电镀工艺流程讲解.pptx
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1、晶圆电镀工艺讲解晶圆电镀工艺讲解部门:部门:工程部工程部日期:日期:2010-10讲师:讲师:赵赵 林林内容大纲内容大纲 初识电镀初识电镀 电镀目的电镀目的 产品简介产品简介 镀层结构镀层结构 电镀步骤电镀步骤初识电镀 外外 觀觀装饰要求美觀 功功 能能防止腐蝕防銹提高外表硬度和耐磨性能提高導電性能提高电磁性能修復尺寸提高光的反射性能增加焊錫性防止局部滲碳;滲氮提高潤滑性延長耐候性與耐熱性电镀用途初识电镀广义的电镀包括化学镀,电镀,电铸,真空镀等.狭义:电镀就是利用电解电流通过电解质溶液而在阴、阳两极引起氧化复原反响的过程 的方式使金属或合金沉积在工件外表,以形成均匀、致密、结合力良好的金属层
2、的过程,就叫电镀。简单的理解,是物理和化学变化的结合。电镀概念化学镀是不需要电流提供,直接通过自催化或置换等原理进行的.电镀,电铸必需要有外部直流电流提供才能进行。真空镀主要包括真空蒸镀、溅射镀和离子镀几种类型,它们都是采用在真空条件下,通过蒸馏或溅射等方式在塑件外表沉积各种金属和非金属薄膜.在我们的制程中除了电铸,其它在我们的制程中除了电铸,其它3种方式的电镀都会应用到种方式的电镀都会应用到.初识电镀电解 电镀Wafer可溶或不可溶性阳极三要素:直流电源,欲镀金属之电解质溶液,阴阳极导电导体三要素:直流电源,欲镀金属之电解质溶液,阴阳极导电导体.M+e-MM-e-M+电镀目的我们电镀的主要目
3、的:我们电镀的主要目的:1.保护已有的电路线路铝层,增强线路信号传输的可靠性和稳定性.在电镀工序之前的电路线路为很薄的铝层厚度约1-4um,金属铝的化学性质很活泼,暴露在大气中非常容易被氧化和腐蚀.由于厚度很薄,一旦线路被氧化或腐蚀,其信号传输的可靠性和稳定性会大大下降,甚至失效,从而严重影响产品品质和性能.如果在金属铝外表镀上镍层,就可以起到保护线路的作用.2.为后面的BGA工序提供焊锡载体。电镀后面的工序是置锡球,金属铝不具可焊锡性能,所以直接在金属铝上进行置锡球是不可能的.如果在金属铝外表先镀上镍层,然后再镀上一层薄薄的金,就可以到达既能保护铝层线路又能提供良好的焊锡效果的目的.外表湿润
4、的作用:使用DI纯水将枯燥的Wafer外表进行预浸润,排出孔中的气泡。然后Wafer再浸入后面的cleaner除油液中时,除油液能均匀的分布在Wafer外表,到达除油均匀一致的效果.电镀目的QDR清洗的作用:从除油液中取出Wafer后,Wafer外表残留有大量的药水,在进入下一工站之前必须保证Wafer外表是清洁的,否则会污染药水,影响产品镀层品质和药水的使用寿命。电镀目的TRAP槽的作用:1.分级漂洗,节约用水资源;2.让反响速度慢慢将下来.电镀目的孔径孔径35um,孔深,孔深40um电镀目的产品简介产品外观金属金层金属金层镀层结构电镀前金属铝层金属铝层电镀后电镀步骤根据电镀作用,整个电镀过
5、程可分三个步骤:PART 1 电镀:镀镍镀镍PART 1 电镀:蚀刻铝蚀刻铝&去胶去胶PART 3 电镀:边缘镀金边缘镀金我们电镀的目的是什么?我们电镀的目的是什么?换铁氟龙换铁氟龙换干净的换干净的cassette60,15min600W,100sccm Ar,20minIPQC可稽核作业手法:可稽核作业手法:1.放入金属制提篮一次放入金属制提篮一次不超过不超过3片片2.notch口全部朝上口全部朝上3.线路面全部朝外线路面全部朝外PlatingRoom刻铝&去胶步骤镀镍&金步骤20-30min,882,PH=4.6-4.8,Ni厚度厚度2-4um10-20min,882,PH=5.7-6.3
6、,金厚度金厚度0.03-0.07um1.铝外表活化-除油目的:除去铝外表的污染物,如油脂,指纹,灰尘等.Step1:外表湿润Step2:cleaner 浸泡Step3:QDR 清洗作作业业流流程程作作业业要要求求温度:室温时间:30秒钟冲水过程中要盖上盖子温度:室温时间:2.5分钟要求手动上下振动,振动过程Wafer不得露出药液面,药水一直循环过滤温度:室温时间:5分钟冲水过程中要盖上盖子2.铝外表活化酸浸目的:除去铝外表的氧化物及其它合金元素线路铝层为含铜4%的合金层,使其外表露出活性的金属铝层.Step1:硝酸浸泡Step2:Trap2次清洗Step3:QDR 清洗作作业业流流程程作作业业
7、要要求求温度:室温时间:10秒钟要求手动上下振动,振动过程Wafer不得露出药液面,药水一直循环过滤温度:室温时间:5秒钟/槽要求手动上下振动,振动过程Wafer不得露出药液面,温度:室温时间:5分钟冲水过程中要盖上盖子3.第一次化学镀锌目的:1.去除铝外表的氧化膜.2.在铝的外表形成一层锌的 置换层,阻挡铝被再次氧化.Step1:第一次化学镀锌Step2:Trap2次清洗Step3:QDR 清洗作作业业流流程程作作业业要要求求温度:室温时间:10秒钟要求手动上下振动,振动过程Wafer不得露出药液面,药水一直循环过滤温度:室温时间:5秒钟/槽要求手动上下振动,振动过程Wafer不得露出药液面
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