【精品文档】电磁学电子教案15260.pptx
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1、电磁学电子教案使用教材:赵凯华、陈熙谋编的第二版主讲人:陈绍英、王启文、石鹏、李艳华呼伦贝尔学院物理系普通无力教研室电磁学课题组2006年年9月制作月制作第六章第六章 磁介质磁介质6.1分子电流观点6.2介质的磁化规律6.3边界条件磁路定理6.4磁场的能量和能量密度6.1.1.1 磁介质的磁化磁介质的磁化 在前两章里讨论载流线圈产生的磁场和变化的磁场产生感应电动势的时候,我们都假定导体以外是真空,或者不存在磁性物质(磁介质)。然而在实际中大多数情况下电感器件(如镇流器、变压器、电动机和发电机)的线圈中都有铁芯。那么,铁芯在这里起什么作用呢?为了说明这个问题,我们看一个演示实验。图6-就是上一章
2、里讲过的那个有关电磁感应现象的演示实验,当初级线圈 电路中 接通或断开时,就在次级线圈 中产生一定的感应电流。不过这里我们在线圈中加一软铁芯。重复上述实验就会发现,次级线圈中的感应电流大大增强了。我们知道,感应电流的强度是与磁通量的时间变化率成正比的。上述实验表明,铁芯可以使线圈中的磁通量大大增加。有关磁介质(铁芯)磁化的理论,有两种不同的观点分子电流观点和磁荷观点。两种观点假设的微观模型不同,从而赋予磁感应强度和磁场强度 的意义也不同,但是最后得到的宏观规律的表达形式完全一样,因而计算的结果也完全一样。在这种意义下两种观点是等价的。分子电流观点即安培的分子环流假设(参见第四章1.2节)。现在
3、我们按照这个观点来说明,为什么铁芯能够使线圈中的磁通量增加。6.1.1.1 磁介质的磁化磁介质的磁化如图6-2,我们考虑一段插在线圈内的软磁棒。按照安培分子环流的观点,棒内每个磁分子相当于一个环形电流。在没有外磁场的作用下,各分子环流的取向是杂乱无章的(图6-3a),它们的磁矩相互抵消。宏观看起来,软铁棒不显磁性。我们说,这时它处于未磁化状态。当线圈中通入电流后,它产生一个外磁场 (这个由外加电流产生,并与之成正比的磁场,又叫做磁化场磁化场;产生磁化场的电流,叫做励磁电流励磁电流)。在磁化场的力矩作用下,各分子环流的磁矩在一定程度上沿着场的方向排列起来(图6-3b)。我们说,这时软铁棒被磁化了
4、。图6-3b的右方是磁化了的软铁棒的横截面图。由图可以看出,当介质均匀时由于分子环流的回绕方向一致,在介质内部任何两个分子环流中相邻的一对电流元方向总是彼此相反,它们的效果相互抵消。只有在横截面边缘上各段电流元未被抵消,宏观看起来,这横截面内所有分子环流的总体与沿截面边缘的一个大环形电流等效(图6-3c右方)。由于在各个截面上都出现了6.1.1.1 磁介质的磁化磁介质的磁化这类环形电流(宏观上叫它做磁化电流),整体看来,磁化了的软铁棒就象一个由磁化电流组成的“螺线管”(图6-3c左方)。这个磁化电流的“螺线管”产生的磁感应强度 的分布如图6-4所示,它在棒的内部的方向与磁化场 的方向一致,因而
5、在棒内的总磁感应强度 比没有铁芯时的磁感应强度 大了。这就是为什么铁芯能够使磁感应通量增加的道理。6.1.1.2 磁化强度矢量磁化强度矢量为了描述磁介质的磁化状态(磁化的方向和磁化的程度),通常引入磁化强度矢量磁化强度矢量的概念,它定义为单位体积内分子磁矩的矢量和。如果我们在磁介质内取一个宏观体积元 ,在这个体积元内包含了大量的磁分子。用 代表这个体积元内所有分子磁矩的矢量和,用 代表磁化强度矢量,由上述定义可表达成下列公式:(6.1)拿上述软铁棒的例子来说,当它处于未磁化状态的时候,各个分子磁矩 的取向杂乱无章,它们的矢量和 ,从而棒内的磁化强度 。在有磁化场的情况下,棒内的分子磁矩在一定程
6、度上沿着 的方向排列起来,这时各分子磁矩 的矢量和将不等于0,且合成矢量具有 的方向,从而磁化强度 就是一个沿 方向的矢量。分子磁矩 定向排列的程度越高,它们的矢量和的数值越大,从而磁化强度 的数值就越大。由此可见,由式(6.1)定义的磁化强度矢量 确是一个能够反映出磁介质磁化状态的物理量。6.1.1.3 磁化强度磁化强度与磁化电流的关系与磁化电流的关系正如电介质中极化强度矢量与极化电荷之间有一定关系一样见式(2.12)和(2.13),磁介质中磁化强度矢量 与磁化电流之间也有一定的关系。下面就来推导这类关系。为了便于说明问题,我们把每个宏观体积元内的分子看成完全一样的电流环,即具有同样面积 和
7、取向(可用面元矢量 代表),环内具有同样的电流,从而具有相同的磁矩 。这就是说,我们用平均分子磁矩代替每个分子的真实磁矩。于是介质中的磁化强度为 (6.2)式中 为单位体积内的分子环流数。如图6-5a,设想我们在磁介质中划出任意一宏观的面 来考察有无分子电流通过它。令 的周界线为 。介质中的分子环流可分为三类:第一类不与 相交(如图中 ,环内阴影为纯绿色);第二类整个为 所切割,即与 两次相交(如图中的 ,环内阴影为半绿半蓝);第三类被 穿过,与 相交一次(如图中 ,环内阴影多绿少红)。前两类对通过 面的总电流没有贡献,我们只需考虑第三类,即为所穿过的分子环流。6.1.1.3 磁化强度磁化强度
8、与磁化电流的关系与磁化电流的关系首先我们在周界线上取任一线元,考虑它穿过分子环流的情况。为此以为轴线,为底面作一柱体,其体积为(为 与 间的夹角,见图6-5b)。凡中心在此柱体内的分子环流都有为 所穿过。这样的分子环流共有 个,每个分子环流贡献一个通过 面的电流 ,故这线元 穿过的所有分子环流总共贡献电流为 。最后,沿闭合回路对 积分,即得通过以 为边界的面 的全部分子电流的代数和 :(6.3)这便是与电介质公式(2.12)对应的磁介质公式,它是反映磁介质中磁化电流 的分布与磁化强度之间联系的普遍公式。为了得到磁化强度与介质表面磁化电流的关系,只需将式(6.3)运用于图6-6所示的矩形回路上。
9、此回路的一对边与介质表面平行,且垂直于磁化电流线,其长度为 ;另一对边与表面垂直,其长度远小于 。设介质表面单位长度上的磁化电流为 (叫做面磁化电流密度),则穿过矩形回路的磁化电流为 。另一方面,的积分只在介质表面内的一边上不为0,其贡献为 (为 的切线分量),从而根据式(6.3),我们有 ,即6.1.1.3 磁化强度磁化强度与磁化电流的关系与磁化电流的关系若考虑到方向,可写成下列矢量形式:(6.4)式中 是磁介质表面的外法线单位矢量。式(6.4)表明,只有介质表面附近 有切向分量的地方 ,的法线分量与 无联系。式(6.4)是与电介质的式(2.13)对应的磁介质公式,,它是反映磁介质表面磁化电
10、流密度与磁化强度之间的重要关系式。6.1.2 磁介质内磁化强度磁介质内磁化强度如果磁化强度已知,我们的可以计算出它产生的附加磁感应强度来。然后将它叠加在磁化场的磁感应强度上,就可得到有磁介质时的磁感应强度(6.5)考虑一根沿轴均匀磁化的磁介质棒。如前所述,磁化的宏观效果相当于在介质棒侧面出现环形磁化电流,单位长度内的电流 。这磁化电流的分布就象一个均匀密绕的“螺线管”一样,所以我们可以利用第四章的式(4.22)来计算它产生的磁场。相当于该式中的 ,该式中的 相当于这里的 ,于是 (6.6)在轴线中点上式中 为圆棒的直径,为棒的长度。故对于无穷长的棒,;(6.7)对于很薄的磁介质片,。(6.8)
11、6.1.2 磁介质内磁化强度磁介质内磁化强度介于上述两极端之间的情形,的数值介于(6.7)和(6.8)所给的值之间。总之,随着棒的缩短,减小。由于 和 方向一致,也随之减小。这一结论可作如下直观的理解:因为从无限长的棒过渡到有限长的棒,相当于把无限长棒的两头各截去一段(见图6-7中2、3),从而在磁化电流附加场的表达式(6.7)中应减去截掉的两段上的磁化电流的贡献,所以 应小于 。中间留下的一段棒1越短,就相当于截掉的两段2、3越长,应从式(6.7)中减去的一项就越大,所以 就越小。无限长介质棒的公式(6.7)对闭合环(图6-8a)的内部也适用。上面对有限长介质棒的定性讨论则适用于有缺口的介质
12、环(图6-8b)。从闭合环上截掉一个缺口,便小于闭合时的值 ;缺口越大,就越小。6.1.3 磁场强度磁场强度与有介质时的与有介质时的 安培环路定理和安培环路定理和“高斯定理高斯定理”第二章3中讲有电介质存在时的高斯定理时,曾引入一个辅助矢量电位移矢量 ,并把电通量的高斯定理 代换为电位移通量的高斯定理式中 和 分别是高斯面 内的自由电荷和极化电荷的总和。这样做的好处是从高斯定理的表达式中消去 ,这对于解决有电介质的电场分布问题带来很大的方便。在磁介质中也有相应的情况。这时安培环路定理为 (6.9)式中 和 分别是穿过安培环路 的传导电流和磁化电流的总和。是否也可以引进另一辅助矢量,使得安培环路
13、定理的表达式中不出现 呢?这是可以的,需要引入的辅助矢量叫做磁场强度矢量磁场强度矢量 ,它的定义是 (6.10)将式(6.9)除以 ,再减去式(6.3),就可以消去 :6.1.3 磁场强度磁场强度与有介质时的与有介质时的 安培环路定理和安培环路定理和“高斯定理高斯定理”利用定义式(6.10),即得 矢量所满足的安培环路定理:(6.11)在真空中 ,或 (6.12)将式(6.11)乘以 ,并把 换成 ,它就化为第四章3中的安培环路定理式(4.29)。所以式(6.11)是安培环路定理的普遍形式。由式(6.11)可以看出,磁场强度 的单位应为安培安培/米米。另一种常用的单位叫奥斯特,用 表示,二者的
14、换算关系是1安培/米=4 10-3奥斯特,1奥斯特=103/4 安培/米。此外,磁感应强度 所满足的“高斯定理”第四章3式(4.28)(6.13)是可以由毕奥-萨伐尔定律导出的,它无论对导线中的传导电流或对介质中的磁化电流都适用,故它出是磁场的一个普遍公式。这样,我们就得到有关磁场的两个普遍公式:矢量的安培环路定理(6.11)和 矢量的“高斯定理”(6.13)。它们分别可看成是第四章中的式(4.29)和式(4.28)在有磁介质情形下的推广。6.1.3 磁场强度磁场强度与有介质时的与有介质时的 安培环路定理和安培环路定理和“高斯定理高斯定理”【例题】用安培环路定理(6.11)计算充满磁介质的螺绕
15、环(图6-8a)内的磁感应强度 ,已知磁化场的磁感应强度为 ,介质的磁化强度为 。【解】设螺绕环的平均半径为 ,总匝数为 。正象第四章3.3节中讨论空心螺绕环时一样,取与环同心的圆形回路 (参看图4-34),传导电流 共穿过 次。利用式(6.11)可得即式中 代表环上单位长度内的匝数。我们知道,磁化场的磁感应强度 就是空心螺绕环的磁感应强度:故 ,或根据式(6.10),磁介质环风的磁感应强度为于是我们得到与上面式(6.7)相同的结果,不过这里避免了磁化电流的计算。6.2.1磁化率和磁导率磁化率和磁导率迄今为止,我们尚未讨论过磁化强度、磁感应强度和磁场强度之间的依赖关系,即介质的磁化规律。对于多
16、数电介质,极化强度矢量、电位移矢量和电场强度矢量彼此成正比,比例叫做电极化率和介电常数:,二者的关系是(参见第二章3.6节)对于磁介质,我们可以仿照这种办法,定义一个磁化率 和磁导率 :(6.54)(6.55)由于故 与 的关系为 (6.56)式(6.54)和(6.55)又可以写成 (6.57)6.2.1磁化率和磁导率磁化率和磁导率(6.58)对于真空,则 ,。【例题】求绕在磁导率为 的闭合磁环上的螺绕环与同样匝数和尺寸的空心螺绕环自感之比。【解】前已用安培环路定理解得(参见1.3节例题),无论有无磁介质,磁场强度皆为其中 是环上单位长度内的匝数,为线圈内的传导电流。按照式(6.58)磁环内在
17、空心线圈内即在线圈尺寸、匝数和磁化电流 相同的条件下,磁通匝链数之比为从而自感受之比为6.2.1磁化率和磁导率磁化率和磁导率由上述例题我们看到,在线圈内充满了均匀磁介质后,自感增大到原来的倍。这一点和电介质使电容增加倍的性质很相似。然而磁介质的情况要比电介质复杂得多。在大多数电介质里,它们都是与场强无关的常数,的数量级一般不太大(通常在10以内)。但对于不同类型的磁介质,和的情况很不一样。磁介质大体可以分为顺磁质、抗磁质和铁磁质三类。对于顺磁质,;对于抗磁质,。这两类磁介质的磁性都很弱,它们的,而且都是与无关的常数。铁磁质的情况很复杂,一般说来和不成比例,甚至没有单值关系,即的值不能由的值唯一
18、确定,它还与磁化的历史有关(详见3.3节)。在与呈非线性关系的情况下,我们还可按照式(6.54)和(6.55)来定义 和 ,不过此时它们不是常数,而是 的函数,即 ,。铁磁质的 和 一般都很大,其数量级为 ,甚至达 以上,所以铁磁质属于强磁性介质。当 和 无单值关系时,式(6.54)和(6.55)已失去意义,在这种情况下人们通常不再引用 和 的概念。6.2.2 顺磁质和抗磁质顺磁质和抗磁质如前所述,顺磁质的,抗磁质的。前者表示与方向一致,前者表示与方向相反。表6-3给出一些顺磁质和抗磁质的 值。可以看出,其绝对值的数量级在 左右。表表6-3 6-3 顺磁质和抗磁质的磁化率顺磁质和抗磁质的磁化率
19、下面我们简单介绍一下物质的顺磁性和抗磁性的微观机制。为此我们先看一下分子磁矩的来源。近代科学实验证明:电子在原子或分子中的运动包括轨道运动和自旋两部分。绕原子核轨道旋转运动的电子相当于一个电流环,从而有一定的磁矩,称为轨道磁矩轨道磁矩。与电子自旋运动相联系的还具有一定的自旋磁矩自旋磁矩。由于电子带负电,其磁矩和角速度的方向总是相反的(参看图6-20)。与 的关系可如下求得:设电子以半径 、角速度 作圆周运动,则它每经过时间 绕行一周。若把它看成一个环形电流,则电流强度 ,面积 ,于是 (6.60)顺顺 磁磁 质质(18)抗抗 磁磁 质质(18)锰铬铝空气(1大气压20)12.4 4.5 0.8
20、2 30.36铋铜银氢(20)-1.70-0.108 -0.25 -2.476.2.2 顺磁质和抗磁质顺磁质和抗磁质在原子或分子内一般不止有一个电子,整个分子的磁矩是其中各个电子轨道磁矩和自旋磁矩的矢量和(忽略原子核磁矩)。第二章3中曾介绍过,电介质的分子可分为极性分子和无极分子两大类,前者有固有电偶极矩,后者没有固有电偶极矩。磁介质的分子也可分为两大类:一类分子中各电子磁矩不完全抵消,因而整个分子具有一定的固有磁矩;另一类分子中各电子的磁矩互相抵消,因而整个分子不具有固有磁矩。在顺磁性物质中,分子具有固有磁矩。无外磁场时,由于热运动,各分子磁矩的取向无规,在每个宏观体积元内合成的磁矩为0,介
21、质处于未磁化状态。在外磁场中每个分子磁矩受到一个力矩,其方向力图使分子磁矩转到外磁场方向上去。各分子磁矩在一定程度上沿外场排列起来,这便是顺磁效应的来源。热运动是对磁矩的排列起干扰作用的,所以温度越高,顺磁效应越弱,即 随温度的升高而减小。下面考虑抗磁效应。如图6-21,设一个电子以角速度 、半径 绕原子核作圆周运动。令 代表原子序数,则原子核带电 ,电子带电 ,故电子所受的库仑力为6.2.2 顺磁质和抗磁质顺磁质和抗磁质,而向心加速度为。根据牛顿第二定律有(6.61)式中 为电子质量。由上式解得 (6.62)在加上外磁场 以后,电子将受到洛仑兹力 ,这里 是电子的线速度。为简单起见,设电子轨
22、道面与外磁场垂直。首先考虑 的情形(图6-21a),这里洛仑兹力是指向中心的。假设轨道半径 不变,则其角速度将增加到 。这时 满足的运动方程为 (6.63)6.2.2 顺磁质和抗磁质顺磁质和抗磁质(左端第二项为洛仑兹力,其中 ,)。当 不太大时(),上式化为根据式(6.61),两端的第一项相消,左端第三项可忽略,由此解得 (6.64)其次,考虑 的情形(图6-21b),这里洛仑兹力是背离中心的。在轨道的半径 不变的条件下角速度将减少,即 。用同样的方法可以证明,这时 也由上式表达。综合以上两种情况可以看出,的方向总与外磁场 相同。按照式(6.60),电子角速度 的改变将引起磁矩 的改变,原有磁
23、矩 和磁矩的改变量 分别为 (6.65)(6.66)6.2.2 顺磁质和抗磁质顺磁质和抗磁质以上虽然只讨论了 的情形,理论上可以证明,当 与 成任意角度时,与 的方向一致,从而从而感生的附加磁矩 总与 的方向相反。在抗磁性物质中,每个分子在整体上无固有磁矩,这是因为其中各个电子原有的磁矩 方向不同,相互抵消了。在加了外磁场后,每个电子的感生磁矩 却都与外磁场方向相反,从而整个分子内将产生与外磁场方向相反的的感生磁矩。这便是抗磁效应的来源。应当指出,上述抗磁效应在具有固有磁矩的顺磁质分子中同样存在,只不过它们的顺磁效应比抗磁效应强得多,抗磁性被掩盖了。讲到物质的抗磁效应,顺便提一下超导体的一个特
24、性。在第三章1.3节曾简单地介绍了超导体的一个基本特性,即在转变温度 以下电阻完全消失,但是超导体最根本的特性还是它的磁学性质完全抗磁性。如图6-22,将一块超导体放在外磁场中,其体内的磁感应强度 永远等于0。这种现象叫做迈斯纳效应迈斯纳效应。在普通的抗磁体内,由于 与 方向相反,要减小一些。而超导体内的 完全减小到0的事实表明,它好像是一个磁化率 ,的抗磁体,这样的抗磁体可以叫做完全抗磁体。但是造成超导体抗磁性的原因和普通的抗磁体不同,6.2.2 顺磁质和抗磁质顺磁质和抗磁质其中的感应电流不是由束缚在原子中的电子的轨道运动形成的,而是其表面的超导电流。在增加外磁场的过程中,在超导体的表面产生
25、感应的超导电流,它所产生的附加磁感应强度将体内的磁感应强度完全抵消。当外磁场达到稳定值后,因为超导体没有电阻,表面的超导电流将一直持续下去。这就是超导体的完全抗磁性的来源。超导体的完全抗磁性可以用图6-23所示的实验演示出来。将一个镀有超导材料(例如铅)的乒乓球放在铅直的外磁场中,由于它的磁化方向与外磁场相反,它将受到一个向上的排斥力。这排斥力 与重力 平衡时,球就悬浮在空中。当重力发生微小的变化时,乒乓球就会上下移动。若用特殊的方法把球的位置上下变化的情况精确地记录下来,就可以精确地测定重力的微小变化。根据这个原理,可以造出极灵敏的超导重力仪来。6.2.3 铁磁质的磁化规律铁磁质的磁化规律在
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