模拟电子技术基础 第四章 -1双极结型三极管及放大电路基础.pptx

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1、4.1 半导体三极管4.3 放大电路的分析方法4.4 放大电路静态工作点的稳定问题4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路4.2 共射极放大电路的工作原理4.6 组合放大电路4.7 放大电路的频率响应4.1 半导体三极管4.1.1 BJT的结构简介4.1.2 放大状态下BJT的工作原理4.1.3 BJT的VI特性曲线4.1.4 BJT的主要参数4.1.1 BJT的结构简介(a)小功率管(b)小功率管(c)大功率管(d)中功率管 半导体三极管的 半导体三极管的结构示意图如下图。结构示意图如下图。它有两种类型 它有两种类型:NPN:NPN型 型和 和PNP PNP型。型。4.1.1 BJT的结构简

2、介(a)NPN(a)NPN型管结构示意图 型管结构示意图(b)PNP(b)PNP型管结构示意图 型管结构示意图(c)NPN(c)NPN管的电路符号 管的电路符号(d)PNP(d)PNP管的电路符号 管的电路符号集成电路中典型NPN型BJT的截面图4.1.1 BJT的结构简介 三极管的放大作用是在一定的外部条件操作下，通过载 三极管的放大作用是在一定的外部条件操作下，通过载流子传输表达出来的。流子传输表达出来的。外部条件：外部条件：发射结正偏 发射结正偏 集电结反偏 集电结反偏4.1.2 放大状态下BJT的工作原理1.1.内部载流子的传输过程 内部载流子的传输过程发射区：发射载流子 发射区：发射

3、载流子集电区：收集载流子 集电区：收集载流子基区：传送和操作载流子 基区：传送和操作载流子（以（以NPN NPN为例）为例）由于三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管或BJT(Bipolar Junction Transistor)。IC=InC+ICBOIE=IB+IC放大状态下BJT中载流子的传输过程2.2.电流分配关系电流分配关系根据传输过程可知 IC=InC+ICBO通常 IC ICBO 为电流放大系数。它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般=0.9 0.99。IE=IB+IC放大状态下BJT中载流子的传输过程 是另一个电流放大系数。同样，

4、它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 1。根据 IE=IB+IC IC=InC+ICBO且令ICEO=(1+)ICBO（穿透电流）2.2.电流分配关系电流分配关系3.3.三极管的三种组态三极管的三种组态共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示；共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；BJT的三种组态共基极放大电路4.4.放大作用放大作用若 vI=20mV电压放大倍数使iE=-1 mA，则iC=iE=-0.98 mA，vO=-iC RL=0.98 V，当=0.98 时，综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能

5、够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。实现这一传输过程的两个条件是：（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。（2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。4.1.3 BJT的V-I 特性曲线 iB=f(vBE)vCE=const(2)当vCE1V时，vCB=vCE-vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收 集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。(1)当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。1.输入特性曲线（以共射极放大电路为例）共射极连接饱和区：iC明显受vCE操作的区域，该区域内，一般vCE0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正

6、偏或反偏电压很小。iC=f(vCE)iB=const2.输出特性曲线输出特性曲线的三个区域 输出特性曲线的三个区域:截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时，vBE小于死区电压。放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。4.1.3 BJT的V-I 特性曲线(1)(1)共发射极直流电流放大系数共发射极直流电流放大系数=（I IC C I ICEO CEO）/I IB B I IC C/I IB B vvCE CE=const=const1.1.电流放大系数电流放大系数 4.1.4 BJT的主要参数与iC的关系曲线(2)共发射极交流电流放大系

7、数=IC/IBvCE=const1.1.电流放大系数电流放大系数(3)3)共基极直流电流放大系数共基极直流电流放大系数=（IICCIICBOCBO）/IIEEIICC/IIEE(4)4)共基极交流电流放大系数共基极交流电流放大系数=IICC/IIEEv vCB CB=const=const 当当IICBOCBO和和IICEOCEO很小时，很小时，、，可以不加区分。可以不加区分。4.1.4 BJT的主要参数 2.2.极间反向电流极间反向电流(1)(1)集电极基极间反向饱和电流集电极基极间反向饱和电流IICBOCBO 发射极开发射极开路时，集电结的反向饱和电流。路时，集电结的反向饱和电流。4.1.

8、4 BJT的主要参数(2)集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO=（1+）ICBO 4.1.4 BJT的主要参数 2.2.极间反向电流极间反向电流(1)(1)集电极最大允许电流 集电极最大允许电流I ICM CM(2)(2)集电极最大允许功率损耗 集电极最大允许功率损耗P PCM CM P PCM CM=I IC CV VCE CE 3.3.极限参数极限参数4.1.4 BJT的主要参数 3.3.极限参数极限参数4.1.4 BJT的主要参数(3)(3)反向击穿电压反向击穿电压 VV(BR)CBO(BR)CBO发射极开路时的集电结反发射极开路时的集电结反 向击穿电压。向击穿电压。V(BR)

9、EBO集电极开路时发射结的反 向击穿电压。V(BR)CEO基极开路时集电极和发射 极间的击穿电压。几个击穿电压有如下关系 V(BR)CBOV(BR)CEOV(BR)EBO4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响(1)温度对ICBO的影响温度每升高10，ICBO约增加一倍。(2)温度对 的影响温度每升高1，值约增大0.5%1%。(3)温度对反向击穿电压V(BR)CBO、V(BR)CEO的影响温度升高时，V(BR)CBO和V(BR)CEO都会有所提高。2.温度对BJT特性曲线的影响1.温度对BJT参数的影响end4.2 共射极放大电路的工作原理4.2.1 基本共射极放大电路的组成基本共射极放大电路

10、 4.2.2 基本共射极放大电路的工作原理1.静态(直流工作状态)输入信号vi0时，放大电路的工作状态称为静态或直流工作状态。直流通路 VCEQ=VCCICQRc 4.2.2 基本共射极放大电路的工作原理2.动态 输入正弦信号vs后，电路将处在动态工作情况。此时，BJT各极电流及电压都将在静态值的基础上随输入信号作相应的变化。交流通路 4.3 放大电路的分析方法4.3.1 图解分析法4.3.2 小信号模型分析法1.1.静态工作点的图解分析 静态工作点的图解分析2.2.动态工作情况的图解分析 动态工作情况的图解分析3.3.非线性失真的图解分析 非线性失真的图解分析4.4.图解分析法的适用范围 图

11、解分析法的适用范围1.BJT 1.BJT的 的H H参数及小信号模型 参数及小信号模型2.2.用 用H H参数小信号模型分析基本共射极放大电路 参数小信号模型分析基本共射极放大电路3.3.小信号模型分析法的适用范围 小信号模型分析法的适用范围4.3.1 图解分析法1.1.静态工作点的图解分析 静态工作点的图解分析 采用该方法分析静态工作点，必须已知三极管的输入 采用该方法分析静态工作点，必须已知三极管的输入输出特性曲线。输出特性曲线。共射极放大电路4.3.1 图解分析法1.1.静态工作点的图解分析 静态工作点的图解分析 列输入回路方程 列输出回路方程（直流负载线）VCE=VCCiCRc 首先，

12、画出直流通路 首先，画出直流通路直流通路 在输出特性曲线上，作出直流负载线 VCE=VCCiCRc，与IBQ曲线的交点即为Q点，从而得到VCEQ 和ICQ。在输入特性曲线上，作出直线，两线的交点即是Q点，得到IBQ。根据 根据 v vs s的波形，在 的波形，在BJT BJT的输入特性曲线图上画出 的输入特性曲线图上画出 v vBE BE、i iB B 的 的波形 波形2.2.动态工作情况的图解分析 动态工作情况的图解分析 根据 根据i iB B的变化范围在输出特性曲线图上画出 的变化范围在输出特性曲线图上画出i iC C和 和 v vCE CE 的波形 的波形2.2.动态工作情况的图解分析

13、动态工作情况的图解分析2.2.动态工作情况的图解分析 动态工作情况的图解分析 共射极放大电路中的电压、共射极放大电路中的电压、电流波形 电流波形3.3.静态工作点对波形失真的影响 静态工作点对波形失真的影响截止失真的波形 饱和失真的波形3.3.静态工作点对波形失真的影响 静态工作点对波形失真的影响4.4.图解分析法的适用范围 图解分析法的适用范围幅度较大而工作频率不太高的情况优点：直观、形象。有助于建立和理解交、直流共存，静态和动态等重要概念；有助于理解正确选择电路参数、合理设置静态工作点的重要性。能全面地分析放大电路的静态、动态工作情况。缺点：不能分析工作频率较高时的电路工作状态，也不能用来

14、分析放大电路的输入电阻、输出电阻等动态性能指标。4.3.2 小信号模型分析法1.BJT 1.BJT的 的H H参数及小信号模型 参数及小信号模型建立小信号模型的意义建立小信号模型的意义建立小信号模型的思路建立小信号模型的思路 当放大电路的输入信号电压很小时，就可以把三极 当放大电路的输入信号电压很小时，就可以把三极管小范围内的特性曲线近似地用直线来代替，从而可以 管小范围内的特性曲线近似地用直线来代替，从而可以把三极管这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来 把三极管这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来处理。处理。由于三极管是非线性器件，这样就使得放大电路的 由于三极管是非线性器件，这样就

15、使得放大电路的分析非常困难。建立小信号模型，就是将非线性器件做 分析非常困难。建立小信号模型，就是将非线性器件做线性化处理，从而简化放大电路的分析和设计。线性化处理，从而简化放大电路的分析和设计。1.BJT 1.BJT的 的H H参数及小信号模型 参数及小信号模型 H H参数的引出 参数的引出在小信号情况下，对上两式取全微分得 在小信号情况下，对上两式取全微分得用小信号交流分量表示 用小信号交流分量表示vbe=hieib+hrevceic=hfeib+hoevce 对于 对于BJT BJT双口网络，已知输入 双口网络，已知输入输出特性曲线如下：输出特性曲线如下：iB=f(vBE)vCE=con

16、stiC=f(vCE)iB=const可以写成：可以写成：BJT BJT双口网络 双口网络输出端交流短路时的输入电阻；输出端交流短路时的正向电流传输比或电流放大系数；输入端交流开路时的反向电压传输比；输入端交流开路时的输出电导。其中：四个参数量纲各不相同，故称为混合参数（H参数）。vbe=hieib+hrevceic=hfeib+hoevce1.BJT 1.BJT的 的H H参数及小信号模型 参数及小信号模型 H H参数的引出 参数的引出1.BJT 1.BJT的 的H H参数及小信号模型 参数及小信号模型 H H参数小信号模型 参数小信号模型根据 根据可得小信号模型 可得小信号模型BJT的H参

17、数模型vbe=hieib+hrevceic=hfeib+hoevceBJT BJT双口网络 双口网络1.BJT 1.BJT的 的H H参数及小信号模型 参数及小信号模型 H H参数小信号模型 参数小信号模型 H参数都是小信号参数，即微变参数或交流参数。H参数与工作点有关，在放大区基本不变。H参数都是微变参数，所以只适合对交流信号的分析。受控电流源hfeib，反映了BJT的基极电流对集电极电流的操作作用。电流源的流向由ib的流向决定。hrevce是一个受控电压源。反映了BJT输出回路电压对输入回路的影响。1.BJT 1.BJT的 的H H参数及小信号模型 参数及小信号模型 模型的简化 模型的简化

18、 hre和hoe都很小，常忽略它们的影响。BJT在共射连接时，其H参数的数量级一般为1.BJT 1.BJT的 的H H参数及小信号模型 参数及小信号模型 H H参数确实定 参数确实定 一般用测试仪测出；rbe 与Q点有关，可用图示仪测出。rbe=rbb+(1+)re其中对于低频小功率管 rbb200 则 而(T=300K)一般也用公式估算 rbe（忽略 re）4.3.2 小信号模型分析法2.2.用 用H H参数小信号模型分析基本共射极放大电路 参数小信号模型分析基本共射极放大电路（1 1）利用直流通路求）利用直流通路求Q Q点 点 共射极放大电路一般硅管VBE=0.7V，锗管VBE=0.2V，

19、已知。2.2.用 用H H参数小信号模型分析基本共射极放大电路 参数小信号模型分析基本共射极放大电路（2 2）画小信号等效电路）画小信号等效电路H参数小信号等效电路2.2.用 用H H参数小信号模型分析基本共射极放大电路 参数小信号模型分析基本共射极放大电路（3 3）求放大电路动态指标）求放大电路动态指标根据 根据则电压增益为 则电压增益为（可作为公式）（可作为公式）电压增益 电压增益H参数小信号等效电路2.2.用 用H H参数小信号模型分析基本共射极放大电路 参数小信号模型分析基本共射极放大电路（3 3）求放大电路动态指标）求放大电路动态指标输入电阻 输入电阻输出电阻 输出电阻令Ro=Rc

20、所以3.3.小信号模型分析法的适用范围 小信号模型分析法的适用范围 放大电路的输入信号幅度较小，BJT工作在其VT特性曲线的线性范围（即放大区）内。H参数的值是在静态工作点上求得的。所以，放大电路的动态性能与静态工作点参数值的大小及稳定性密切相关。优点：分析放大电路的动态性能指标(Av、Ri和Ro等)非常方便，且适用于频率较高时的分析。4.3.2 小信号模型分析法缺点：在BJT与放大电路的小信号等效电路中，电压、电流等电量及BJT的H参数均是针对变化量(交流量)而言的，不能用来分析计算静态工作点。共射极放大电路 放大电路如下图。已知 放大电路如下图。已知BJT BJT的 的=80=80，R R

21、b b=300k=300k，R Rc c=2k=2k，V VCC CC=+12V=+12V，求：，求：（1 1）放大电路的）放大电路的Q Q点。此时 点。此时BJT BJT工作在哪个区域？工作在哪个区域？（2 2）当）当R Rb b=100k=100k 时，放大电路的 时，放大电路的Q Q点。此时 点。此时BJT BJT工 工作在哪个区域？（忽略 作在哪个区域？（忽略BJT BJT的饱和压降）的饱和压降）解：（解：（1 1）（2 2）当）当R Rb b=100k=100k 时，时，静态工作点为 静态工作点为Q Q（40 40 A A，3.2mA 3.2mA，5.6V 5.6V），），BJT B

22、JT工作在放大区。工作在放大区。其最小值也只能为 其最小值也只能为0 0，即，即I IC C的最大电流为：的最大电流为：，所以，所以BJT BJT工作在饱和区。工作在饱和区。V VCE CE不可能为负值，不可能为负值，此时，此时，Q Q（120uA 120uA，6mA 6mA，0V 0V），），例题例题end4.4 放大电路静态工作点的稳定问题4.4.1 温度对静态工作点的影响4.4.2 射极偏置电路1.1.基极分压式射极偏置电路基极分压式射极偏置电路2.2.含有双电源的射极偏置电路含有双电源的射极偏置电路3.3.含有恒流源的射极偏置电路含有恒流源的射极偏置电路4.4.1 温度对静态工作点的影

23、响 4.1.6节讨论过，温度上升时，BJT的反向电流ICBO、ICEO及电流放大系数或都会增大，而发射结正向压降VBE会减小。这些参数随温度的变化，都会使放大电路中的集电极静态电流ICQ随温度升高而增加（ICQ=IBQ+ICEO），从而使Q点随温度变化。要想使ICQ基本稳定不变，就要求在温度升高时，电路能自动地适当减小基极电流IBQ。4.4.2 射极偏置电路（1）稳定工作点原理 目标：温度变化时，使IC维持恒定。如果温度变化时，b点电位能基本不变，则可实现静态工作点的稳定。T 稳定原理：IC IE VE、VB不变 VBE IBIC（反响操作）1.1.基极分压式射极偏置电路基极分压式射极偏置电路

24、(a)原理电路(b)直流通路b点电位基本不变的条件：I1 IBQ，此时，VBQ与温度无关VBQ VBEQRe取值越大，反响操作作用越强一般取 I1=(510)IBQ，VBQ=35V 1.1.基极分压式射极偏置电路基极分压式射极偏置电路（1）稳定工作点原理1.1.基极分压式射极偏置电路基极分压式射极偏置电路（2）放大电路指标分析静态工作点静态工作点电压增益电压增益画小信号等效电路（2）放大电路指标分析电压增益电压增益输出回路：输入回路：电压增益：画小信号等效电路确定模型参数已知，求rbe增益（2）放大电路指标分析（可作为公式用）输入电阻输入电阻则输入电阻放大电路的输入电阻不包含信号源的内阻（2）放大电路指标分析输出电阻输出电阻输出电阻求输出电阻的等效电路 网络内独立源置零 负载开路 输出端口加测试电压其中则当 时，一般（）（2）放大电路指标分析2.2.含有双电源的射极偏置电路含有双电源的射极偏置电路（1）阻容耦合静态工作点静态工作点课后答案谢谢观看/欢送下载BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES.BY FAITH I BY FAITH