第5章 逻辑门与组合逻辑电路mm.ppt
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1、第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础5.1 基本逻辑门电路5.2 组合逻辑电路的分析与设计5.3 常用的组合逻辑电路器件第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础 门电路是构成组合逻辑电路的基本单元,学习中注意理解各种基本逻辑门的工作原理和逻辑功能;熟悉组合逻辑电路的几种描述方法;掌握组合逻辑电路的分析步骤和方法;了解各类常用的中规模集成逻辑部件的功能、工作原理及应用。学习目的与要求第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础5.1 基本逻辑门电路
2、5.1.1 基本逻辑门数字电路中,门电路是最基本的逻辑单元,门电路原输入和输出之间的关系属于逻辑关系,因此又把门电路称为逻辑门。显然,逻辑门是一种开关电路。1.半导体二极管、晶体管和MOS管的开关特性半导体二极管最显著的特性是单向导电性,当二极管正向偏置时,相当一个闭合的开关,信号可以通过;当二极管反向偏置时,相当一个打开的开关,信号不能通过。第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础(1)二极管的开关特性利用二极管“正向导通、反向阻断”的单向导电性,在数字电路中常用做电子开关使用。电子开关的“通”态用数字“1 1”表示,“断”态用数字“0 0”
3、表示。显然,电子开关的通、断状态在数字电路中属于二值的逻辑变量。1)正向特性当电路的输入电压为低电平,且VCC-ui大于二极管的导通压降UT时,二极管正向导通。由于二极管导通时正向电阻很小,因此正向电流急剧增长,此时的VD相当于具有压降UT的闭合电子开关。二极管开关电路第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础(2)反向特性当二极管开关电路的输入电压为高电平,即VCC-uiUT时,二极管反向偏置呈截止状态。截止状态下二极管呈现很大的电阻,电流基本不能通过约等于0,此时二极管相当一个断开的电子开关。二极管开关电路工程实际中,通常在二极管开关电路中串
4、接一只限电阻R,以防止电流突然增大时造成二极管烧坏。第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础理想二极管的开关特性ASK理想开关IOFF=0UAK+-理想开关断开时,无论UAK在多大范围内变化,其等效电ROFF=,通过理想开关S的电流IOFF=0。理想开关闭合时,无论流通其中的电流在多大范围内变化,其等效电阻RON=0,电压UAK=0,通过理想开关S的电流为ION。理想二极管接通时,电阻为零,开关断开时,电阻为无穷大。工程中通常把二极管理想化。第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础理想开关S 显
5、然在客观世界中不存在。常见的机械开关、继电器、接触器等,在一定电压和电流的范围内,静态特性与理想开关十分接近,但动态特性较差,根本满足不了数字电路一秒钟开关几百万次乃至数千万次的需要。而由二极管、三极管构成的电子开关,其静态特性不如机械开关,但它们的动态特性却是机械开关无法比拟的,因此广泛应用于数字电路中。第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础(2)晶体管的开关特性数字电路中,晶体管工作在饱和区时,相当一个闭合的开关;晶体管工作在截止区时,相当一个断开的开关。晶体管和二极管一样,开关状态转换时也是需要时间的,但在分析数字电路问题时,若满足一定
6、条件,就可把晶体管作为理想电子开关。第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础(3)MOS管的开关特性当MOS管栅源间电压小于其开启电压时,不能形成导电沟道,处于截止状态,相当一个断开的电子开关;当MOS管栅源间电压大于其开启电压时,导电沟道形成,数字电路中MOS管导通时,一般工作在可变电阻区,由于其导通电阻很小,可看作是一个闭合的电子开关。MOS 管导通时相当一个闭合的开关MOS 管截止时相当一个断开的开关第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础教学内容2.分立元件门电路逻辑门由开关元件构成的逻
7、辑电路,工作时状态像门一样按照一定条件和规律打开或关闭,被称为逻辑门 逻辑门。逻辑门开 允许信号通过;逻辑门关信号被阻断。逻辑门是构成组合逻辑电路的基本单元,在数字电路中应用十分广泛。第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础与门由二极管、电阻构成的逻辑电路,工作时按照一定条件和规律实现与逻辑功能的电路称为与门。分析与门电路的工作原理时,电路中的二极管均视为理想二极管:即二极管正向导通时相当一个0值电阻,二极管截止时相当一个 电阻。VD1VD2VCCRVD3A AB BC CF第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技
8、术基础 电子技术基础VD1VD2VCCRVD3与门A AB BC CF与门输入至少有一个为低电平0时;0V3V工作原理0V3V3V0V反偏截止!与门电路实现了输入有0,输出为0的与逻辑功能。与门输入全部为高电平3V 时:3V 3V与门电路实现了输入全1,输出为1的与逻辑功能。与门电路图符号&第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础或门由二极管和电阻构成的、具有“有1出1,全0出0”或逻辑功能的电路称为 或门 或门。或门电路的输入至少是两个,输出为一个。为方便于或门工作过程的分析,电路中的二极管均按理想二极管处理:导通时电阻为0值,截止时电阻为。
9、A AB B F VCC第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础或门或门输入只要有一个为高电平1时;工作原理或门电路可实现输入有1,输出为1的或逻辑功能。或门输入全部为低电平0时:或门电路可实现输入全0,输出为0的或逻辑功能。或门电路图符号 1A AVD2B B VCCRF F3V0V 3V 3V反偏截止!0V0V0V 0VVD1第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础非门VTRC-VBB+VCCRB1RB2由三极管、电阻构成的逻辑电路,工作时按照一定条件和规律实现非逻辑功能的电路。非门中的三极
10、管,工作状态只有导通和截止,当三极管导通时,非门打开信号通过,当三极管截止时,非门关断信号不能通过。非门电路的三极管可以是双极型晶体管,也可以是MOS 管。第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础非门A AF非门输入为高电平时:工作原理 3 3V V 0 0V V截止!截止!非门电路实现了输入为1,输出为0的非逻辑功能。非门输入为低电平0V 时:0V 0V非门电路实现了输入为0,输出为1的非逻辑功能。非门电路图符号VTRC-VBB+VCCRB1RB2饱和导通ICS 1 1IC=0 VCC第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻
11、辑电路电子技术基础 电子技术基础教学内容5.1.2 复合门电路与非门F&AB 1 1F F与门和非门可构成“与非 与非”门 门与门 非门F&AB与非门 与非门图符号有有00出出11;全;全11出出00“与非”门是“与”门的非,因此:第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础或非门有有11出出00;全;全00出出11F 1 1AB 1 1F F或门和非门可构成“或非 或非”门 门或门 非门F 1 1AB或非门 或非门图符号“或非”门是“或”门的非,因此:第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础与或非
12、门&AB 1 1F F与门或门&CD与门 1 1非门两个与门和或门、非门可构成“与或非 与或非”门 门与或非门 与或非门图符号F&AB&CD 1 1“与或非”门的逻辑函数表达式为:第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础异或门F=1=1AB异或门的图符号异或门的功能用逻辑函数表示为:同或门F=1=1AB同或门的图符号同或门的功能用逻辑函数表示为:第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础5.1.3 集成逻辑门电路 分立元件构成的门电路,不但元件多体积大,而且连线和焊点也太多,因而造成电路的可靠性较
13、差。随着电子技术的飞速发展及集成工艺的规模化生产,目前分立元件门电路已经被集成门电路所替代。采用半导体制作工艺,在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件,并按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路,这种特殊的工艺称为集成。集成门电路与分立元件的门电路相比,不但体积小、重量轻、功耗小、速度快、可靠性高、而且成本较低、价格便宜,十分方便于安装和调试。按导电类型和开关元件的不同,集成门电路可分为双极型集成逻辑门和单极型集成逻辑门两大类。第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础1.TTL 集成门电路电路组成R4R3
14、R5R2R1A AB BC C3k+VCC750100300 3k5VF FVT1VT2VT3VT4VT5(uo)(ui)输入级中的多发射极晶体管可看作由多个晶体管的集电极和基极并联构成,作为TTL 与非门的输入端。多个发射极的发射结可看作是多个钳位二极管,其作用是限制输入端可能出现的负极性干扰脉冲。VTl的引入,不但加快了晶体管VT2储存电荷的消散,提高了TTL 与非门的工作速度,而且实现“与”逻辑功能。(1)TTL与非门第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础(1)TTL 与非门电路组成R4R3R5R2R1A AB BC C3k+VCC75
15、0100300 3k5VF FVT1VT2VT3VT4VT5(uo)(ui)中间级又称为倒相极,其作用是从VT2的集电极和发射极同时输出两个相位相反的信号,作为输出级中三极管VT3和VT5的驱动信号,同时控制VT4和VT5工作在两个截然相反的两种状态,以满足输出级互补工作的要求。三极管VT2还可将前级电流放大以供给VT5足够的基极电流。第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础(1)TTL 与非门电路组成R4R3R5R2R1A AB BC C3k+VCC750100300 3k5VF FVT1VT2VT3VT4VT5(uo)(ui)由晶体管VT3
16、、VT4、VT5和电阻R4、R5组成推拉式的互补输出电路。VT5导通时VT4截止,VT5截止时VT4导通。由于采用了推挽输出(又称图腾输出),该电路不仅增强了带负载能力,还提高了工作速度。第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础输入端至少有一个为低电平时的工作情况3.6V0.3VR4R3R5R2R1A AB BC C3k+VCC750100300 3k5VF FVT1VT2VT3VT4VT5(uo)(ui)0.3V3.6V3.6V低电平对应的PN 结导通,VT1的基极电位被固定0.3+0.7=1V1V 1V1.4V 1.4V5V 5V显然VT1
17、的集电结反偏,导致VT2、VT5截止。VT2截止时的集电极电位:V2CVCC=5VVT2管集电极+5V 的电位足以使VT3、VT4导通并处于深度饱和状态。因R2和IB3都很小,均可忽略不计,所以:3.6V 3.6V实现了有实现了有00出出11的与非功能的与非功能2)工作原理第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础输入端全部为高电平时的工作情况3.6V0.3VR4R3R5R2R1A AB BC C3k+VCC750100300 3k5VF FVT1VT2VT3VT4VT5(uo)(ui)3.6V3.6V3.6V实现了全实现了全11出出00的与非功
18、能的与非功能2.1V 2.1V1.4V 1.4V显然VT1处于 倒置 倒置工作状态,此时集电结做为发射结使用。倒置情况下,VT1可向VT2基极提供较大电流。深度饱和深度饱和VT2管深度饱和后,其发射极电流在电阻R3上产生的压降又为VT5管提供足够的基极电流使VT5管饱和导通,从而使与非门输出F 点的电位等于VT5管的饱和输出典型值 F=0.3V F=0.3V0.3V 0.3V第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础(2)集成OC 门R1A AB BC CR2+5 5VVT VT1 1VT VT2 2R3VT VT5 5F F(uo)(ui)VT
19、 VT3 3 VT VT4 4R4R5OC门的电路形式RL+VS图符号&第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础当OC 门输入全为高电平时OC 门输入只要有一个为低电平时R1A AB BC CR2+5 5VVT VT1 1VT VT2 2R3VT VT5 5F F(uo)(ui)RL+VSOC门可实现与非功能实现了全1出0的与非功能0.3V 0.3V3.6V 3.6V3.6V 3.6V3.6V 3.6V0.3V 0.3V+V VS S 实现了有0出1的与非功能工作原理第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础
20、电子技术基础普通的TTL 与非门不允许直接驱动供电电压高于+5V 的负载,而实际应用中经常会碰到这种情况;实际应用中有时还需要把若干个与非门的输出直接连在一起实现多个信号的与逻辑关系,具有图腾结构的TTL与非门无法做到。集电极开路的与非门OC门的开发解决了上述问题。为什么开发OC门第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础F FOC门可实现线与功能A AB BF F1 1&C CD DF F2 2&RL+VS线与线与第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础OC门可用于数字系统接口部分的电平转换A
21、AB BF F&RL+12 12VA AB BF F&VSOC门可用来直接驱动负载第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础(3)三态门三态门简称作TSL 门,是在普通TTL 与非门的基础上,加上使能控制信号和控制电路构成的。EN ENVD2VD1R第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础EN A B F1 0 0 11 0 1 11 1 0 11 1 1 00 高阻态三态门的真值表三态门使能端无效时,具有与非门功能;若使能端有效,则将无论输入如何,输出均为高阻态。第 第5 5 章 章 逻辑门与组
22、合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础利用三态门可以实现总线结构图示总线结构中,只要工作时控制各个三态门的门控端EN 轮流为有效态,而且任何时候仅有一个为有效态,各三态门的输出信号在公共传输总线上就会轮流输送而互不干扰。第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础另外,三态门还可做成单输入、单输出的总线驱动器。利用三态门还可以实现数据的双向传输当EN 为有效态时,G1工作而G2为高阻态,数据D0经G1反相后送到总线上去;当EN 为无效态时,G2工作而G1为高阻态,来自总线的数据经G2反相后由D1送出。第 第5 5 章 章 逻辑门
23、与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础2.CMOS 集成逻辑门CMOS 门的基本单元主要有反相器和传输门。当ui0V 为低电平时CMOS反相器当uiVDD为高电平时 V VDD DD 0V 0V截止!截止!反相器电路实现了输入为0,输出为1的非门逻辑功能。导通!导通!V VDD DD 0V 0V截止!截止!导通!导通!反相器电路实现了输入为1,输出为0的非门逻辑功能。若使导电沟道形成,若使导电沟道形成,VVDDDD必须大于两管的开启电压之和必须大于两管的开启电压之和第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础当 控 制 端C
24、P 为 高 电 平1时,传 输门 导 通,数 据 从 输 入 端 传 输 到 输 出端。CMOS传输门当 控 制 端CP 为 低 电 平0时,传 输门关闭,禁止传输数据。工作原理一个 一个PMOS PMOS 管和一个 管和一个NMOS NMOS 管并联 管并联 后 后,可 可 构成 构成 一个 一个CMOS CMOS 传输门 传输门第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础(3)CMOS 逻辑门电路的特点CMOS逻辑门的特点特点010203040506CMOS 逻 辑 门 静 态 功 耗非 常 小,仅 有 几 个W,因 此 使 用CMOS 集 成
25、 门制作的设备成本低。CMOS 门 集 成 度 高,由 于只 有 多 子 导 电,所 以 热稳 定 性 好、抗 辐 射 能 力强。输 入 阻 抗 极 高,通常可达108。CMOS 电路的抗干扰能力强,适合于特殊环境下工作。CMOS 电 路 的 电 源 电 压允 许 范 围 宽。约 为318V,十 分 方 便 于 电路电源电压的选择。CMOS 电 路 的 逻 辑 摆幅大。VOL=0V VOHVDD。扇出能力强,带同类门电路的个数多。低频时CMOS 门几乎不考虑扇出能力问题;高频下扇出系数与工作频率有关。第 第5 5 章 章 逻辑门与组合逻辑电路 逻辑门与组合逻辑电路电子技术基础 电子技术基础(4
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