机电专业期末试题(共5页).docx

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1、精选优质文档-倾情为你奉上姓名班级座位号机电专业期末试题座位号命题人： 考试时间：分钟 考试分值：分一：填空题（共20分）1、当半导体三极管的 正向偏置， 反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即 极电流能控制 极电流。2、根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为 ， ， 三种。3、三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。4、三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压VCE一定时，与之间的关系。6、共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。二：选择题（共30分）1、(2-1，中)下列数据中，对NPN型三极管属于放大状态的是 。A、VBE0,VBEVCE时

2、B、VBE0，VBE0，VBEVCE时 D、VBEVCE时2、(2-1，中)工作在放大区域的某三极管，当IB从20A增大到40A时，IC从1mA变为2mA则它的值约为 。A、10 B、50 C、80 D、1003、(2-1，低)NPN型和PNP型晶体管的区别是 。A、由两种不同的材料硅和锗制成的 B、掺入的杂质元素不同C、P区和N区的位置不同 D、管脚排列方式不同4、(2-1，难)三极管各极对公共端电位如图所示，则处于放大状态的硅三极管是A、 B、 C、 D、5、(2-1，低)当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电流将A、增大 B、减少 C、反向 D、几乎为零6、(2-1

3、，低)为了使三极管可靠地截止，电路必须满足A、发射结正偏，集电结反偏 B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结和集电结都正偏 D、发射结和集电结都反偏7、(2-1，中)检查放大电路中的晶体管在静态的工作状态（工作区），最简便的方法是测量A、IBQ B、UBE C、ICQ D、UCEQ8、(2-1，中)对放大电路中的三极管进行测量，各极对地电压分别为UB=2.7V，UE=2V，UC=6V，则该管工作在 。A、放大区 B、饱和区 C、截止区 D、无法确定9、(2-1，低)某单管共射放大电路在处于放大状态时，三个电极A、B、C对地的电位分别是UA=2.3V，UB=3V，UC=0V，则此三极管一定是A、P

4、NP硅管 B、NPN硅管 C、PNP锗管 D、NPN锗管10、(2-1，难)电路如图所示，该管工作在 。A、放大区 B、饱和区 C、截止区 D、无法确定3 判断题：(共20分）1、(2-1，低)若UeUbUc,则电路处于放大状态，该三极管必为NPN管。（ ）2、(2-1，低)可利用三极管的一个PN结代替同材料的二极管。（ ）3、(2-1，中)晶体三极管的穿透电流ICEO随温度的升高而下降。（ ）4、(2-1，低)发射结处于正向偏置的晶体三极管，其一定是工作在放大状态。（ ）5、(2-1，中)晶体三极管为电压控制型器件。（ ）6、(2-1，难)用万用表测得三极管的任意二极间的电阻均很小，说明该管

5、的二个PN结均开路。（ ）7、(2-1，低)在基本放大电路中，如果静态工作点过低，一出现饱和失真。（ ）8、(2-1，难)正弦信号经共射放大器放大后出现上半周失真，表明偏置电阻RB的阻值太大。（ ）9、(2-1，中)当集电极电流IC值大于集电极最大允许电流ICM时，晶体三极管一定损坏。（ ）10、(2-1，中)在基本共发射极放大电路中，当UCC增大时，若电路其他参数不变，则电压放大倍数应增大。（ ）四计算题（共30分）1、(2-1，难)在如图所示电路中， 已知VCC12V，晶体管的b100，100k。填空：要求先填文字表达式后填得数。（1）当0V时，测得UBEQ0.7V，若要基极电流IBQ20A， 则和RW之和Rb k；而若测得UCEQ6V，则Rc k。（2）若测得输入电压有效值=5mV时，输出电压有效值0.6V， 则电压放大倍数 。若负载电阻RL值与RC相等 ，则带上负载后输出电压有效值 V。2、(2-1，中)已知如下图所示电路中，三极管均为硅管（UBEQ=0.7V），且=50，试估算静态值IB、IC、UCE。3、(2-1，难)晶体管放大电路如下图所示，已知UCC = 15 V，RB =500 k，RC = 5k，RL =5k，=50。（1）求静态工作点；（2）画出微变等效电路；（3）求放大倍数、输入电阻、输出电阻。专心-专注-专业