专用集成电路设计.pptx
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_05.gif)
《专用集成电路设计.pptx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《专用集成电路设计.pptx(27页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、2023/4/301CMOS与非门;CMOS或非门;CMOS与或非门;CMOS异或门;CMOS同或门;CMOS数据选择器;CMOS三态门和钟控CMOS逻辑电路;CMOS全加器第1页/共27页2023/4/3024.3 全互补CMOS集成门电路 CMOS采用正逻辑,由采用正逻辑,由NMOS管管组成的逻辑块电路和组成的逻辑块电路和由由PMOS管组成的逻辑块电路分别代替(反相器中管组成的逻辑块电路分别代替(反相器中)单个单个NMOS管和单个管和单个PMOS管。管。对于对于NMOS逻辑遵循逻辑遵循“与串或并与串或并”的规律;对于的规律;对于PMOS管逻辑块,则遵循管逻辑块,则遵循“或串与并或串与并”的
2、规律。在这种的规律。在这种全互补集成电路中,全互补集成电路中,P管数目和管数目和N管数目是相等的管数目是相等的。管子个数=输入变量数2第2页/共27页2023/4/3034.3.1 CMOS与非门设计 F=AB 1.电路 CMOS与 非 门 电 路 如 图 4-21所 示,其 中NMOS管串联,PMOS管并联,A、B为输入变量,F为输出。图 421 CMOS与非门NMOS“与串或并”PMOS“或串与并”第3页/共27页2023/4/3042.逻辑功能与非门所用管子数:M=输入变量数2第4页/共27页2023/4/3053.与非门的RC模型及tr、tf计算图 4-22 (a)、与非门的RC模型(
3、b)、输出信号上升和下降时间与非门输出信号:下降时间:tf=2.2(RN1+RN2)CL2.22RN1CL 上升时间:tr=2.2RP1CL/2=2.2RP2CL/2(一般情况)tr=2.2RP1CL=2.2RP2CL(最坏情况)第5页/共27页2023/4/306 (1)、如果要求下降时间与标准反相器相同,则要求RN1减小一倍,那么与非门的NMOS管的宽长比(W/L)N比标准反相器的NMOS管的宽长比(W/L)ON要大一倍,即那么与非门NMOS管宽度W要比标准反相器的NMOS管大一倍。由此可见:(2)、如果要求上升时间tr与下降时间tr一样,则2RN1=RP1,根据 ,有即PMOS管的尺寸比
4、NMOS管稍大一点。第6页/共27页2023/4/3074.与非门的版图设计第7页/共27页2023/4/308 图中一个NMOS的衬底不接地,所以该管的UBS0,存在体效应,该管的阈值电压将比UBS=0 的NMOS管阈值电压要大,约为:5.与非门中的体效应第8页/共27页2023/4/309 CMOS或非门电路如图所示,NMOS管 并 联,PMOS管串联。1.电路2.逻辑功能4.3.2 CMOS或非门设计 F=A+B第9页/共27页2023/4/3010或非门的RC模型如图所示,由图可得,该电路的延时:(双管导通)(单管导通,最坏情况)3.RC模型及tr、tf tr=2.2(RP1+RP2)
5、CL=2.22RP1CL上升时间:下降时间:第10页/共27页2023/4/30114.或非门的版图设计若要求驱动能力与标准反相器相同,则 2RP1=RN1根据 ,则:N管并联,P管串联,且P管的(W/L)P比N管的(W/L)N要大得多。第11页/共27页2023/4/3012 CMOS与或非门要实现的逻辑函数为:F=A+CD 1.电路 (1)、NMOS逻辑块电路的设计。根据NMOS逻辑块“与串或并”的规律构成N逻辑块电路,如图 4-26所示。4.3.3 CMOS与或非门和或与非门设计 图 4-26 NMOS逻辑块电路 第12页/共27页2023/4/3013(2)、PMOS逻辑块电路的设计
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 专用 集成电路设计
![提示](https://www.taowenge.com/images/bang_tan.gif)
限制150内