SFI立昌一级代理经销KOYUELEC光与电子STS-Series.docx
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1、應用STS系列產品,SMD TVS瞬態電壓抑制器,具備對稱的電壓和電流特性。STS是半導體材料,透過SFI所開發最新半導體封裝製程(SGD)來加以製造,具有優異的ESD暫態能量吸收能力,以及快速的內部散熱特性,達到保護電路的效果,同時STS系列產品有多種電容值可供選擇。SGD封裝示意圖需求隨著積體電路尺寸微小化和進展到奈米製程,小型TVS二極體具備高靜電保護能力才能真正滿足市場的需求。傳統的保護方法已不再普遍地適用。包裝L(mm)W(mm)H(mm)02010.60 0.030.30 0.030.30 0.0304021.00 0.050.60 0.050.50 0.0506031.60 0.
2、100.80 0.100.60 0.10特性(a)-預崩潰區(Pre-Breakdown Region)此區為低電流區,此時電壓與電流滿足歐姆特性,電阻係數約10121013 ,可視為絕緣體。此區會受到溫度變化的影響,當溫度升高時,通過STS的電流會增大,而此電流一般稱為漏電流(Leakage Current)。(b)-崩潰區(Breakdown Region)此區為STS的作用區,電壓與電流不再滿足歐姆定理。當電壓稍微變化時,電流就會有明顯的變化。STS就是利用這個特性來達到保護電路元件的功能。(c)-上升區(Upturn Region)此區為高電流區,電壓與電流的關係再度滿足歐姆定理,電阻
3、係數約為1以下 。標準通過 IEC61000-4-2 ESD標準。參數適用系列範圍:STS、STA、STN、STD1.Working peak reverse voltage (VRWM):最大連續工作的直流電壓。2.Maximum reverse leakage(IR)最大反向漏電流:最大反向漏電流,VRWM是STS最大連續工作的直流電壓,當這個電壓加於STS的兩端極時它處於反向狀態,流過它的電流應小於或等於其最大反向漏電流IR。3.擊穿電壓Breakdown voltage(VBR):VBR是STS的擊穿電壓。在25時,低於這個電壓STS是不會發生雪崩的。當STS流過規定的1mA電流(IR
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