模拟电子技术基础期末试题含答案.pdf
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1、填空题1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为3 V,导通后在较大电流下的正向压降约为_Q D V;错二极管的门槛电压约为0.1 V,导通后在较大电流下的正向压降约为_ Q 2 _ V。2、二极管的正向电阻 小:反 向 电 阻 大。3、二极笞的最主要特性是单向导电性。PN结外加正向电压时,扩 散 电 流 大 于 漂移电流,耗尽层变 窄。4、二极管最主要的电特性是 单向导电性,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电 阻。5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号F工作的电子电路及其技术,称 为 模拟 电子技术
2、。6、P N结反向偏置时,P N结的内电场 增强。P N具有 具有单向导电 特性。7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典.型值为 0.7 伏;其门坎电压V,h约为 0.5 伏8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多 数 载 流 子 的 扩 散 运动形成。9、P型半导体的多子为空 穴、N型半导体的多子为白由电子、本征半导体的载流子为电子一空穴 对。1 0、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为 空 穴(P)半导体和 电 子(N)半导体两大类。1 1、二极管的最上要特性是单 向 导 电 性,它的两个主:要参数是反映正向特性的城大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压-1 2、在常温下
3、,硅二极管的开启电压约为0.5 V,导通后在较大电流下的正向压降约为上工了。1 3、频率响应是指在输入正弦信号的情况下,输I 随频率连续变化的稳态响应。1 5、N型半导体中的多数载流子是电 ,少数载流子是空 穴。1 6、按一个周期内一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分为甲 类、乙 类、甲 乙 类 三种基本类型。1 7、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是 耦合和旁路 电容,影响高频信号放大的是结_ 电容。1 8、在N P N三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的B增加,则1的 增大,I c q 增大,U 12 n兀,n为 整 数、为使电路起振,幅 值 条
4、 件 是 8 5、正弦波振荡电路必须由放 入 电 路、反 馈 网 络、选 频 网 络、稳 幅 环 节 四部分组成。18 6、R C正弦波振荡电路达到稳定平衡状态时有:4=3、大=_3 一、=佃=_ 也 一8 7、正 弦 波 自 激 振 荡 电 路 振 荡 的 平 衡 条 件 是 _、尸。”/n为 整 数。8 8、正弦波振荡电路起振的条件是卜耳1和 A+F =2 n为整数。8 9、有用信号频率高于1 000H z,可选用 高通 滤波器。文氏电桥振荡胎中的放大电路电压放大倍数 A,e 3,才能满足起振条件。9 0、为了稳定电路的输出信号,出 路 应 采 用 交 流 负 反馈。为了产生一个正弦波信号
5、,电路应采用 正 反馈。9 1、克流电源是将电网电压的交 流 电 转 换 成 育.流 电 的能量:转换电路。9 2、三端集成稳压器7 8 05输 出 电 压+5 V,7 9 1 5输出 电 压-1 5 V。9 3、直流电源一般由下列四部分组成,他们分别为:电源变压器、滤波电路、稳压 电路和 1渔_ _ _ _ _ _ _ 电路。稳压集成电路W 7 8 1 0输出电压+1 0 V。94、将交流电变换成脉动直流电的电路称为整流电路;半波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流 电 压(即变压器副边电压)有效值的 0.4 5 倍;全波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压(即变压器副边电压
6、)有效值的 0.9 倍。95、三端集成稳压器7 91 5的输出电压为 T 5 伏。96、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是输出取样电压。97、开关型育流电源比线性直流电源效率高的原因是调整管的的状态不同。98、小功率稳压电源一般由电 源 变 压 器、整 流 电 路、滤 波 器、稳 压 电 路 等四部分构成。99、幅 度 失 真 和相 位 失 真 总称为频率失真。1 0 0、串联反馈式稳压电路由调 整 管、比 较 放 大、枯 准 电 压、取 样 环 节 四部分组成。单项选择题1、半导体二极管加正向电压时,有()A、电流大电阻小 B、电流大电阻大C、电流小电阻小 D、电流小电阻大2、P N
7、结正向偏置时,其内电场被()A、削弱 B、增强 C、不变 D、不确定3,半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于()B、反向偏置未击穿状态D、正向偏置未导通状态)构成P 型半导体。A、反向偏置击穿状态C、正向偏置导通状态4,在本征半导体中掺入(A、3 价元素 B、4 价元素5、P N 结 V 一:特性的表达示为(A、1)*1C、5 价元素 D、6 价元素)B 0=/s(eT)%J pVDIVTD、-e6、多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比,其通频带(A、变宽B、变窄C、不变D、与各单级放大电路无关7、某放大电路在负载开路时的输出电压为4 V,接入 1 2k Q 的负载电阻后,输出电压降为
8、3V,这说明放大)电路的输出电阻为()A、1 0 k QB、2k QC、4 k QD、3k f i8、三极管工作于放大状态的条件是()A、发射结正偏,集电结反偏B、发射结正偏,集电结正偏C、发射结反偏,集电结正偏D、发射结反偏,集电结反偏9、三极管电流源电路的特点是()A、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻小B、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻大C、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻小D、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻大1 0、画三极管放大电路的小信号等效电路时,直 流 电 压 源 应 当()A、短路 B、开路 C、保留不变 D、电流源1 1、带射极电阻R
9、.的共射放大电路,在并联交流旁路电容C.后,其电压放大倍数将()A、减小 B、增大 C、不变 D、变为零1 2、有两个放大倍数相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和 B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下,测得A 放大器的输出电压小,这说明A的()A,输入电阻大 B、输入电阻小 C、输出电阻大 D、输出电阻小1 3、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合,可以在信号源与低阻负载间接入()A、共射电路 B、共基电路 C、共集电路 D,共集-共基串联电路1 4、某 N P N 型三极管的输出特性曲线如图1 所示,当V e=6 V,其电流放大系数8为()A、=1 0 0B
10、、=50C、夕=1 50D、方=251 5、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2 V,(见图2 所示)则此三极管为()图2A、P N P 型褚三极管C、P N P 型硅三极管B,N P N 型铭三极管D、N P N 型硅三极管1 6、多级放大电路的级数越多,则 其(A、放大倍数越大,而通频带越窄C、放大倍数越小,而通频带越宽)B、放大倍数越大,而通频带越宽D、放大倍数越小,而通频带越窄1 7、当放大电路的电压增益为-2 0 d B 时,说明它的电压放大倍数为()A、2 0 倍 B、-2 0 倍 C、-1 0 倍 D、0.1 倍1 8、当用外加电压法测试放大器的输出电阻时,耍
11、 求()A、独立信号源短路,负载开路 B、独立信号源短路,负载短路C、独立信号源开路,负载开路 I)、独立信号源开路,负载短路1 9、场效应管放大电路的输入电阻,主要由()决定A,管子类型 B、g.2 0、场效应管的工作原理是()A、输入电流控制输出电流C、输入电压控制输出电压2 1、场效应管属于()A、单极性电压控制型器件C、单极性电流控制型器件C、偏置电路 D、V(SB,输入电流控制输出电压D、输入电压控制输出电流B、双极性电压控制型器件D、双极性电压控制型器件2 2、如图3 所示电路为()A、甲类O C L 功率放大电路B,乙类O C L 功率放大电路C、甲乙类O C L 功率放大电路D
12、、甲乙类O TL 功率放大电路2 3、与甲类功率放大方式比较,乙类O C L 互补对称功放的主要优点是()A、不用输出变压器 B、不用输出端大电容 C、效率高 D、无交越失真2 4、与乙类功率放大方式比较,甲乙类O C L 互补对称功放的主要优点是()A、不用输出变压器 B、不用输出端大电容 C、效率高 D、无交越失真2 5、在甲乙类功放中,个电源的互补对称电路中每个管子工作电压C E与电路中所加电源,8 关系表示正确的是()A、%=B VCE=/%;c、VC E=2 VC C2 6、通用型集成运放适用于放大()A、高频信号 B、低频信号 C、任何频率信号D、以上都不正确D、中频信号2 7、集
13、成运算放大器构成的反相比例运算电路的个重要特点是()A、反相输入端为虚地B、输入电阻大C、电流并联负反馈D、电压串联负反馈2 8、下列对集成电路运算放大器描述正确的是()A、是一种低电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路B、是种高电压增益、低输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路C、是一种高电压增益、高输入电阻和高输出电阻的多级直接耦合放大电路【)、是种高电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路2 9、共模抑制比人.越大,表明电路()A、放大倍数越稳定 B、交流放大倍数越大C、抑制温漂能力越强 D、输入信号中的差模成分越大3 0、差动放大器由双端输入变为单端输
14、入,差模电压增益是()A、增加一倍 B、为双端输入时的一半 C、不变 D、不确定3 1、电流源的特点是直流等效电阻()A、大 B、小 C、恒定 D、不定3 2、串联负反馈放大电路环内的输入电阻是无反馈时输入电阻的()A、1+A F 倍 B、1/(1+A F)倍 C、1/F 倍 D、1/A F 倍3 3、为了使放大电路的输入电阻增大,输出电阻减小,应当采用()A、电压串联负反馈 B、电压并联负反馈C、电流串联负反馈 D、电流并联负反馈3 4、为了稳定放大电路的输出电流,并增大输入电阻,应当引入()A、电流串联负反馈 B、电流并联负反馈C、电压串联负反馈 D、电压并联负反馈A、电流并联负反馈B、电
15、流串联负反馈C、电压并联负反馈D、电压串联负反馈3 6、某仪表放大电路,要求生大,输出电流稳定,应 选()A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈3 7、某传感器产生的电压信号(几乎不能提供电流),经过放大后希望输出电压与信号成正比,此放大电路应 选()A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈3 8、某电路有用信号频率为2 k H z,可选用()A、低通滤波器 B、高通滤波器 C、带通滤波器 D、带阻滤波器3 9、文氏桥振荡器中的放大电路电压放大倍数()才能满足起振条件A、为 1/3 时 B、为 3 时 C、3 D、1/3
16、4 0、L C 正弦波振荡器电路的振荡频率为()C、/o =-7=)、fo=-2兀而 2兀L C4 1、正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的相位平衡条件是()A、2n n ,n 为整数 B、(2n+l)n ,n为整数 C、n n/2,n为整数 D、不确定4 2、R C 串并联正弦波振荡电路的振荡频率为()A、f =12兀 娓RCB、/=12成CD、/=1ATTJRC4 3、桥式整流电路若变压器二次电压为 2=10 V2s i n 6 9 rv 则每个整流管所承受的最大反向电压为()A、I0 V2 V B、2 0 V 2 V C、20 V D,V 2 y4 4、图 5为单相桥式整流滤波电路,u,为
17、正弦电压,其有效值为U,=20 V,f=5 0 Hz o 若实际测得其输出电压为 28.28 V,这是由于()的结果A、C开路B、C的容量过小C、C的容量过大D、R开路4 5、在单相桥式整流电路中,若有一只整流管接反,则()A、输 出 电 压 约 为 2 4B、输 出 电 压 约 为UD/2C、整流管将因电流过大而烧坏D、变为半波整流4 6 直流稳压电源中滤波电路的目的是()A、将交流变为直流B、将高频变为低频C、将交、直流混合量中的交流成分滤掉D、保护电源4 7、在单相桥式整流电容滤波电路中,设&为其输入电压,输出电压的平均值约为()A、止 0.4 5%B、C、年0.9%D、仍 1.4%单项
18、选择题答案1、A 2、A3、A 4、A5、A 6、B 7、C 8、A 9、B10、A 11、B 12、B 13、C14、B 15、D 16、A17、D 18、A19、C 20、D 21、A 22、C 23、C 24、D 25、B 26、B 27、A28、D29、C 30、C 31、B32、A33、A 34、A 35、A36、D37、A38、C 39、C4 0、C 4 1、A4 2、B 4 3、A 4 4、D 4 5、C 4 6、C 4 7、B计算题1、放大电路如图 1 所示,若 V cc=12V,Rr=5.IkQ,Rh=400 kQ,R=100 Q,3 2 k。,RL=5.1 kQ,0=50,
19、=3 0 0。(1)、求静态工作点;(2)、画出其h参数小信号等效电路;(3)、求 A,、R,和 R。图 12、放大电路如图2所示,(1)画出电路的小信号等效电路;(2)写出计算电压放大倍数AA八VI 0 八 V2匕 和 匕的表达式;(3)画出当Rc=R。时的两个输出V V V电 压 和 。2的波形(与正弦波匕相对应)。RbjnJL图23、如图 3所示,设 夕=1 0 0,L c=1 0 V,RbT=2 O 0 R b 2 =15kQ,。R e=R C =2kQ.试求:(1)Q 点;v v4 -0 L 4-也Ay1一 V2-(2)电压增益 V和 匕(3)输入电阻K ;(4)输出电阻凡1和 凡2
20、4、三极管放大电路如图4所示。已知:r m =30 0。,B=4 9,V=0.7VR g=30 m S 电容足够大,其它参数如图所示。求:(1)电路的静态工作点:(2)画出低频小信号等效模型;(3)中频电压增益、输入电阻、输出电阻。Vo6、电路如图6,已知尸=5 0,加,=200Q,v阪=o,7V,vV cc-1I9/VV,Rh=570KQ RC=4KQ R.=4KQU,V,L(1)、估算电路的静态工作点:la,IC Vm;(2)、计算交流参数A、,、R,、R 0值;(3)、如输出电压信号产生顶部失真,是截止失真还是饱和失真,应调整那个元件值,如何调?(4)、请简要说明环境温度变化对该电路静态
21、工作点的影响。图67、电 路 如 图7所 示,已 知 晶 体 管/?=5 0,在 下 列 情 况 下,用直流电压表测晶体管的集 电 极 电 位,应 分 别 为 多 少?设 匕c=1 2 V,晶 体 管 饱 和 管 压 降 及ES=0.5V。(1)、正 常 情 况;、R”短路;(3)、区开路;(4)、设开路;、艮短路。8、电路如图8 (a)所示,其中电容G、G的容量视为无限大。试回答下列问题:(1)写出直流负载线表达式,在图8 (b)上画出直流负载线,求出静态工作点(1“,I G:(2)画出放大电路的微变等效电路;(3)求出电压增益4 丫、输入电阻用及输出电阻尼。9,在图9 中,已知R w=3
22、0 0 K。,R“=2K C,R,2=20 0 K。,R.=2K Q,R,=2K Q ,1K=2.2m A,B 尸 B 2=6 0 o 求:(1)第一级的静态工作点;(2)放大器的输入电阻和输出电阻;(3)总的电压放大倍数。%+12,10、功率放大电路如图10所示,设输入v,为正弦波。(1 )、静态时,输出电容心 上的电压应调为多少伏?(2 )、Ri得到的最大不失真输出功率大约是多少?(3 )、直流电源供给的功率为多少?图10(4 )、该电路的效率是多少?11、功率放大电路如图11示。设三极管的饱和压降V的为IV,为了使负载电阻获得12W的功率。请问:(1)正负电源至少应为多少伏?(2)三极管
23、的卜,V恤由至少应为多少?12、电路如图12所示,JFET的g2mS,rK=20KOo(1)求双端输出时的差模电压增益 V i d 的值;求电路改为单端输出时,Aw、Av,和K,、K的值。13、在图 13 中:/?=1 K Q ,c=0.4 7 uF,E 1=1 K Q 问:(1)、由该集成运放组成的电路是什么电路?、计算后的值?(3)、计算输出电压的频率f的值?14、某集成运放的单元电路如图14 所示,设T,、T?的特性相同,且6足够大,I n J:(1)3和 1 组成什么电路?在电路中起什么作用?(2)写出工曲和b 的表达式,设V*=0.7 V,V 和 R 均为已知。图1415、反馈电路如
24、图15所 示(a)、(b)且满足深度负反馈的条件、判断其反馈类型并用近似估算法分别估算它们的电压放大倍数。图1516、电路如图16所示,A A”均为理想运放,电源电压为 1 5 V,问:、A.s A,、-分别组成何种基本应用电路。(2)、AN AA A,输入端那些是虚地、虚短、既不虚地也不虚短。、当V“=1V,3 0.5 V时,V,Vg各为几伏?计算九的函数式?17、在图 17 所示电路中,已知吊=/=R=100kQ,&=y?,=100k。,C=1 nF,(1)、判 断 图 中 的 反 馈 类 型。(2)、试 求 出 与 匕 的 运 算 关 系。(3)、设t=0时%=0,且由零跃变为-I V,
25、试 求 输 出 电 压 由 零 上 升 到+6 V所需要 的 时 间。18、理想运放构成的电路如图18所示,要求:(1)写出“与%、匕2之间的表达式;(2)若此=人=1 0k Q,R产 2k Q,M=40k Q,=/K=1 20k Q,求 户图题1 81 9、图 1 9所示电路,运放均为理想器件,求输出电压V&5。卬|、对V V。与 输 入 电 压 i 2的关系。匕,广图 120、图20(a)、(b)所示电路中,运放均为理想器件,&100K)-1 I-4 500 R八 X1100K)r-1-1-火 力 5 gao-H=2D-r z n-Rn 5凶R广(a)图20(b)21、电路如图21 所示,
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