通信电子电路课后习题.pdf
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1、第1章思考与练习一、填空1.能产生射频振荡,并经调制、放大后,将输出的射频功率馈送给传输线路或天线的设备叫做(发射设备)。2.能将天线或传输线路送来的信号加以选择、放大、变换,以获得所需信息的设备叫做(接收设备)。3.天波是利用电离层的(反射)而进行的传播。4.空间波实际上是直射波和反射波的合成,此现象叫做(多径传播)。5.频率为3 30MHz称为(高频)频段,它对应的波长是(10100m),又称为(短波)波段。二、画图1.画出超外差调幅接收机方框图p32.画出超外差调频接收机方框图。3.画出调幅发射机方框图。p2第2章思考与练习一、填空题1.限制晶体管高频运用的因素主要有三个:(发射结的结电
2、阻r曲发射结电容Cn 集电结电容C匹)。2.Y 参数等效电路的优点是:(电路简单,计算方便),缺点是:(参数随频率而变)。3.晶体管内反馈的不良影响是:(调整困难,工作不稳定)。4.克服晶体管内反馈影响的措施有:(中和法)和(失配法)。5.小信号谐振放大器中,使并联谐振回路电感支路的电阻r 加大,则回路的通频带将变(宽)。6.随着级数的增多,多级小信号放大器的总通频带将(变 窄),总增益将(增大),总矩形系数将(变小),总的稳定性将(变差)。7.实际矩形系数越趋近于(1),则谐振曲线越接近于矩形,曲线边沿下降越陡直,表明抑制其干扰信号的能力越强,选择性越好。8.某单调谐小信号谐振放大器,若工作
3、频率为1M HZ,有载品质因素Q =100矩形系数。则矩形系数&”=(10),带宽B=(l(R te)。二、判断选择题1.串联谐振电路谐振时,等效为纯电阻,阻抗值最大。(错)2.串联谐振回路的通频带反比于回路的Q 值,Q 值越大通频带越窄,反之通频带越宽。(对)3.对于高频小信号放大器来说,由于信号微弱,可以认为它是工作在晶体管的线性范围之内,这时允许把晶体管看成有源四端网络来分析。(对)4.单 调 谐 放 大 器 的 矩 形 系 数 远 大 于 1,所以其选择性较好,但抑制邻道干扰的能力很差。(错)5.多级小信号放大器的总的矩形系数和级数的多少无关。(错)6.当电容和电感组成并联谐振回路时,
4、回路的品质因数Q 值主要取决于:(A)A.电感的品质因数B.电容的品质因数C.回路的固有谐振频率D.外加信号的频率7.串联L C 谐振电路的固有谐振频率为0 ,若外加信号角频率0 =例,,则流过串联LC谐振电路的电流达到(B)A.最小 B.最大C.0 D.无法判断8.反映了放大器输入电压对输出电流的控制作用的Y 参 数 是(B)。C.工 D.,29.单调谐小信号放大器,当回路的。升高时,则(A)。A.谐振曲线变尖B.矩形系数变小C.谐振曲线变尖,矩形系数变小D.无法判断10.某多级单调谐小信号放大器,总的矩形系数长将(B)A.增 大 B.减小C.不变 D.不确定11.为了使小信号调谐放大器具有
5、良好的选择性,应该:(B)A 采用多级单调谐放大器 B 采用多级双调谐放大器C.采用级联电路 D.采用集中选频放大器三、综合题1.高频小信号调谐放大器有哪些主要技术指标?(1)中心频率(2)增 益(3)通频带与选择性(4)噪声系数N2.高频小信号调谐放大器中为什么要引入接入系数?阻抗匹配;减少对空载品质因数的影响。3.影响谐振放大器稳定性的因素是什么?内反馈4.什么是噪声系数?;输入端信噪比(S,/N J,一输出端信噪比/N)5.题图2.1四种谐振回路哪些是串联谐振回路,哪些是并联谐振回路?(a)(b)题图2.1(c)(d)答:(a)(d)为串联谐振回路,(b)(c)为并联谐振回路。6.有一个
6、并联谐振回路,如题图2.2所示。LC回路的空载品质因数以=100,1-3间电感L=586 H,C=200pF。各电感间为紧耦合,1-2为100匝,2-3为 2 5 匝,4-5 为 1 5 匝,激励源内阻凡=5 K C,负载&=2 K Q。求回路的通频带8 o题图2.2解:(1)B=%/QQ、=/1 =2.9 2 x i a(r a d/s)4LC V586X10-6X200X10-12%啜=4 65 阳zPiN”2 5 ,、=-=0.2 p,心 1 2 5 ”2 =0.1 2乂 3 1 2 5-=-=-z-T=5.8 4 z z v2 夕 2)g L 100X2.92X106X586X10-6
7、gz-p i g、+g 0 +pgL=0.22 x 2 0 0+5.8 4+0.1 2s x 5 0 0=2 1/z S0 -=-=-=2 7 8SP g x”2 l x 1 0-6 x 2.9 2 x 1 06 x 5 8 6x 1 0 6 B =fo/Qe=6.1kHz7.某单调谐放大器如图题2.3 所示,已知力=4 65 S z ,L=560uH,Q=1 0 0,乂2 =4 0 圈,乂3=1 60 圈,乂5=2 0 圈,晶体管的Y参数如下:gie=1?S,gne=1 IOMS,C=400p F,=62pF,Yfe=2 8/3 4 m s Yre=2.5 s。试计算:(1)谐振电压放大倍数
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