实验二存储器实验.ppt

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1、实验二 存储器实验l存储器是计算机信息存储和交换中心程序指令和数据都从存储器中获取l是冯诺依曼体系计算机的基本特征l是计算机能够自动、连续、快速工作的基础输入/输出设备与存储器直接交换数据实验二 存储器实验l存储器分类内部存储器：容量小，速度快，CPU直接访问外部存储器：容量大，速度较慢，不能被CPU直接访问实验二 存储器实验l存储器分类随机存储器：存储单元可以被随机访问，存取时间与存储单元物理地址无关顺序存储器：只能按照某种顺序访问存储单元，存储时间与存储单元物理地址有关实验二 存储器实验l存储器分类光介质、磁介质和半导体存储器只读和读/写存储器永久和易失性存储器实验二 存储器实验l基本存储

2、位元：存储1位二进制信号l是一个可控制的双稳态触发器实验二 存储器实验l静态随机存储器存储体地址译码器l单译码 l双译码控制逻辑读/写电路输入/输出电路实验二 存储器实验l静态随机存储器举例64 行 x 64列的4096单元存储体地址译码器l单译码：需要4096条地址选择线（2n）l双译码：需要128条地址选择线（2*2n/2）单数据线：1位实验二 存储器实验l位扩展：地址线，片选线和读写线并联8K*1位-8K*8位实验二 存储器实验l字扩展：地址线，数据线和读写线并联，片选选择16K*8位-64K*8位实验二 存储器实验l实验目的静态随机存储器工作特性数据读写方法l实验原理6116芯片（2K*8）的应用ADDRESS UNIT 74LS273进行地址锁存（LDAR/T3）INPUT UNIT 74LS245作为数据三态门（SW-B）实验二 存储器实验l实验步骤调节合适的T3节拍波形连接实验线路写存储器lCE高，LDAR高，SW-B低lINPUT地址，T3脉冲lLDAR低，CE低，WE高，SW-B低lINPUT数据，T3脉冲读存储器lCE高，LDAR高，SW-B低lINPUT地址，T3脉冲lLDAR低，SW-B高，CE低，WE低l观察数据总线灯输入地址输入数据输入地址读取数据实验二 存储器实验l实验4接线图