金属化工艺学习.pptx

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1、概概 述述 金属化是芯片制造过程中在绝缘介质薄膜上淀积金属薄膜，通过光刻形成互连金属线和集成电路的孔填充塞的过程。金属线被夹在两个绝缘介质层中间形成电整体。高性能的微处理器用金属线在一个芯片上连接几千万个器件，随着互连复查性的相应增加，预计将来每个芯片上晶体管的密度将达到10亿个。由于ULSI组件密度的增加，互连电阻和寄生电容也会随之增加，从而降低了信号的传播速度。减小互连电阻可通过用铜取代铝作为基本的导电金属而实现。对于亚微米的线宽，需要低K值层间介质（ILD）。通过降低介电常数来减少寄生电容。第1页/共70页目目 标标通过本章学习，将能够：1.解释金属化；2.列出并描述在芯片制造中的6种金

2、属，讨论它们的性能要求并给出每种金属的应用；3.解释在芯片制造过程中使用金属化的优点，描述应用铜的挑战；4.叙述溅射的优点和缺点；5.描述溅射的物理过程，讨论不同的溅射工具及其应用；6.描述金属CVD的优点和应用；7.解释铜电镀的基础；8.描述双大马士革法的工艺流程。第2页/共70页引引 言言 芯片金属化是应用化学或物理处理方法在芯片上淀积导电金属膜的过程。这一过程与介质的淀积紧密相关，金属线在IC电路中传输信号，介质层则保证信号不受邻近金属线的影响。金属化对不同金属连接有专门的术语名称。互连（interconnect）意指由导电材料（铝、多晶硅或铜）制成的连线将信号传输到芯片的不同部分。互连

3、也被用做芯片上器件和整个封装之间普通的金属连接。接触（contact）意指硅芯片内的器件与第一层金属之间在硅表面的连接。通孔（via）是穿过各种介质层从某一金属层到毗邻的另一金属层之间形成电通路的开口。“填充薄膜”是指用金属薄膜填充通孔，以便在两金属层之间形成电连接。第3页/共70页多层金属化多层金属化层间介质金属互连结构在硅中扩散的有源区亚0.25m CMOS 剖面具有钨塞的通孔互连结构复合金属互连局部互连（钨）初始金属接触Figure 12.1 第4页/共70页层间介质（ILD）是绝缘材料，它分离了金属之间的电连接。ILD一旦被淀积，便被光刻成图形、刻蚀以便为各金属层之间形成通路。用金属（

4、通常是钨 W）填充通孔，形成通孔填充薄膜。在一个芯片上有许多通孔，据估计，一个300mm2单层芯片上的通孔数达到一千亿个。在一层ILD中制造通孔的工艺，在芯片上的每一层都被重复。金属化正处在一个过渡时期，随着铜冶金术的介入正经历着快速变化以取代铝合金。这种变化源于刻蚀铜很困难，为了克服这个问题，铜冶金术应用双大马士革法处理，以形成通孔和铜互连。这种金属化过程与传统金属化过程相反（见下图）。第5页/共70页传统和大马士革金属化比较传统和大马士革金属化比较传统互连流程氧化硅通孔2刻蚀 钨淀积+CMP金属2淀积+刻蚀覆盖 ILD 层和 CMP双大马士革流程覆盖 ILD 层和 CMP氮化硅刻蚀终止层(

5、光刻和刻蚀)第二层 ILD 淀积和穿过两层氧化硅刻蚀铜填充铜CMPFigure 12.2 第6页/共70页铜金属化铜金属化Photo 12.1 第7页/共70页 以提高性能为目的，用于芯片互连的金属和金属合金的类型正在发展，对一种成功的金属材料的要求是：1.导电率导电率:要求高导电率，能够传道高电流密度。2.黏附性：黏附性：能够黏附下层衬底，容易与外电路实现电连接3.淀淀积积：易于淀积经相对低温处理后具有均匀的结构和组分4.刻印图形刻印图形/平坦化：平坦化：提供高分辨率的光刻图形5.可靠性：可靠性：经受温度循环变化，相对柔软且有好的延展性6.抗抗腐腐蚀蚀性性：很好的抗腐蚀性，层与层以及下层器件

6、区有最 小的化学反应。7.应应力力：很好的抗机械应力特性，以便减少硅片的扭曲和材 料的失效。金属类型金属类型 第8页/共70页硅和硅片制造业中所选择的金属硅和硅片制造业中所选择的金属(at 20C)Table 12.1 第9页/共70页在硅片制造业中在硅片制造业中各种金属和金属合金可组成下列种类各种金属和金属合金可组成下列种类铝铝铜合金铜阻挡层金属硅化物金属填充塞 第10页/共70页金金 属属 铝铝 在半导体制造业中，最早的互连金属是铝，目前在VLSI以下的工艺中仍然是最普通的互连金属。在21世纪制造高性能IC工艺中，铜互连金属有望取代铝。然而，由于基本工艺中铝互连金属的普遍性，所以选择铝金属

7、化的背景是有益的。铝在20时具有2.65-cm的低电阻率，比铜、金及银的电阻率稍高。然而铜和银都比较容易腐蚀，在硅和二氧化硅中有高的扩散率，这些都阻止它们被用于半导体制造。另一方面，铝能够很容易和二氧化硅反应，加热形成氧化铝（AL2O3），这促进了氧化硅和铝之间的附着。还有铝容易淀积在硅片上。基于这些原因。铝仍然作为首先的金属应用于金属化。第11页/共70页铝铝 互互 连连Figure 12.3 第12页/共70页欧姆接触欧姆接触 为了在金属和硅之间形成接触，可通过加热完成。通常在惰性气体或还原的氢气环境中，在400500进行，此过程也被称为低温退火或烧结。在硅上加热烘烤铝形成期望的电接触界面

8、，被称为欧姆接触（有很低的电阻）。接触电阻与接触面积成反比，在现代芯片设计中，欧姆接触用特殊的难熔金属（以硅化物形式出现的钛），在硅表面作为接触以减小电阻、增强附着（见下图）。在某些特殊的芯片上有上亿个接触点，为了获得良好的电性能，一个可靠的具有低电阻和牢固附着的界面是非常重要的。第13页/共70页欧姆接触结构欧姆接触结构Gate阻挡层金属欧姆接触铝、钨、铜等SourceDrainOxideFigure 12.4 第14页/共70页结结“穿穿通通”：在在加加热热过过程程中中，铝铝和和硅硅之之间间易易出出现现不不希希望望的的反反应应，该该反反应应导导致致接接触触金金属属和和硅硅形形成成微微合合金

9、金，这这一一过过程程被被称称为为结结“穿穿通通”。当当纯纯铝铝和和硅硅界界面面加加热热时时结结尖尖刺刺发发生生，并并导导致致硅硅向向铝铝中中扩扩散散。结结尖尖刺刺的的问问题题可可通通过过在在铝铝中中添添加加硅硅和和阻阻挡挡层层金金属属化化两种方法解决。两种方法解决。结短路浅结Figure 12.5 第15页/共70页铝铝铜铜合合金金：由由于于铝铝的的低低电电阻阻率率及及其其与与硅硅片片制制造造工工艺艺的的兼兼容容性性，因因此此被被选选择择为为IC的的主主要要互互连连材材料料。然然而而铝铝有有众众所所周周知知的的电电迁迁徒徒引引起起的的可可靠靠性性问问题题。由由于于电电迁迁徒徒，在在金金属属表表

10、面面金金属属原原子子堆堆起起来来形形成成小小丘丘（如如图图所所示示）如如果果大大量量的的小小丘丘形形成成，毗毗邻邻的的连连线线或或两两层层之之间间的的连连线线有有可可能能短短接接在在一一起起。在在ULIS技技术术、高高级级电电路路的的设设计计中中，芯芯片片温温度度会会随随着着电电流流密密度度而而增增加加，两者都会使铝芯片金属化更易引起电迁徒。两者都会使铝芯片金属化更易引起电迁徒。小丘短接的两条金属线金属线中的空洞Figure 12.6 第16页/共70页IC互连金属化引入铜的优点互连金属化引入铜的优点1.电阻率的减小：在20时，互连金属线的电阻率从铝的2.65 mW-cm 减小到铜的1.678

11、 mW-cm；减少RC的信号延迟，增加芯片速度。2.功耗的减少：减小了线的宽度，降低了功耗。3.更高的集成密度：更窄的线宽，允许更高密度的电路集成，这意味着需要更少的金属层。4.良好的抗电迁徒性能：铜不需要考虑电迁徒问题。5.更少的工艺步骤：用大马士革 方法处理铜具有减少工艺步骤 20 to 30%的潜力。第17页/共70页与与 0.25-m 器件比较互连延迟的变化器件比较互连延迟的变化Table 12.2 第18页/共70页铝和铜之间特性和工艺的比较铝和铜之间特性和工艺的比较Table 12.3 第19页/共70页对铜的挑战对铜的挑战 与传统的铝互连比较，用铜作为半导体互连主要涉及三个方面的

12、挑战，这些挑战明显不同于铝技术，在铜应用与IC互连之前必须解决：1.铜快速扩散进氧化硅和硅，一旦进入器件的有源区，将会损坏器件。2.应用常规的等离子体刻蚀工艺，铜不能容易形成图形。干法刻蚀铜时，在它的化学反应期间不产生挥发性的副产物，而这对于经济的干法刻蚀是必不可少的。3.低温下（200）空气中，铜很快被氧化，而且不会形成保护层阻止铜进一步氧化。第20页/共70页用用于于铜铜互互连连结结构构的的阻阻挡挡层层：提提高高欧欧姆姆接接触触可可靠靠性性更更有有效效的的方方法法是是用用阻阻挡挡层层金金属属化化，这这种种方方法法可可消消除除诸诸如如浅浅结结材材料料刻刻蚀蚀或或结结尖尖刺刺的的问问题题。阻阻

13、挡挡层层金金属属是是淀淀积积金金属属或或金金属属塞塞，作作用用是是阻阻止止层层上上下下的的材材料料互互相相混混合合（见见 下下 图图）。其其 厚厚 度度 对对 0.25m工工 艺艺 来来 说说 为为100nm；对；对0.35m工艺来说为工艺来说为400600nm。阻挡层金属铜Figure 12.7 第21页/共70页 阻阻挡挡层层金金属属在在半半导导体体工工业业中中被被广广泛泛应应用用。为为了了连连接接铝铝互互连连金金属属和和硅硅源源漏漏之之间间的的钨钨填填充充薄薄膜膜接接触触，阻阻挡挡层层金金属属阻阻止止了了硅硅和和钨钨互互相相进进入入接接触触点点，也也阻阻止止了了钨钨和和硅硅的的扩扩散散以

14、以及及任任何何结尖刺。可接受的结尖刺。可接受的阻挡层金属的基本特征：阻挡层金属的基本特征：1.有很好的阻挡扩散作用；2.高导电率具有很低的欧姆接触电阻；3.在半导体和金属之间有很好的附着；4.抗电迁徒；5.在很薄的并且高温下具有很好的稳定性；6.抗侵蚀和氧化。第22页/共70页 铜铜在在硅硅和和二二氧氧化化硅硅中中都都有有很很高高的的扩扩散散率率，这这种种高高扩扩散散率率将将破破坏坏器器件件的的性性能能。传传统统的的阻阻挡挡层层金金属属对对铜铜来来说说阻阻挡挡作作用用不不够够，铜铜需需要要由由一一层层薄薄膜膜阻阻挡挡层层完完全全封封闭闭起起来来，这这层层封封闭闭薄薄膜膜的的作作用用是是加加固固

15、附附着着并并有有效效地地阻阻止止扩扩散散。对对铜来说对这个特殊的铜来说对这个特殊的阻挡层金属要求：阻挡层金属要求：1.阻止铜扩散；2.低薄膜电阻；3.对介质材料和铜都有很好的附着；4.与化学机械平坦化过程兼容；5.具有很好的台阶覆盖，填充高深宽比间隙的金属层是连续、等角的；6.允许铜有很小的厚度，占据最大的横截面积。第23页/共70页钽钽作作为为铜铜的的阻阻挡挡层层金金属属：对对于于铜铜互互连连冶冶金金术术来来说说，钽钽、氮氮化化钽钽和和钽钽化化硅硅（TaSiN）都都是是阻阻挡挡层层金金属属的的待待选选材材料料，阻阻挡挡层层厚厚度度必必须须很很薄薄（约约75埃埃），以以致致它它不不影影响响具具

16、有有高高深深宽宽比比填填充充薄薄膜膜的的电电阻阻率率而而又能扮演一个阻挡层的角色。又能扮演一个阻挡层的角色。铜钽Figure 12.8 第24页/共70页硅化物硅化物 难熔金属与硅在一起发生反应，熔合时形成硅化物。硅化物是一种具有热稳定性的金属化合物，并且在硅/难熔金属的分界面具有低的电阻率（如下图）。在硅片制造业中，难熔金属硅化物是非常重要的，因为为了提高芯片性能，需要减小许多源漏和栅区硅接触的电阻。在铝互连技术中，钛和钴是用于接触的普通难熔金属。如果难熔金属和多晶硅反应。那么它被称为多晶硅化物（见下图）。掺杂的多晶硅被用作栅电极，相对而言它有较高的电阻率（约500-cm），正是这导致了不应

17、有的RC信号延迟。多晶硅化物对减小连接多晶硅的串联导致是有益的，同时也保持了多晶硅对氧化硅好的界面特性。第25页/共70页硅接触上的难溶金属硅化物硅接触上的难溶金属硅化物钛/钛钽阻挡层金属金属钨钛硅化物接触Silicon substrate多晶硅栅钛硅化物接触OxideOxideSourceDrainFigure 12.9 第26页/共70页多晶硅上的多晶硅化物多晶硅上的多晶硅化物钛多晶硅化物钛硅化物多晶硅栅掺杂硅Figure 12.10 第27页/共70页硅化物的一些特性硅化物的一些特性第28页/共70页TiSi2的退火相的退火相Figure 12.11 第29页/共70页自对准硅化物自对准

18、硅化物由于在优化超大规模集成电路的性能方面，需要进一步按比列缩小器件的尺寸，因此在源/漏和第一金属层之间电接触的面积是很小的。这个小的接触面积将导致接触电阻增加。一个可提供稳定接触结构、减小源/漏区接触电阻的工艺被称为自对准硅化物技术。它能很好地与露出的源、漏以及多晶硅栅的硅对准。许多芯片的性能问题取决于自对准硅化物的形成（见下图）。自对准硅化物的主要优点是避免了对准误差。第30页/共70页与自对准硅化物有关的芯片性能问题与自对准硅化物有关的芯片性能问题STITiSi2STISGDTiSi2TiSi2TiSi2减少的方阻减少栅的电阻减少的接触电阻减少的二极管漏电Figure 12.12 第31

19、页/共70页自对准金属硅化物的形成自对准金属硅化物的形成2.钛淀积Silicon substrate1.有源硅区场氧化层侧墙氧化层多晶硅有源硅区3.快速热退火处理钛硅反应区4.去除钛TiSi2 形成Figure 12.13 第32页/共70页金属填充塞金属填充塞多层金属化产生了对数以十亿计的通孔用金属填充塞填充的需要，以便在两层金属之间形成电通路。接触填充薄膜也被用于连接硅片中硅器件和第一层金属化。目前被用于填充的最普通的金属是钨，因此填充薄膜常常被称为钨填充薄膜(见下图)。钨具有均匀填充高深宽比通孔的能力，因此被选作传统的填充材料。钨可抗电迁徒引起的失效，因此也被用作阻挡层以禁止硅和第一层之

20、间的扩散及反应。钨是难熔材料，熔点为：3417，在20时，体电阻率是52.8-cm。铝虽然电阻率比钨低，但溅射的铝不能填充具有高深宽比的通孔，基于这个原因，铝被用作互连材料，钨被限于做填充材料。第33页/共70页多层金属的钨填充塞多层金属的钨填充塞早期金属化技术1.厚氧化层淀积2.氧化层平坦化3.穿过氧化层刻蚀接触孔4.阻挡层金属淀积5.钨淀积6.钨平坦化1.穿过氧化层刻蚀接触孔2.铝淀积3.铝刻蚀在接触孔(通孔)中的钨塞氧化硅(介质)铝接触孔氧化硅(介质)现代金属化技术Figure 12.14 第34页/共70页IC 中的金属塞中的金属塞SiO2Photo 12.2 第35页/共70页金属淀

21、积系统金属淀积系统物理气相淀积物理气相淀积(PVD)用于半导体制造业的传统金属化工艺归并到被称为物理气相淀积（PVD）一类。PVD开始是用灯丝蒸发实现的，接着是用电子束，最近是通过溅射。化学气相淀积已成为淀积金属薄膜最常用的技术。在SSI和MSI IC时代，蒸发是主要的金属化方法。由于蒸发台阶覆盖的特性差，所以后来被溅射取代。被用于传统和双大马士革金属化的不同金属淀积系统是：蒸发溅射金属 CVD铜电镀 第36页/共70页蒸蒸 发发 在半导体制造的早期，所有金属层都是通过蒸发PVD方法淀积的。为了获得更好的台阶覆盖、间隙填充和溅射速度，在70年代后期，在大多数硅片制造技术领域溅射已取代蒸发。蒸发

22、由待蒸发的材料放进坩锅，在真空系统中加热并使之蒸发（见下图）。最典型的加热方法是利于电子束加热放置在坩锅中的金属。在蒸发中保持高真空环境。蒸汽分子的自由程增加，并在真空腔里以直线形式运动，直到它撞击表面凝结形成薄膜。蒸发的最大缺点是不能产生台阶覆盖；性能上不能形成具有深宽比大于1.0:1的连续薄膜；还有对淀积合金的限制。第37页/共70页简单的蒸发装置简单的蒸发装置机械泵高真空阀高真空泵工艺腔(钟罩)坩锅蒸发金属载片盘Figure 12.15 第38页/共70页溅溅 射：射：溅射也是物理气相淀积形式之一，主要是一个物理过程，而非化学过程。在溅射过程中，高能粒子在撞击具有高纯度的靶材料固体平板，

23、按物理过程撞击出原子。这些被撞击出的原子穿过真空，最后淀积在硅片上。溅射的优点是：1.具有淀积并保持复杂合金原组分的能力；2.能够淀积高温熔化和难熔金属；3.能够在直径为(200 mm 或更大的硅片上控制淀积均匀薄膜；4.具有多腔集成设备，能够在淀积金属前清除硅片表面沾污和本身的氧化层(被称为原位溅射刻蚀)。第39页/共70页简单平行金属板直流二极管溅射系统简单平行金属板直流二极管溅射系统尾气e-e-e-e-e-e-DC 直流二极管溅射装置衬底 1)电场产生 Ar+离子 2)高能Ar+离子和 金属靶撞击 3)将金属原子 从 靶中撞击阳极(+)阴极(-)氩原子电场金属靶等离子体 5)金属淀积在衬

24、底上 6)用真空泵将多余 物质从腔中抽走4)金属原子向衬底迁移.进气+Figure 12.16 第40页/共70页基本溅射步骤基本溅射步骤在高真空腔等离子体中产生正氩离子，并向具有负电势的靶材料加速；在加速过程中获得动量，并轰击靶；离子通过物理过程从靶上撞击出（溅射）原子，靶具有想要的材料组分；被撞击出（溅射）的原子迁移到硅片表面；被溅射的原子在硅片表面凝聚形成薄膜，与靶材料相比，薄膜具有与它基本相同的材料组分；额外材料由真空泵抽走。第41页/共70页溅射中的物理学溅射中的物理学 溅射的一个基本方面是氩气被离化形成等离子体。氩被用做溅射离子，是因为它相对较重并且化学上是惰性气体，这避免了和生长

25、薄膜或靶发生化学反应。如果一个高能电子撞击中性的氩原子，碰撞电离外层电子，产生了带正电荷的氩离子。这个具有能量的粒子被用于轰击带负电的靶材料以便被溅射。带正电荷的氩离子在等离子体中被阴极靶的负电位强烈吸引。当这些带电的氩离子通过辉光放电区时，它们被加速并获得动能。当氩离子轰击靶表面时，氩离子的动能转移给靶材料以撞击出一个或多个原子。被撞出的这些原子穿过等离子体抵达硅片表面。第42页/共70页溅射过程中从靶的表面撞出金属原子溅射过程中从靶的表面撞出金属原子+0高能 Ar+离子被溅射的金属原子金属原子阴极(-)弹回的氩离子和自由电子复合形成中性原子Figure 12.17 第43页/共70页 除了

26、被溅射的原子被轰击外，还有其它核素淀积在衬底上（见下图）。这些核素给衬底加热（使温度达到350），引起薄膜淀积不均匀。在铝的淀积过程中，高温也可能产生不需要的铝氧化，这反而妨碍了溅射过程。另外如果这些核素（杂质原子）掺杂进正在衬底上生长的薄膜，这将引起薄膜的质量问题。以上介绍的溅射系统是一个简单的直流二极管系统，它不能用于溅射介质，因为电极被介质覆盖，辉光放电不能够维持。同样也不能用于溅射刻蚀。下面介绍三类溅射系统：RF(射频)磁控IMP(离子化的金属等离子体)第44页/共70页不同核素淀积在衬底上不同核素淀积在衬底上阳极(+)阴极(-)电场金属靶等离子体辉光产生的光子被溅射的原子Substr

27、ate高能原子中子包含杂质的阴离子轰击靶产生的X-射线阴离子e e-Figure 12.18 第45页/共70页磁控溅射磁控溅射磁控溅射系统是在靶的周围和后面装置了磁体以俘获并限制电子于靶的前面（见下图）。这种设置增加了离子在靶上的轰击率，产生更多的二次电子，进而增加等离子体中电离的速率。最后的结果是。更多的离子引起对靶更多的溅射，因此增加了系统的淀积速率。磁 控 溅 射 设 计 需 要 有 一 个 能 量（大 约 从3KW20KW），供应给氩等离子体，以便取得最大的溅射速率。由于靶吸收了这些能量中的大多数，并且靶与阴极接触，因此阴极的冷却是必须的溅射淀积大面积硅片其均匀性较差。为了取得高溅射

28、速率和膜的均匀性，需要发展能够旋转、装置稀土和高强度永磁体的新阴极。第46页/共70页磁控溅射系统磁控溅射系统DC 电源被加热的硅片吸盘磁铁氩气入口真空泵 靶 阴极Figure 12.20 第47页/共70页准直溅射准直溅射为了在接触孔或通孔的底部和边沿取得较好的覆盖，通过利用准直溅射能够获得直接的增强（见下图）。设置的准直器好像是等离子体的阴极。用这种方法，任何从靶上被溅射出的高角度中性核素被中断，并淀积在准直器上。从靶上直线喷射的其他原子将通过准直器淀积在接触孔的底部，准直器在接触孔中减少了对侧墙的覆盖。准直器的应用意味着被溅射的材料大部分将达到不了硅片，因为被溅射材料的大部分终止在准直器

29、上，这个结果降低了溅射的生产效率。如果台阶覆盖是一个关键因素，那么在磁控溅射的基础上用IMP或CVD淀积会更有效。第48页/共70页准直溅射准直溅射表明溅射薄膜覆盖通孔的剖面图Ar靶准直器准直溅射系统Figure 12.21 第49页/共70页离子化的金属等离子体离子化的金属等离子体 PVD的概念的概念SubstrateElectrode电极钛靶+RF场高能氩离子钛离子被溅射的钛原子e e-e e-离子体DC 电源RF 发生器DC 场DC 偏置电源电感线圈Figure 12.22 第50页/共70页金属金属 CVD：由于化学气相淀积具有良好的台阶覆盖以及对高深宽比接触通孔无间隙式的填充，在金属

30、淀积方面它的应用正在增加。当器件的特征尺寸减小到0.15m或更小时，这些因素在硅片制造业中至关重要。在0.15m的器件设计中，DRAM存储器通孔的深宽比被设计成7:1，逻辑电路设计成2.4:1。钨 CVD极好的台阶覆盖和间隙填充良好的抗电迁徒特性铜 CVD极好的一致性 第51页/共70页具有具有 Ti/TiN 阻挡层金属的垫膜钨阻挡层金属的垫膜钨 CVDTi2 准直钛淀积覆 盖通孔底部间隙填充介质铝通孔PECVD SiO21.层间介质通孔刻蚀3.CVD TiN 等角淀积TiN4.CVD 钨淀积钨通孔薄膜5.钨平坦化钨填充薄膜Figure 12.23 第52页/共70页PVD 多腔集成设备多腔集

31、成设备Photo 12.3 Photo Courtesy of Applied Materials,Inc.第53页/共70页铜电镀系统铜电镀系统-阴极+阳极衬底电镀液入口出口出口铜离子 铜原子附着在硅片上+Figure 12.24 第54页/共70页铜电镀铜电镀IC 制造业转到铜金属化对所有芯片制造商来说都只是刚刚起步。首先，高性能处理器和快速静态存储器正在转向铜工艺。电镀铜金属的基本原理是将具有导电表面的硅片沉浸在硫酸铜溶液中，这个溶液包含所需要淀积的铜（见下图）。硅片和种子层作为带负电荷的平板或阴极电连接到外电源。固体铜块沉浸在溶液中并构成带正电荷的阳极。电流从硅片进入溶液到达铜阴极。当

32、电流流动时，下列反应在硅片表面淀积铜金属：Cu2+2e-Cuo第55页/共70页铜电镀工具铜电镀工具Used with permission from Novellus Systems,Inc.Photo 12.4 第56页/共70页双大马士革法的铜金属化双大马士革法的铜金属化1:SiO2 淀积说说明明：用 PECVD 淀积内层氧化硅到希望的厚度，这里没有关键的间隙填充，因此PECVD 是可以接受的。SiO2 第57页/共70页2：Si3N4 刻蚀阻挡层淀积说明：说明：厚 250 的 Si3N4 刻蚀阻挡层被淀积在内层氧化硅上。SiN需要致密，没有针孔，因此使用 HDPCVD。Si3N4表表

33、双大马士革法的铜金属化双大马士革法的铜金属化 第58页/共70页表表 双大马士革法的铜金属化双大马士革法的铜金属化3：确定通孔图形和阻挡层说明：说明：光刻确定图形、干法刻蚀通孔窗口进入 SiN.中，刻蚀完成后去掉光刻胶。SiN 第59页/共70页表表 双大马士革法的铜金属化双大马士革法的铜金属化4：淀积保留介质的 SiO2说明：说明：为保留层间介质，PECVD 氧化硅淀积。SiO2 第60页/共70页表表 双大马士革法的铜金属化双大马士革法的铜金属化5：确定互连图形 说明：说明：光刻确定氧化硅槽图形，带胶。在确定图形之前将通孔窗口放在槽里。Photoresist 第61页/共70页表表 双大马

34、士革法的铜金属化双大马士革法的铜金属化6：刻蚀互连槽和通孔 说明：说明：在层间介质氧化硅中干法刻蚀沟道，停止在 SiN 层。穿过 SiN.层中的开口继续刻蚀形成通孔窗口。第62页/共70页表表 双大马士革法的铜金属化双大马士革法的铜金属化7：淀积阻挡金属层 说明：说明：在槽和通孔的底部及侧壁用离子化的PVD淀积钽(TaN）和氮化钽扩散层。阻挡层金属 第63页/共70页表表 双大马士革法的铜金属化双大马士革法的铜金属化8：淀积铜种子层 说明：说明：用 CVD.淀积连续的铜种子层，种子层必须是均匀的并且没有针孔。铜种子层 第64页/共70页表表 双大马士革法的铜金属化双大马士革法的铜金属化9：淀积

35、铜填充 说明：说明：用电化学淀积(ECD).淀积铜填充，即填充通孔窗口也填充槽。铜层 第65页/共70页表表 双大马士革法的铜金属化双大马士革法的铜金属化10：用CMP清除额外的铜 说明：说明：用CMP 清除额外的铜，这一过程平坦化了表面并为下道工序做了准备。最后的表面是一个金属镶嵌在介质内，形成电路的平面结构。Copper 第66页/共70页金属化质量测量金属化质量测量检查的质量参数：1.溅射金属的附着；2.溅射薄膜的应力；3.溅射的膜厚；4.溅射薄膜的均匀性第67页/共70页小小 结结金属化淀积的金属薄膜，在芯片上形成了互连金属线和接触孔或通孔连接。有6类金属用于硅片制造业，各有不同的特点

36、满足不同的性能要求。铝用作传统的互联金属线。欧姆接触是硅和互连金属之间的低阻接触。铝也常和铜形成合金最大程度地解决电迁徒稳定性问题，铜的含量在0.54之间新的互连金属化建立在铜冶金的基础上以减小金属电阻。铜和具有低K值的介质联合使用将减小芯片的互连延迟。第68页/共70页连接金属时常使用阻挡层金属，不同的阻挡层金属是否具有合适的特性取决于应用。硅化物是难熔金属和硅形成的合金，用于减小接触电阻和附着。自对准硅化物是一种特殊的硅化物，它被用于对准源、漏和栅结构。应用最广泛的系统是溅射。溅射的物理特性是轰击靶，以轰击出原子，并在硅片表面淀积这些原子形成薄膜。三类最普通的溅射类型是 RF、磁控和粒子化金属等离子体。第69页/共70页感谢您的观看。第70页/共70页