整形电路。(3)整形电路:一般采用施密特触发器,它把经差分放大的电压整形为矩形脉冲,实现A/D转换。(4)输出管:由一个或两个三极管组成,采用单管或双管集电极开路输出,集电极输出的优点是可以跟很多类型的电路直接连接,使用方便。(5)电源电路:包括稳压电路和恒流电路,设置稳压和恒流电路的目的,一方面是为了改善霍尔传感器的温度性能,另一方面可以大大提高集成霍尔传感器工作电源电压的适用范围。2霍尔开关集成传感器的特性(1)磁特性 霍尔开关集成传感器的磁特性是指由高电平翻转为低电平的
8、导通磁感应强度B(HL)、由低电平翻转为高电平的截止磁感应强度B(LH)和磁感应强度的滞环宽度.滞环宽度对霍尔开关集成传感器是必需的,因为在导通磁感应强度B(HL)附近,如果没有滞环效应或滞环效应很小,那么由于磁噪声或磁钢振动等原因,会使电路的输出反复开启和关闭,形成类似于自激振荡现象。为防止这种现象的产生,必须具有一定宽度的滞环。但如果这种滞环宽度过大,对开关动作也是不利的,因为要求磁场变化幅度很大,有可能不发生动作而出现漏计现象。我国CS型开关集成霍尔传感器的滞环宽度典型值为610-3T。图8-10给出了霍尔开关集成传感器磁电转换特 性曲线,横坐标表示作用于霍尔元件上的正向磁感应强度。8-
9、10 霍尔开关集成传 感器输出特性(2)电特性 霍尔开关集成传感器的电特性是指它的输出电性能,标志它的输出电性能的主要参数有输出高电平UOH、输出低电平UOL、负载电流IOL、输出漏电流IOH、截止电源电流ICCH和导通电源电流ICCL等参数。(3)温度特性 霍尔开关集成传感器参数也随温度的变化而变化,在此主要讨论它的导通磁感应强度B(HL)、截止磁感应强度B(LH)和滞环宽度的温度特性由图8-11(a)可以看出,导通磁感应强度的温度系数约为(1.52)10-4T/,是正温度系数。从B(HL)与B(LH)特性曲线的差值中算出滞环宽度的温度系数约为 0.2%0.3%,是负温度系数。图8-11(b
10、)给出了CS型霍尔开关集成传感器两个磁特性参数随电源电压E的变化曲线。从图中可以看出,B(HL)和B(LH)参数在电源电压E6V时,随电源电压减少而增加,但滞环宽度随电源电压减小而减小;在电源电压E8V时,这三个参数基本变化不大。图8-11 霍尔开关集成传感器温度特性8.2.2 霍尔线性集成传感器 线性集成霍尔传感器是将霍尔器件、放大电路、电压调整电路、电流放大输出级、失调调整和线性度调整部分集成在一块芯片上,其特点是输出电压随外加磁感应强度B呈线性变化。霍尔线性集成传感器分单端输出和双端输出两种,它们的结构如图8-12(a)、(b)所示。(a)SL3501T型结构(单端输出)(b)SL350
11、1M型结构(双端输出)图8-12 线性集成霍尔传感器的电路结构8.3 霍尔传感器的应用 由于霍尔传感器具有在静态状态下感受磁场的独特能力,而且它具有结构简单、体积小、重量轻、频带宽(从直流到微波)、动态特性好和寿命长、无触点等许多优点,因此在测量技术,自动化技术和信息处理等方面有着广泛应用。归纳起来,霍尔传感器有三个方面的用途:(1)当控制电流不变时,使传感器处于非均匀磁场中,则传感器的霍尔电势正比于磁感应强度,利用这一关系可反映位置、角度或励磁电流的变化。(2)当控制电流与磁感应强度皆为变量时,传感器的输出与这两者乘积成正比。在这方面的应用有乘法器、功率计以及除法、倒数、开方等运算器,此外,
12、也可用于混频、调制、解调等环节中,但由于霍尔元件变换频率低,温度影响较显著等缺点,在这方面的应用受到一定的限制,这有待于元件的材料、工艺等方面的改进或电路上的补偿措施。(3)若保持磁感应强度恒定不变,则利用霍尔电压与控制电流成正比的关系,可以组成回转器、隔离器和环行器等控制装置。8.3.1 霍尔位移传感器图8-13 霍尔位移传感器8.3.2 霍尔电流变换器 图8-14 霍尔传感器电流变换器8.3.3 利用霍尔传感器实现无接触式仿型加工 图8-15 无接触式仿型加工原理示意图8.3.4 自动供水装置图8-16 自动供水装置8.3.5 霍尔元件在磁性材料研究中的应用图8-17 研究闭合材料试样磁特
13、性的线路框图非接触式键盘开关 图8-18 用霍尔开关集成传感器构成的按钮 本 章 小 结 位于磁场中的静止载流导体,当电流I的方向与磁场强度H的方向垂直时,则在载流导体中平行与H、I的两侧面之间将产生电动势,这个电动势称为霍尔电势,这种物理现象称为霍尔效应。利用霍尔效应原理制成的传感器称为霍尔传感器。霍尔传感器有分立元件式(简称霍尔元件)和集成式(简称霍尔集成传感器)两种。霍尔元件常用锗、硅、砷化镓、砷化铟及锑化铟等半导体材料制作而成。霍尔集成传感器是将霍尔器件、放大电路、电压调整电路、电流放大输出级、失调调整和线性度调整部分集成在一块芯片上组成的。霍尔传感器由于具有结构简单、体积小、重量轻、频带宽(从直流到微波)、动态特性好和寿命长、无触点等许多优点,因此在测量技术,自动化技术和信息处理技术等方面有着广泛应用。思考与练习1.试述霍尔效应的定义。2.试说明霍尔系数的物理意义。3.试述霍尔传感器的主要参数。4.试分析霍尔开关集成传感器的组成及各部分的作用。5.简述利用霍尔传感器测量电流、磁感应强度、微位移的原理。6.试举实例说明霍尔传感器的应用。
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