电子整机常用元器件、材料和装配工具.ppt
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1、返回第一章电子整机常用元器件、材料和装配工具v1.1常用元器件v1.2常用材料v1.3常用装配工具和设备返回1.1常用元器件v1.1.1电阻器v1.1.2电容器v1.1.3电感器v1.1.4半导体分立器件v1.1.5关电耦合器v1.1.6集成电路v技能训练返回1.1.1电阻器返回一、电阻器的作用在电路中起着稳定或调节电流、电压的作用。返回二、分类1、按阻值可否调节:固定电阻器和可变电阻器2、按材料:碳膜电阻器、有机实芯电阻器、金属膜电阻器等3、按用途:精密电阻器、高频电阻器、大功率电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器等。返回三、电阻器的主要参数v1、标称阻值和偏差(1)、标称组织:电阻器上面所表示的
2、阻值。(2)、偏差:偏差是指标称阻值与实际阻值的差值与标称阻值之比的百分数。通常分为土5(I级)、土10(II级)、土20(III级)。v2、额定功率电阻器的额定功率是指电阻器在环境温度为一55-十70,大气压强为101kPa的条件下连续承受直流或交流负荷时所允许的最大消耗功率。v3、温度系数温度每变化1c所引起的电阻值的相对变化称为电阻的温度系数。阻值随温度的升高而增大的为正温度系数。温度升高时阻值减小则为负温度系数。返回四、电阻值的命名方法v电阻器(含电位器)的型号由四部分组成,分别代表产品主称、材科、分类和序号。返回五、电阻的标识方法v1、直标法直标法是用数字和文字符号在电阻器上直接标出
3、主要参数的标志方法,若电阻上未注偏差,则均为土20。v2、文字符号法文字符号法是用数字和文字符号或两者有规律的组合,在电阻器上标志出主要参数的标志方法。其具体方法为:阻值的整数部分写在阻值单位标志符号的前面,阻值的小数部分写在阻值单位标志符号的后面。例如:1K6=1.6K标志符号规定如下;欧姆100欧姆),用表示,例:0.1标志为l。千欧(103欧姆),用k表示,例:1k标志为lk。兆欧(106欧姆),用M表示,例:33M标志为3M3。千兆欧(109欧姆),用G表示,例:82x109标志为8G3g兆兆欧(1012欧姆),用T表示,例:33x1012标志为3T3。返回五、电阻的标识方法v3、色标
4、法颜色顺序:棕、红、橙、黄、绿、蓝、紫、灰、白、黑对应数字:1、2、3、4、5、6、7、8、9、0其他颜色:银(土10%或10-2)、金(土5%或10-1)、无色(土20%)v4、数码标识法数俩表示法是在电阻器上月三位数码表示标称值的标志方法。数码从左至右,第一、二位为有效值,第三位为乘数,即零的个数单位力。例如:222J=22*102=2200土20%返回六、电阻的质量判别和选用v1、判别:用目测可以看出引线折断或电阻体烧坏等外表故障:用万用表欧姆档或其他专用测试仪器可测试电阻器内部是否良好及阻值是否正常。v2、选用:应根据电子整机的具体要求,从电气性能兼顾经济价值等方面综合考虑。不要片面采
5、用高精度电阻器。为了保证电阻可靠耐用,其额定功率应是实用功率的152倍。返回电阻的分类电阻的主要参数电阻的标识返回P25-261-4双数题1-5(6-10)1-6(3、4)1-7(5-8)返回1.1.2电容器返回一、组成和作用v电容器由两个导体及它们之间的介质组成。在电路中用于隔直流或旁路信号、耦合信号等。返回二、分类v1、按电容量可否变化:固定式和可变式v2、按介质:有空气介质电容器、油浸电容器及同体介质(云母、纸介、陶瓷、薄膜等)电容器以及电解电容器。v3、按有无极性:有极性电容器和无极性电容器。返回三、电容器的主要参数v1、标称电容量标在电容器外壳上的电容量数值称为电容器的标称容量。v2
6、、额定直流工作电压当电容器的两极板间所加的屯乐高男一定数值时,极板间的介质就会被击穿,该电压值叫做电容器的击穿电压。电容器的额定直流工作电压是指电容在极限环境温度下长期(般不少于1000小时)可靠正常工作的最高直流电压,其值通常为击穿电比的半。返回四、电容型号的命名方法v电容器的型号一般由四部分组成,分别代表主称、材料、分类和序号。v误差等级:vD005级0.5%;F01级1%;G02级2%;JI级5%;KII级10%;MIII级20%。知识扩展返回五、电容的标识方法v1、直标法直标法是将电容器的标称李设及允许偏差直接标在电容器上的标志方法。v2、文字符号法标称容量的整数部分通常写在容量单位标
7、志符号的前面,小数部分写在容量单位标志符号的后面。如0.33PF写为p33,2.2PF写为2p2。返回五、电容的标识方法v3、色标法电容器色标法采用颜色的规定与电阻器色标法的规定相同。v4数码表示法电容器的数码表示法与电阻器的相同。但电容器数码表示法中,第三位数中“9”表示10-1;在uF容量中,小数点可用R表示。例如;339K瓷片电容器为3.3PF土10,R47K电容器为0.47uF土10。返回六、电容器的质量和选用v1、电容器的质量判别(1)、固定电容器留点判别用万用表的电阻R10k量程挡。将表棒接触电容器的两极,表头指针应向顺时针方向跳动一下(5000PF以下的小电容观察不出跳动),然后
8、逐步逆时针复原,即退至R处。如果不能复原,则稳定后的读数表示电容器漏电的电阻值。返回六、电容器的质量和选用(2)、电容器容量的判别5000pF以上的电容器可用万用表最高电阻档判别有无电容量。用表棒接触电容器两端时,表头指针应先是一跳,后逐渐复原。将黑红两表棒对调之后再接触,表头指针应是又一跳,并跳得更高,而后又逐渐复原。这就是电容充电、放电的倩形。电容器的容量越大,表头指针跳动越大,指针复原的速度也越慢。根据指针跳动的角度可估计其容量的大小。若用万用表皮R10K最高电阻挡判别时表针不跳动则说明电容器内部断路了。返回六、电容器的质量和选用对于5000PF以下的小容员的电存器,用万用表最高电阻档已
9、看不出充放电现绿,应另采用专门测量一起判别。v2、电容器的选用v根据实际情况选用返回1.1.3电感器返回一、什么是电感v电感器有时也叫电感或电感线圈,是利用电磁感应原理制成的元件,常见的有:自感线圈和互感作用的变压器,在电路中起阻流、变压、传送信号等作用。返回二、分类v1、按电感量变化:固定电感、可变电感和微调电感v2、按电感线圈性质:空心电感器、磁芯电感器、铜芯电感器v3、按绕制特点:单层电感器、多层电感器、蜂房电感器返回三、主要参数v1.标称电感量单位:亨利(H)v2.品质因素品质因数是指线圈齐某一频率的交流电压下工作时所呈现的感抗与线圈的总损耗电阻的比值,其计算公式为:Q=(2fL)/R
10、=(wL)/R式中O是品质因数。在谐振回路中,线圈的Q值越高,回路的损耗越小。v3.分布电容分布电容是指线圈的匝间形成的电容,即由空气、导线的绝缘层、骨架所形成的电容。它的存在降低了线圈的品质因数,通常应减小分布电容(线困采用烽房绕法或间绕法)。返回四、电感器的标识方法v电感器的标志方法与电阻器、电容器的标志方法相同,有直标法、文字符号法和色标法。返回v电容器、电感器的分类、标志方法返回v1.复习所学的内容v2.预习二极管、三极管的特性返回1.1.4半导体分立器件返回什么叫半导体?v导电能力介于导体和绝缘体之间的物质,称为半导体。例如,锗、硅、硒及大多数金属的氧化物。返回一、半导体二极管v1、
11、特性:单向导电性返回一、半导体二极管v2、分类(1)、按用途:整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管等。(2)、按材料:锗二极管、硅二极管、砷化镣二极管等。(3)、按结构特点:点接触和面接触二极管。(4)、按工作原理:,有变容二极管、雪崩二极管等等。返回一、半导体二极管v3、二极管引脚的判别(1)、轴向引出(即非同端引出),则在二极管外壳上印有符号,如图1;有时在负端以色环(点)标志,用以区分正负极。(2)、同端引出,则有的在负极处有明显的标记;有的带定位标志,如图2所示,判别时,观察看面对管底,由定价销起,技顺时针方向,引出线依次为正极和负极。图图1图图2返回
12、一、半导体二极管v3、二极管引脚的判别(3)、塑料封装,如图3所示,判别时,观察者面对切角面,引出线向下,由左往右依次为正极、负极。(4)、还有的二极管其管壳是透明玻璃管测可看到连接触丝的一端为正极。图图3返回一、半导体二极管v3、二极管引脚的判别(5)、万用表判别将万用表旋钮置于只R100或只R1K挡(不要用只Rl挡和只R1K挡以上,以免电流过大或电压太高损坏管子)。两表棒接触二极管的两端,如电阻表指出是几百欧姆的小阻值,则接黑表棒的那个电极为二极管的正极反之若电阻表指示是几百千欧的大阻值,则接红表棒的引出脚是二极管的正极,如图4。图图4返回二、半导体三极管v1、作用:对信号有放大作用或开关
13、作用。返回二、半导体三极管v2、分类(1)、按工作频率:高频三极管和低频三极管。(2)、按功率大小:大功率、中功率、小功率三极管。(3)、按封装形式:有金届封装和塑料封装等。(4)、按电极性不同:PNP型和NPN型两种。返回二、半导体三极管v3、管脚的判别(1)、金属壳三极管的管脚判别对于图5,观察者面对管底,由定位标志起,按顺时针方向,引出线(管脚)依次为发射极E、基极B、集电极C、接地线D。对于图6,观察者面对管底令带引出线的半圆位于上方,校顺时针方向,引出线依次为发射极E、基极B。集电集C。对于图7,观察者面对管底,令两根引出线均位于左侧上引出线为发射级E,下引出线为基集B,管底为集电集
14、C。图图5图图6图图7返回二、半导体三极管v3、管脚的判别(2)、塑料封装三极管的管脚判别对于图8,观察者面对切角面,引出线向下,由左往右一次为发射极E、基极B、集电极C。对于图9,观察者面对管子正面(型号打印面)散热片为管背面,引出线向下,由左往右一次为发射极E、基极B、集电极C。注:有些并不是这样,应以技术资料或实际测量为准。图图8图图9返回二、半导体三极管v3、管脚的判别(3)、用万用表判别、基极判别将万用炭置于只R100或R1K挡,用黑表棒接触某一管脚,用红表棒分别接触另两个管脚如表头读数都很小(约几千欧),则与黑表棒接触的那一个管脚是基极、同时可知此三极管为NPN管。若用红表棒接触某
15、一管脚而用黑表棒分别接触另两个管脚,表头读数都很小(约几百欧时,则与红表棒接触的管脚是基极同时可知此二极管为PNP型。图图10返回二、半导体三极管v3、管脚的判别(3)、用万用表判别、集电极C与发射机E的判别图10中的三极管是PNP型,把红表棒接假定的集电极,黑表棒接假定的发射极,在假定的集电极与基极之间接入电阻RB约100K,估测阻值(R1)。然后把表棒互换,如法再测阻值(R2)。阻值小的一次(较大)所假设的集电极和发射极是正确的。图图10返回1.1.5光电耦合器v一、什么是光电耦合器光电耦合器是一种光电结合的半导体器件,由发光器和受光器组成的一个“电一光一电”器件。当输入端有电信号输入时,
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