半导体二极管及其基本电路2.ppt

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1、 模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜3.1 3.1 半导体基本知识半导体基本知识3.2 PN3.2 PN结的形成及特性结的形成及特性3.3 3.3 半导体二极管半导体二极管3.4 3.4 二极管基本电路及其分析方法二极管基本电路及其分析方法3.5 3.5 特殊二极管特殊二极管 模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜3.1 半导体的基本知识一、半导体材料 根据物体导电能力根据物体导电能力(电阻率电阻率)的不同，来划分的不同，来划分导体、导体、绝缘体和半导体。绝缘体和半导体。元素半导体：元素半导体：硅（硅（Si）和锗（锗（Ge）化合物半导体：化合物半导体

2、：砷化镓（砷化镓（GaAs）等。半导体的导电能力介于导体、绝缘体之间，其导半导体的导电能力介于导体、绝缘体之间，其导电性能还有其独特的特点。常用的电性能还有其独特的特点。常用的半导体材料半导体材料有：有：导体（低价元素）导体（低价元素）半导体半导体绝缘体（高价元素）绝缘体（高价元素）金、银、铜、铁等金、银、铜、铁等硅、锗、镓等硅、锗、镓等橡胶、惰性气体等橡胶、惰性气体等 模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜典型的半导体是典型的半导体是硅硅SiSi和和锗锗GeGe，它们都是它们都是4 4价元素。价元素。硅硅和和锗锗最最外外层层轨轨道道上上的的四个电子称为四个电子称为价电子价

3、电子。硅原子硅原子Si锗原子锗原子Ge+4二、半导体共价键结构（硅）模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜(a)硅晶体的空间排列 价价电电子子分分别别与与周周围围的的四四个个原原子子的的价价电电子子形形成成共共价价键键。共共价价键键中中的的价价电电子为这些原子所共有，并为它们所束缚，在空间形成排列有序的晶体。子为这些原子所共有，并为它们所束缚，在空间形成排列有序的晶体。这种结构的立体和平面示意图见这种结构的立体和平面示意图见 图图2-1图图2-1 硅原子空间排列及共价键结构平面示意图硅原子空间排列及共价键结构平面示意图+4+4+4+4+4+4+4+4+4(b)共价键结构平面

4、示意图 模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜1.1.本本征征半半导导体体完完全全纯纯净净、结结构构完完整整的的半半导导体体晶晶体体（化化学学成分纯净成分纯净）。）。三、本征半导体、空穴及其导电作用制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%99.9999999%，常称为常称为“九个九个9 9”。在绝对温度在绝对温度T=0KT=0K时，所有的时，所有的价电子都被共价键紧紧束缚在共价电子都被共价键紧紧束缚在共价键中，不会成为价键中，不会成为自由电子自由电子，因因此本征半导体的导电能力很弱，此本征半导体的导电能力很弱，接近绝

5、缘体。接近绝缘体。本征半导体的共价键结构本征半导体的共价键结构束缚电子束缚电子 模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜当当温温度度升升高高或或受受到到光光的的照照射射时时，束束缚缚电电子子能能量量增增高高，有有的的电电子子可可以以挣挣脱脱原原子子核核的的束束缚缚，而而参参与与导导电电，成成为为自由电子自由电子。自自由由电电子子产产生生的的同同时时，在在其其原原来来的的共共价价键键中中就就出出现现了了一一个个空空位位，称称为为空空穴穴。空空穴穴是是半半导导体体区区别别于于导导体体的的一一个重要特点。个重要特点。自由电子空穴这一现象称为这一现象称为本征激发，本征激发，也称也称热

6、激发。热激发。2.2.电子空穴对电子空穴对 模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜可见本征激发同时产生电子空穴对。可见本征激发同时产生电子空穴对。外加能量越高（温度越高），产生的外加能量越高（温度越高），产生的电子空穴对越多。电子空穴对越多。与本征激发相反的现象与本征激发相反的现象复合复合 在一定温度下，本征激发和复合在一定温度下，本征激发和复合同时进行，达到动态平衡。电子空穴同时进行，达到动态平衡。电子空穴对的浓度一定。对的浓度一定。常温常温300300K K时：时：电子空穴对的浓度电子空穴对的浓度硅：硅：锗：锗：电子空穴对 模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜

7、主讲：刘童娜+4+4+4+4+4+4+4+4+4E3.空穴的移动空穴的移动图图2-3 空穴在晶格中的移动空穴在晶格中的移动小结：晶体中存在着两种导电的离子（电子、空穴）小结：晶体中存在着两种导电的离子（电子、空穴）自自由由电电子子的的定定向向运运动动形形成成了了电电子子电电流流，空空穴穴的的定定向向运运动动也也可可形形成成空空穴穴电电流流，它它们们的的方方向向相相反反。只只不不过过空空穴穴的的运运动动是是靠靠相相邻邻共共价价键键中中的的价价电电子子依依次次充充填填空空穴穴来来实现的。实现的。动动 画画 演演 示示由于热激发由于热激发而产生的自而产生的自由电子由电子自由电子移自由电子移走后而留下

8、走后而留下的空穴的空穴 模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜4.导电机理导电机理自由电子自由电子 带负电荷带负电荷 电子流电子流 总电流总电流载流子载流子空空 穴穴 带正电荷带正电荷 空穴流空穴流 本征半导体的导电性取决于外加能量：本征半导体的导电性取决于外加能量：温度变化，导温度变化，导电性变化；光照变化，导电性变化。电性变化；光照变化，导电性变化。自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定向自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定向运动也可形成空穴电流，它们的方向相反。只不过空穴运动也可形成空穴电流，它们的方向相反。只不过空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空

9、穴来实现的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。在外加电场的作用下，电子和空穴会产生定向移动，的。在外加电场的作用下，电子和空穴会产生定向移动，形成电流而导电。形成电流而导电。模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜(1)(1)P型半导体型半导体(2)(2)N型半导体型半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是化。掺入的杂质主要是三价三价或或五价五价元素。元素。掺入杂质的本征半导体称为掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体杂质半导体。四、杂质半导体

10、四、杂质半导体 模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜1.P型半导体型半导体在本征半导体中掺入在本征半导体中掺入三价杂质元素三价杂质元素（如硼、镓、铟等）（如硼、镓、铟等）形成形成P P型半导体，型半导体，也称为也称为空穴型半导体空穴型半导体。因三价杂质原子。因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。电子而在共价键中留下一个空穴。P型半导体型半导体硅原子空穴硼原子电子空穴对空穴受主离子P P型半导体中空穴是多数载流子，主型半导体中空穴是多数载流子，主要由掺杂形成；电子是少数载流子，由要由掺杂形成；电子是少

11、数载流子，由热激发形成。热激发形成。空穴很容易俘获电子，使杂质原空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为子成为负离子负离子。三价杂质因而也称为。三价杂质因而也称为受主杂质受主杂质。模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜N型半导体型半导体2.N型半导体型半导体在本征半导体中掺入在本征半导体中掺入五价杂质元素五价杂质元素（如磷如磷）,可形成可形成N N型半导体型半导体,也称也称电子型电子型半导体半导体。因五价杂质原子中只有四个价。因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因子形成共价键，而多余的一个价

12、电子因无共价键束缚很容易形成自由电子。无共价键束缚很容易形成自由电子。+磷原子硅原子施主离子自由电子电子空穴对多余电子在在N N型半导体中自由电子是多数载流型半导体中自由电子是多数载流子子,它主要由杂质原子提供；空穴是少它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子数载流子,由热激发形成。由热激发形成。提供自由电子的五价杂质原子因带提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正电荷而成为正离子正离子，因此五价杂质，因此五价杂质原子也称为原子也称为施主杂质施主杂质。模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜3.2 PN3.2 PN结的形成及特性结的形成及特性N型半导体型半导体P型半导体型半

13、导体+杂质半导体的示意图杂质半导体的示意图多子多子电子电子少子少子空穴空穴多子多子空穴空穴少子少子电子电子少子浓度少子浓度与温度有关，与掺杂无关与温度有关，与掺杂无关多子浓度多子浓度与温度无关，与掺杂有关与温度无关，与掺杂有关 模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜1.PN结的形成结的形成在一块本征半导体在两侧通在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质过扩散不同的杂质,分别形成分别形成P P型型半导体半导体和和N N型半导体型半导体。此时将在。此时将在P P 型半导体和型半导体和N N型半导体的结合面型半导体的结合面上形成如下上形成如下物理过程物理过程:两侧载流子存在浓度差

14、两侧载流子存在浓度差杂质离子不移动形成空间电荷区杂质离子不移动形成空间电荷区空间电荷区形成内电场空间电荷区形成内电场促进少子漂移运动促进少子漂移运动阻止多子扩散运动阻止多子扩散运动扩散和漂移达扩散和漂移达到动态平衡到动态平衡形成形成PN结结多子扩散运动多子扩散运动:空穴：空穴：PN；电子电子NP空穴和电子产生复合空穴和电子产生复合空间电荷区PN内电场内电场耗尽层V0电电位位V电电子子势势能能-qV0PNPN结的形成过程动画演示结的形成过程动画演示PN结结 模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜REW2.PN结的单向导电性结的单向导电性(1)加正向电压（正偏）加正向电压（正偏

15、）电源正极接电源正极接P P区，负极接区，负极接N N区区 外电场的方向与内电场方向相反。外电场的方向与内电场方向相反。外电场削弱内电场外电场削弱内电场 耗尽层变窄耗尽层变窄扩散运动漂移运动扩散运动漂移运动多子多子扩散形成正向电流扩散形成正向电流I F正向电流正向电流 模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜(2)加反向电压（反偏）加反向电压（反偏）电源正极接电源正极接N区，负极接区，负极接P区区 外电场的方向与内电场方向相同。外电场的方向与内电场方向相同。外电场加强内电场外电场加强内电场耗尽层变宽耗尽层变宽漂移运动扩散运动漂移运动扩散运动少子少子漂移形成反向电流漂移形成反向

16、电流I RP PN N在一定的温度下，由在一定的温度下，由本征激发产生的少子浓度本征激发产生的少子浓度是一定的，故是一定的，故IR基本上与基本上与外加反压的大小无关，所外加反压的大小无关，所以称为以称为反向饱和电流反向饱和电流。但。但IR与温度有关。与温度有关。单向导电性动画演示单向导电性动画演示 模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻，PN结导通；PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，PN结截止。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。PNPN结的单向导电性结的单向导电性 模拟电子半导体二极管及其基本

17、电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜u 正向特性：指数规律正向特性：指数规律u 击穿特性：击穿特性：u 反向特性：反向阻断反向特性：反向阻断（1）雪崩击穿）雪崩击穿载流子获得足够的动能将共价键中的电子碰撞出来产生电子空穴对，新载流子获得足够的动能将共价键中的电子碰撞出来产生电子空穴对，新产生的载流子再去碰撞其他的中性原子又产生新的电子空穴对，这种碰撞电产生的载流子再去碰撞其他的中性原子又产生新的电子空穴对，这种碰撞电离称为雪崩击穿。离称为雪崩击穿。（2）齐纳击穿）齐纳击穿空间电荷区内的场强非常高时（掺杂浓度高、阻挡层很薄、容易建立很空间电荷区内的场强非常高时（掺杂浓度高、阻挡层很薄、容易建立很强的场

18、强）足以把空间电荷区强的场强）足以把空间电荷区内内的中性原子的价电子直接从共价键中拉出来的中性原子的价电子直接从共价键中拉出来产生自由电子空穴对，这个过程产生大量的载流子使产生自由电子空穴对，这个过程产生大量的载流子使PN结的反向电流剧增呈结的反向电流剧增呈反向击穿现象叫齐纳击穿。反向击穿现象叫齐纳击穿。模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜3 PN的反向击穿的反向击穿反向击穿反向击穿热击穿热击穿 电击穿电击穿雪雪崩崩击击穿穿齐齐纳纳击击穿穿PN结两端反向电压增加结两端反向电压增加到一定数值时，反向电到一定数值时，反向电流突然增加，这种现象流突然增加，这种现象称为反向击穿称

19、为反向击穿消耗功率大消耗功率大于耗散功率于耗散功率PN结损坏结损坏反向击穿电压反向击穿电压VBR0viD反偏反偏反向饱和电流反向饱和电流ISIs（少子漂移）（少子漂移）正偏正偏IF（多子扩散）（多子扩散）消耗功率小于消耗功率小于耗散功率耗散功率击穿过程可逆击穿过程可逆反向击穿（雪崩击穿和齐纳击穿）反向击穿（雪崩击穿和齐纳击穿）模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜势垒电容势垒电容 外加电压时，二极管外加电压时，二极管PN结空间电荷区中的电荷量随外加电压变化结空间电荷区中的电荷量随外加电压变化而改变，这显示了电容效应，这个电容称为而改变，这显示了电容效应，这个电容称为势垒电容

20、（势垒电容（CB）外外 加加 电电 压压使耗尽层变宽使耗尽层变宽空间电荷量增加空间电荷量增加相当于充电相当于充电使耗尽层变窄使耗尽层变窄空间电荷量减少空间电荷量减少相当于放电相当于放电4.PN结的电容效应结的电容效应 模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜扩散电容扩散电容 在多数载流子的扩散过程中，由外加电压的改变引起扩散区内积累在多数载流子的扩散过程中，由外加电压的改变引起扩散区内积累电荷量的变化而产生的电容效应，这个电容称为电荷量的变化而产生的电容效应，这个电容称为扩散电容（扩散电容（CD）外加正向电压外加正向电压增加增加积累电荷量增加积累电荷量增加相当于充电相当于充电

21、减小减小积累电荷量减少积累电荷量减少相当于放电相当于放电 势垒电容和扩散电容势垒电容和扩散电容的大小与外加偏置电压的大小有关，所以它们是一种的大小与外加偏置电压的大小有关，所以它们是一种非线性电容，它们都很小，对低频影响不大，但在高频应用时，必须考虑。非线性电容，它们都很小，对低频影响不大，但在高频应用时，必须考虑。模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜结构：结构：二极管二极管 PNPN结结 管壳管壳 引线引线NP符号：符号：阳极（正极）阳极（正极）阴极（负极）阴极（负极）3.3 半导体二极管半导体二极管一、一、半导体二极管的结构半导体二极管的结构 模拟电子半导体二极管及其

22、基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜二极管常见的几种结构二极管常见的几种结构1.1.点接触型二极管点接触型二极管PN结面积小，结电结面积小，结电容小，用于检波和容小，用于检波和变频等高频电路。变频等高频电路。模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜2.面接触型二极管面接触型二极管PN结面积大，结面积大，用于工频大电流用于工频大电流整流电路。整流电路。模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜3.3.平面型二极管平面型二极管用于集成电路制造工用于集成电路制造工艺中。艺中。PN 结面积可结面积可大可小，用于高频整大可小，用于高频整流和开关电路中。流和开关电路中。模拟

23、电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜常见的半导体二极管常见的半导体二极管 模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜半导体二极管的型号半导体二极管的型号国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：代表器件的类型，代表器件的类型，P P为普通管，为普通管，Z Z为整流管，为整流管，K K为开关管。为开关管。2AP9用数字代表同类器件的不同规格。用数字代表同类器件的不同规格。代表器件的材料，代表器件的材料，A为为N型型Ge，B为为P型型Ge，C为为N型型Si，D为为P型型Si。2代表二极管，代表二极管，3代表三极管。代表三极管。

24、模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜1.正向特性正向特性实验曲线实验曲线硅：硅：0.5 V锗：锗：0.1 V导通压降导通压降反向饱和电流反向饱和电流开启开启电压电压击穿电压击穿电压UBR锗锗uEiVmA2.反向特性反向特性uEiVuA硅：硅：0.7 V锗：锗：0.3V二、二极管的伏安（二极管的伏安（VI）特性）特性 模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜vD1.正向特性正向特性实验曲线实验曲线硅：硅：0.5 V锗：锗：0.1 V导通压降导通压降开启开启电压电压硅：硅：0.7 V锗：锗：0.3V当当0vDVth时，正向时，正向电流为零，电流为零，Vth称

25、为死称为死区电压或开启电压。区电压或开启电压。当当vD 0即处于正向特性区即处于正向特性区域。正向区又分为两段域。正向区又分为两段：当当vD Vth时，开始出时，开始出现正向电流，并按指现正向电流，并按指数规律增长。数规律增长。模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜实验曲线实验曲线2.反向特性反向特性硅：硅：0.5 V锗：锗：0.1 V导通压降导通压降开启开启电压电压硅：硅：0.7 V锗：锗：0.3VvD 当当vD0时，即处于反向特性时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域：区域。反向区也分两个区域：当当VBRvD0时，反向电流时，反向电流(少数载流子的漂移少数载流子的漂

26、移)很小，很小，且基本不随反向电压的变化且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也而变化，此时的反向电流也称称反向饱和电流反向饱和电流I IS S 。当当vDVBR时，反向电流急剧时，反向电流急剧增加，增加，VBR称为称为反向击穿电反向击穿电压压。一般地：一般地：IS（硅）（硅）管压降）管压降）模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜3.折线模型（恒压降模型的修正）折线模型（恒压降模型的修正）折线模型折线模型特点：特点：管压降不恒定，随管压降不恒定，随iD的增加而增加，模型用一个电池和的增加而增加，模型用一个电池和一个电阻来近似。电池的电压选定为二极管的门坎电压一个电阻

27、来近似。电池的电压选定为二极管的门坎电压Vth，约为约为0.5V。至于。至于rD的值，可以这样来确定，即当二极管的导通的值，可以这样来确定，即当二极管的导通电流为电流为1mA时，管压降为时，管压降为0.7V，于是，于是rD的值可计算如下：的值可计算如下：模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜4.小信号模型（指数模型）小信号模型（指数模型）二极管的二极管的V-I 特性表达式特性表达式:取取iD对对vD的微分，可得微变电导的微分，可得微变电导(当当T=300K时时)二极管外加正向电压时，将有一直二极管外加正向电压时，将有一直流电流，曲线上反映该电压和电流的点流电流，曲线上反映该

28、电压和电流的点称为称为Q点（点（静态工作点静态工作点），若在），若在Q点的点的基础上外加微小的变化量，则可以用以基础上外加微小的变化量，则可以用以Q点为切点的直线来近似微小变化的曲点为切点的直线来近似微小变化的曲线，即将二极管等效为一个动态电阻线，即将二极管等效为一个动态电阻rd（称二极管微变等效电路）。（称二极管微变等效电路）。模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜二、模型分析法应用举例二、模型分析法应用举例理想模型：恒压降模型：例：电路如图所示，例：电路如图所示，R10K，当当VDD=10V和和1V时，分别求电时，分别求电路的路的ID和和VD值。分别用理想模型、恒压降模

29、型和折线模型。值。分别用理想模型、恒压降模型和折线模型。解：解：VDD=10V.二极管静态工作点分析二极管静态工作点分析 模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜折线模型:VDD=1V理想模型：恒压降模型：折线模型:结论：结论：电源电压电源电压管压降时，恒压降模型能得出较合理的管压降时，恒压降模型能得出较合理的 结果；电源电压较小时，折线模型较为合理。结果；电源电压较小时，折线模型较为合理。模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜例：图示二极管限幅电路，例：图示二极管限幅电路，R1k，VREF=2V，输入信号为，输入信号为vI。(1)若若 vI为为4V的直流

30、信号，分别采用理想模型、恒压降模型的直流信号，分别采用理想模型、恒压降模型 计算电流计算电流I和输出电压和输出电压vo解：理想模型解：理想模型恒压降模型恒压降模型2.2.限幅电路限幅电路mA2k12VV4REFI=-=-RVvI=V2REFo=VvmA31k1V702VV4DREFI.RVVvI=-=-=2.7V0.7VV2DREFo=+=+=VVv 模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜（2）如果）如果vI为幅度为幅度4V的交流三角波，波形如图（的交流三角波，波形如图（b）所示，分别采用理想）所示，分别采用理想二极管模型和恒压降模型分析电路并画出相应的输出电压波形。二极管

31、模型和恒压降模型分析电路并画出相应的输出电压波形。解：解：理想模型理想模型（波形如图所示）（波形如图所示）0-4V4Vvit2V2VvotvIVREF时，二极管正偏导通，相时，二极管正偏导通，相当于短路，当于短路，vo VREF。模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜02.7Vvot0-4V4Vvit2.7V恒压降模型恒压降模型（波形如图所示）。（波形如图所示）。vIVREF+Von时，二极管正偏时，二极管正偏导通，相当于短路，导通，相当于短路，vo=VREF+Von。模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜3.3.开关电路：（二极管导通：开；截止：关）开

32、关电路：（二极管导通：开；截止：关）判断二极管导通还是截止的原则：先将二极管断开，判断二极管导通还是截止的原则：先将二极管断开，然后观察或计算二极管正、负两极间是正向电压还是反向然后观察或计算二极管正、负两极间是正向电压还是反向电压，若正向则导通，否则截止。电压，若正向则导通，否则截止。例：图示开关电路，当例：图示开关电路，当vI1和和vI2为为0V0V或或5V5V时，求时，求vI1和和vI2的值的值 不同组合情况下，输出电压不同组合情况下，输出电压vO的值，设二极管是理想的。的值，设二极管是理想的。5V止止止止5V5V0V通通止止0V5V0V止止通通5V0V0V通通通通0V0VvOD2D1v

33、I2vI1 模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜4 4整流电路整流电路当当vi为一正弦信号时，画出输出波形：为一正弦信号时，画出输出波形：解：解：vi0时，时，D2、D4导通，导通，D1、D3截止；截止；vi0时，时，D1、D3导通，导通，D2、D4截止；截止；5 5低电压稳压电路整流电路低电压稳压电路整流电路6 6小信号工作情况分析小信号工作情况分析 模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜2.5 2.5 特殊极管特殊极管稳压二极管是工作在反向击穿区的一种特殊二极管稳压二极管是工作在反向击穿区的一种特殊二极管(伏安特性如图伏安特性如图)。当稳压二极管工

34、作在反向击穿状当稳压二极管工作在反向击穿状态下，工作电流态下，工作电流IZ在在Izmax和和Izmin之间之间变化时，其两端电压近似为常数。变化时，其两端电压近似为常数。由于稳压二极管工作在反向击穿由于稳压二极管工作在反向击穿区，故二极管一般反向接入电路。区，故二极管一般反向接入电路。当反偏电压当反偏电压VZ时；时；反向击穿。二极管两反向击穿。二极管两端恒定为端恒定为VZ正向同二正向同二极管极管稳定电压稳定电压一、一、齐纳二极管齐纳二极管(稳压二极管稳压二极管)+VZ_ 模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜稳压二极管的主要参数稳压二极管的主要参数1.稳定电压稳定电压 VZ

35、 流过规定电流时稳压管两端的反向电压值。流过规定电流时稳压管两端的反向电压值。2.稳定电流稳定电流 IZ 越大稳压效果越好，小于越大稳压效果越好，小于 Izmin 时不稳压。时不稳压。3.最大耗散功率最大耗散功率 PZM；最大工作电流最大工作电流 IZM（Izmax）P ZM=VZ IZM4.动态电阻动态电阻 rZ_稳压区，端电压变化量与其电流量变化比。稳压区，端电压变化量与其电流量变化比。rZ=VZ/IZ （几（几 几十几十 ）越小稳压效果越好。）越小稳压效果越好。5.电压温度系数电压温度系数 稳压值受温度变化影响的的系数。稳压值受温度变化影响的的系数。模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲

36、：刘童娜主讲：刘童娜稳压二极管的应用举例稳压管的技术参数稳压管的技术参数:负载电阻负载电阻RL600，VI=15V求限流求限流电阻电阻R取值范围。取值范围。稳压原理：稳压原理：VIVZVoVoVRIRIZ当输入电压变化时当输入电压变化时+Vo-IZDZRILIR+VI-RL 模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜稳压二极管的应用举例稳压管的技术参数稳压管的技术参数:负载电阻负载电阻RL600，VI=15V求限流求限流电阻电阻R取值范围。取值范围。解：由电路可得解：由电路可得k6.015/)615(/)(minImax=-=-=mAVIVVRRZk3.030/)615(/)(

37、maxmin=-=-=mAVIVVIRRZmARVILLZ10600/6/=+Vo-IZDZRILIR+VI-RL 模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜二、二、变容二极管变容二极管 二极管的结电容的大小除了与本身的结构尺寸和工艺有二极管的结电容的大小除了与本身的结构尺寸和工艺有关外关外,还与外加电压有关还与外加电压有关.结电容随反向电压的增加而减少结电容随反向电压的增加而减少,这种效应显著的二极管称为变容二极管这种效应显著的二极管称为变容二极管三、三、肖特基二极管肖特基二极管 肖特基二极管的电容效应小肖特基二极管的电容效应小,工作速度快工作速度快,适合高频或适合高频或开关

38、状态使用开关状态使用 肖特基二极管的正向导通门坎电压和正向压降都比肖特基二极管的正向导通门坎电压和正向压降都比PNPN结二极管低结二极管低.模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜四四 光电子器件光电子器件1.发光二极管发光二极管 LED有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。它的电特性与一般二极管类似。应用：半导体光源。应用：半导体光源。2.光电二极管光电二极管反向电流随光照强度的增加而上升。反向电流随光照强度的增加而上升。应用：光电检测。应用：光电检测。符号符号符号符号 模拟电子半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜主讲：刘童娜作作 业业3.4.5 a c3.4.6 a b