ESD基础知识培训教材.pdf
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1、ESD基础知识培训教材Summary:Leonlx/a.SFI-MFG2第一章静电科学的基础知识静电:静电:静止未流动的电荷.能够长时间停留在某些物料上.静电放电:当两个带不同静电电位的物件相互接近到某程度或接触时,静电从一个物件突然流放到另一物件上的现象.静电荷的基本单位:库 伦 Coulomb(C).原子结构:Neils Bohr原子模式质子+ve chargeQty=n2原子核nl=n2 for electrically stable中子No chargeQty=n3电子-ve chargeQty=nl电荷的相互影响:这也是造成电子流动的基础!+同性相斥异性相吸库伦定律:在任何两个带电点
2、中存在作用力:力作用在两点的直接连线方向上力的大小和电荷量的乘积成正比力的大小和距离的平方成反比F=4ne1Q1Q2Y2+ve-veYFQIQ2电场:电场是由电荷间(或电荷和带电物件间)的作用力(包括方向和力度)所形成电场强度=F/q=()4TIE1QY2带电物件+FF+Q-q+q+电场和电力线:+正负电荷的作用关系隔离的正电荷隔离的负电荷电离:电子不能够被生产,它们一直存在原子中!原子核与电子因电场作用力而紧密连在一起原子添加/失去电子正离子和负离子正离子和自由电子通过:热/电磁场/光/摩擦/电子撞击等吸收能量.电子迁移:当两个物体被紧紧挤压接触时(<;4A=4xl0-10m),在结合处
3、将出现电子迁移现象,产生数mV的电压差.0+ve Ion ve IonLose electronGain electron材料A材 料B静 电 的“产生”:静电的产生有四个途径:接触分离(最常见的 摩擦)电感效应电容效应压电效应电容效应只增加静电破坏的风险程度,并没有改变电荷量!而接触分离、电感效应和压电效应会改变电荷量。静 电 的“产生”:静电的主要来源:接 触+摩擦或压力+分离“摩擦”生电H-1 H-1+Contact+Friction+SeparationContact+Pressure+Separation?+摩擦和接触生电:静电不是由摩擦产生的!摩擦过程增加接触面,接触产生静电(接触
4、面越大,其产生的静电越大).许多物料的表面都不够平整或具备足够的柔性,来达到接触/分离所需要产生静电的程度.片状物和粘带具备良好的接触条件,所以较容易产生静电.除了增加接触面,也可以增加分离速度.摩擦过程所产生的热能增加电荷的迁移程度.不同的摩擦试验得出不同的Triboelectric series结论.“接触生电”较“摩擦生电”的观念要正确!静电量:决定静电量的主要因素:材料(包括材料的相对性)接触面积和表面粗糙情况(表面越光滑,静电越大)接触力分离速度环境湿度(湿度大时产生的静电是相同的,只是在瞬间将产生的静电分离到空气中).在干燥和快速移动活动中使用不当的材料容易产生高静电和增加静电破坏
5、风险!静电序列表:玻璃尼龙(Nylon)铅铝纸聚氨脂锲、铜、银硬橡胶聚 酯(Polyester)聚 丙 烯(Acrylic)聚 氯 乙 烯(PVC)聚四氟乙烯(Teflon)硅橡胶注:表中距离越远者产生的电量越大。带 正 电+带负电-静电序列表:工业界中出现有一定差别的列表。由于许多难以控制的因素,其中有些还未被足够认识到,因此静电序列表并无法十分精确。这些因素包括如表面粗糙度、接触力、电荷回流等。序列表只能够做大略依据使用,不应该用作硬标准。湿度的考虑:空气中的水气增加空气的导电性,因此减少静电的积累。相对湿度越高越好(60%)高湿度对于一些考虑(如腐蚀、污染等)不利折中湿度要求40%60%
6、低 于30%的湿度对于Class l(100V)防御要求十分困难干燥并带杂质的空气,在高速流动下(如清洗工艺)也容易产生静电。SFI环境要求:55 10%典型的静电量:一切活动都可能产生静电!即使在高达90%湿度下,大量的静电还是可能产生!7.5KV15 KV35 KV走过毛地毯1.2KV3KV20KV从工作台上拾取塑料胶袋400V800V6KV工作台上的一般移动7KV20KV26KV拆 除PCBA的非防静电气泡包装55%40%10%相对湿度Relative humidity合适的湿度:湿度不应该作为主要的ESD控制手段!只能作为后备的“安全网”!湿度的作用类似离子风机,但效率较低。而且湿度控
7、制的成本也相当客观。导体与绝缘体:在导体材料中,其原子的外围电子很容易成为自由电子。摩擦模式不可能制造出足够的能量来产生静电,产生的静电很快扩散和重新中和。导体与绝缘体:Insulator(绝缘体)+Conductor(导体)Neutralize(中和)Distribute(分散)Transfer(转移)Discharge(放 电)+4-+4-+电感效应:绝缘体不能够被电感生电!+电容效应:C=EO*V*A/ddlOOOvolts!lOvoltse o=8.85 x 10-12 F/me Y=材料的相对介电常数A=材料的对正面积V=Q/CdV静电压并非固定值!不改变电荷量ESD风险:Rabbi
8、t fur(兔毛)Glass(玻璃)Mica(云母)Human hair(人类毛发)Nylon(尼龙)Wool(羊毛)Fur(毛皮)Lead(石墨)Silk(丝绸)Aluminum(铝)Paper(纸张)Cotton(棉花)Steel(钢材)Wood(木材)Sealing wax(封蜡/火漆)Nickel,copper,brass,silver(银/铜/黄铜/银)Polyester(聚酯)Silicon(硅)Teflon(聚四氟乙烯)表中是电子制造业常用的材料.More PositiveMore Negative+静电是否有危害?电荷如果保持在“静止”状态下是安全的!而ESD则可能有巨大的破坏
9、性!闪电现象:+十+云内部的流动造成电子的脱离强大的电场使附近的空气离子化,异性相吸。离子流动组成导电通道,快速放电形成。静电放电:带静电物体或人体接近ESDS静电场造成空气离子化电离的空气导电放电+十+十+放电速度:决定静电放电速度的主要因素:放电途径的导电性放电环境的相对湿度材料的表面湿度静电荷的自然中和速度第二章静电对电子产品的破坏静电在电子业中的破坏:ESD有巨大的能量和破坏性.即使是相当小的静电放电也可能损坏电子器件!半导体是最容易受到静电破坏的器件常见的破坏有:氧化层(Oxide)击穿界面过热烧损金属熔化以上的混合模式ESD对电子业造成的损失:损失是巨大的!EO S:电系数过荷;E
10、SD:静电消散缺乏管制意识的主要原因:1.人体能感觉出静电存在的水平为2000 4000 volts,但敏感器件只需<100 volts便能被损坏(大部分地区<1000 volts)2.大部分的静电破坏是潜在的,并不能够被马上识别出3.静电破坏现象有较差的重复性,并且不容易模拟4.找出静电破坏的证据和根源一般相当不容易,并且成本可能很高(ESD破坏常被误判为EOS损坏)5.缺乏培训和对问题的重视静电和人体感觉:和电子器件相比之下,我们敏感性极差感觉到:>2000 4000 colts听到:>4000 5000 volts见到:>5000 volts而<100
11、 volts的静电放电就足以损坏某些电子器件!以电荷量来看人体可以感觉到:300nC的放电很敏感的器件的危险水平:O.lnC的放电多数敏感器件的危险水平:数十n C的放电ESD敏感度的分档:分档的目的:不同的敏感度需要不同的控制做法太多的管制增加成本以及操作困难我们必须在成本、可操作性和效率之间取得平衡所以知道器件的敏感度是重要的!ESD敏感度的分档:MIL-STD-1686C美国军用标准-100V101V-200V201V-400V40IV-800V>800VClass ClClass C2Class C3Class C4Class C5CDM100V101V 200V201V 400
12、V401V 800V>800VClass MlClass M2Class M3Class M4Class M5MM1999V2000V 3999V4000V15999VClass IClass IIClass IIIHBMVoltage RangeESD ClassESD modelESD敏感度的分档:较常用的ESDA标准2000 to<4000VClass 24000 to<8000VClass 3A500 to<1000VClass IB1000 to<2000VClass IC>=8000VClass 3B250 to<500VClass 1A&
13、lt;250VClass 0Voltage RangeClassTable 1:ESDS component sensitivity classification-Human Body Model(per ESDSTM5.1-1998).ESD敏感度的分档:MM&CDM 一般较HBM为低供应商一般提供HBM指标!MM Classification200 Volts to<400 VoltsClass M3>Or=400 VoltsClass M4100 Volts to<200 VoltsClass M2<100 VoltsClass MlVoltage Ran
14、geClass500 Volts to<1000 VoltsClass C41000 Volts to<1500 VoltsClass C51500 Volts to<2000 VoltsClass C6250 Volts to<500 VoltsClass C3>Or=2000 VoltsClass C7125 Volts to<250 VoltsClass C2<125 VoltsClass ClVoltage RangeClassCDM ClassificationESD敏感度的分档:HBM模式在业界中是最常用的,不过器件还可能在其他如M M 或
15、 CDM模式下被破坏,甚至更容易遭受破坏。所以了解你生产的产品设计初衷和对应的测量模式、以及供应商的测量模式是最关键的。模式化对比较和沟通工作十分重要即使在相同的模式中,测量结果还可能有定的差异会出现ESD破坏:有三种途径可以对ESDS器件造成破坏:对 ESDS器件直接放电从 ESDS器件对外放电间接对ESDS器 件 放 电(EM I感应破坏)ESD破坏种类:严重损坏:完全失去功能(如金属熔化或短路等)。局部损坏:部分功能退化。潜在损坏:部分功能退化,使用中继续退化,直到完全失效。暂时失效:数据电路中的功能受到干扰或Data遗失。看个别使用情况而定,局部损坏可能进一步变成潜在损坏ESD破坏种类
16、比例(电子业界预计):大家在工作中应该关注潜在损坏的情况!潜在损坏的特性:潜在损坏的破坏力强大占所有损坏的主要成分无法及时发现发现和证明都有一定难度很难和成因挂钩维修和处理成本较高较难推动成因改正工作通过良好的掌握ESD知识来降低其破坏性!ESD破坏模式:三种常见的破坏模式:对器件放电人体模式 Human Body Model(HBM)机器模式 Machine Model(MM)从器件放电带电器件模式 Charged Device Model(CDM)不同的模式需要不同的对策!人体放电模式(HBM):模式电路模拟带电人体对器件放电的情况70和80年代的主要破坏模式,在今天仍有重要地位随着人体接
17、地应用、器件保护设计、以及自动化的普及,相对重要性在衰减中在维护保养作业中容易被忽略(尤其是在Field service方面)人体放电模式(HBM):典型参数数据:Cp=50250pF80%人体容值小于100pFRp=l-5KQCpRRpCurrentTime(nsec)典型 rise time:10 nsec典型 decay time:50 300 nsec人体放电模式(HBM)测试电路:High Voltage Pulse GeneratorDUT faucetShort500QSIS2CllOOpFRI15000hmR2Terminal ATerminal BHBM discharge
18、via shorting wireHBM discharge via 500Q load100 Nanoseconds per division5 Nanoseconds per division机器放电模式(MM):MM discharge via shorting wireHBM discharge via 500Q load20 Nanoseconds per division20 Nanoseconds per divisionHigh Voltage SupplyDevice Under Test200 Picofarads0.5叶R1QR可理解为最恶劣的HBM情况使用于低输出阻抗情
19、况由日本开创制定较好的模拟使用机器的生产情况M M 测试电路模式带电器件模式(CDM):模拟器件在加工过程中被机器/工具充电,而随后通过接地放电情况由于充电和放电过程中的电阻一般都很小,CDM模式的破坏力也般很强大自动化经常是造成CDM 破坏的主因电感效应也常是造成CDM破坏的成因CDM可能出现双重放电情况,而增加器件受损坏的风险。带电器件模式(CDM):CDM discharge modelCDM test modelDevice dependentTest probe dependentHigh Voltage SourceR>10MQMohm Current Measurement
20、 ResistorDischarge典型 rise/fall time:10AmpCDM模式中的双重放电:+1.电感生电2.第一次放电3.器件被“充电”4.二次放电电场感应模式(FIM):少数半导体供应商使用无接触式测试,用以测试器件对电感破坏的敏感性尚未成为被广泛接受的标准能成为CDM模式的良好互补技术(CDM主要焦点在于放电)有些CDM测试包含此类测试,但未以FIM命名,有些则命名为“FCDM”Field Induction Model电场感应模式(FIM)测试方法:HighVoltageSupplyDischarge electrode(放电电极)Gas discharge(空气放电)I
21、nsulator(绝缘板)Charging plate(充电板)有关ESD的错误观念只有MOS(Metal-Oxide Semiconductor金属氧化物半导体)类的半导体容易受损。只有未经组装的器件容易受损。只有低湿度环境会产生静电。在动 ESDS(Electronical Static Disimprison sensitive ESD 敏感器件)器件前先触摸接地点的做法足够避免ESD破坏。只要我们注意使用防静电腕带和对工作台接地,我们应该可以避免ESD破坏。只要我们使用注明“防静电材料”的包装,我们的产品就一定安全了。金属是防静电材.料,因此不会产生静电。静电都是由摩擦而生的。导 电(
22、conductive)或传电(dissipative)材料是防静电材料(antistatic)oESD破坏只能通过接触ESDS器件,只要确保我们不接触就能保证ESDS器件安 全 第三章ESD控制技术原理ESD控制技术依据:四项基本技术依据:制止静电的产生(如减少移动、动作缓慢、屏蔽等)通过设计在产品中置入保护消除产生的静电控制放电的途径和速度Anti-Static无静电控制:评估同一 EPA(ESD Protection Area保护区域)中所使用材料的“无静电”特性,避免采用易生静电物料选择导电性较高的材料处理绝缘物料,增加其表面导电性接地控制:控制原理:提供放电途径,使带电物件通过放电和受
23、保护物件达到相同电位。控制条件:接地的物件必须有足够的导电性(V 1012Q),且所有物件都须连接到同一点(至少在同一 EPA中如此)。注意事项:放电速度必须得到控制,不能太快或太慢(105Q VRV109Q 为佳)。必须考虑到人体安全性!接地控制的做法所有导体必须接到同一“地”点上所有工作人员必须接地,不间断的接地在处理或动ESDS器件之前,必须先做好所有接地装置注:接地电阻:ESD放电速度必须得到控制,此考虑决定电阻的上限低电阻威胁人体电气安全,此考虑决定电阻的下限由人体到“地”点的电阻不适于太低,应该是:500IQR35M Q隔离/屏蔽保护做法:使所有静电源远离EPA或ESDS器 件 工
24、 作 区(&g t;l米/I英尺)。使用具有屏蔽功能的包装或盒子来运送ESDS器件。具屏蔽功能的材料必须是:Surface resistance<104 Q/sq 或Volume resistance<lOOQ-cm注:本控制技术不单独使用,必须配合接地和离子中和方法!电容隔离控制常用在包装技术上使用在以下情况:-器件具有较高的电容量-较难在器件的各引脚上维持低 电 阻(短路同电位保护)VsCDCCCharged bodyCcVD=VsCc+CDStickoutline等电位控制技术控制原理:当A V =0 时,没有电流。使用条件:必须使用导电性好的连接物(如分流刀)注意事项:静电
25、仍可能存在于器件上,小 心CDM破坏。电离子中和控制技术使用于绝缘体或无接地物件CHARGED MATERIALCHARGED MATERIAL+Ionizer(离子发生器)+RepelledIonAttractedIonAttractedIon操作注意事项尽量减少手工操作和接触ESDS器件.让ESDS器件保持在原包装内,直到组装或使用.在接触ESDS器件之前须接地放电.将所有工作范围内的物件,包括桌面、盒子、推车、工具等进行接地.然后才开始工作.运 送ESDS器件时,使用有足够静电保护的包装.在从包装中取出ESDS件前先触摸包装本身.以下的做法能够协助你减少静电破坏操作注意事项在EPA范围内
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