模电122学习教程.pptx
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1、1.2 1.2 半导体二极管半导体二极管二极管伏安特性二极管伏安特性二极管模型二极管模型二极管应用二极管应用第1页/共42页1.2.1.1.2.1.二极管的结构二极管的结构(一一).二极管的结构(实质为一个二极管的结构(实质为一个PN结)结)旧符号新符号阳极(Anode)阴极(Cathode)第2页/共42页.二极管的结构二极管的结构点接触型:结面积小,点接触型:结面积小,结电容小,故结允许结电容小,故结允许的电流小,最高工作的电流小,最高工作频率高。频率高。面接触型:结面积大,面接触型:结面积大,结电容大,故结允许结电容大,故结允许的电流大,最高工作的电流大,最高工作频率低。频率低。平面型:
2、结面积可小、平面型:结面积可小、可大,小的工作频率可大,小的工作频率高,大的结允许的电高,大的结允许的电流大。流大。第3页/共42页半导体二极管的型号半导体二极管的型号国家标准对半导体器件型号的命名举例如下,(欧洲,美国,日本的命名方法各有不同,详见晶体管手册)欧洲,美国,日本的命名方法各有不同,详见晶体管手册)第4页/共42页材料材料开启电压开启电压导通电压导通电压反向饱和电流反向饱和电流硅硅Si0.5V0.50.8V1A以下锗锗Ge0.1V0.10.3V几十A开启电压反向饱和电流击穿电压温度的电压当量二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。1.2
3、.2.1.2.2.二极管的伏安特性二极管的伏安特性开启电压:使二极管开始导通的临界电压。开启电压:使二极管开始导通的临界电压。第5页/共42页当加正向电压时:当加正向电压时:I 随随U,呈指数规率,呈指数规率。1.2.2.1.2.2.二极管的伏安特性二极管的伏安特性当加反向电压时:当加反向电压时:I=Is ,基本不变。基本不变。正偏二极管有一个正向电流开正偏二极管有一个正向电流开始明显增大的始明显增大的导通电压导通电压U UONON,SiSi管:管:0.7V,Ge0.7V,Ge管:管:0.3V0.3V第6页/共42页从二极管的伏安特性可以反映出:从二极管的伏安特性可以反映出:1.单向导电性单向
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